本文中，小編將對半導體封裝以及功率半導體器件的優(yōu)缺點予以介紹，如果你想對半導體的詳細情況有所認識，或者想要增進對半導體的了解程度，不妨請看以下內容哦。

一、半導體封裝

首先，我們來看看什么是半導體封裝。

半導體生產流程主要包括4個部分，這4個部分分別是：晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試。半導體封裝是指將通過測試的晶圓按照產品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。半導體封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝之后，會被切割為小的晶片(Die)，然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應的基板(引線框架)架的小島之上，然后再利用超細的金屬(金、錫、銅、鋁)導線或者導電性樹脂將晶片的接合焊盤(Bond Pad)連接到基板的相應引腳(Lead)上,并構成符合要求的電路;然后再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護，在塑封之后，我們還需要進行一系列操作，比如后固化(Post Mold Cure)、切筋和成型(Trim&Form)、電鍍(Plating)以及打印等諸多工藝。在封裝完成后，通常通過“進貨”，“測試”和“包裝”對成品進行測試，最后才是將其存儲以進行裝運。 半導體典型的包裝過程是：切塊，裝載，粘合，塑料封裝，除毛刺，電鍍，修整和成型，外觀檢查，成品測試，包裝和運輸。

半導體(包括集成電路和分立器件)和芯片的封裝經(jīng)歷了幾代的變化，從DIP，SOP，QFP，PGA，BGA到MCP，再到SIP。 技術指標代代相傳，包括芯片面積和封裝面積。 比例越來越接近1，適用頻率越來越高，耐溫性越來越好，插針數(shù)量增加，插針間距減小，重量減輕，可靠性提高 ，使用起來更加方便。 包裝有很多類型，每種類型的包裝都有其獨特的功能，即優(yōu)點和缺點。 當然，所使用的包裝材料，包裝設備和包裝技術會根據(jù)其需求而變化。

二、功率半導體器件優(yōu)缺點

在了解了半導體封裝的相關知識后，我們再來看看功率半導體是什么以及功率半導體的優(yōu)缺點。電力電子器件(PowerElectronicDevice)又稱為功率半導體器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)。功率半導體優(yōu)缺點主要如下所示。

電力二極管：功率半導體的結構和原理簡單，并且工作可靠;

晶閘管：功率半導體承受電壓和電流容量在所有器件中最高，實屬優(yōu)異;

IGBT：功率半導體開關速度高，開關損耗小，具有耐脈沖電流沖擊的能力，通態(tài)壓降較低，輸入阻抗高，為電壓驅動，驅動功率小;缺點：開關速度低于電力MOSFET，電壓，電流容量不及GTO

GTR：功率半導體耐壓高，電流大，開關特性好，通流能力強，飽和壓降低;缺點：開關速度低，為電流驅動，所需驅動功率大，驅動電路復雜，存在二次擊穿問題

GTO：功率半導體電壓、電流容量大，適用于大功率場合，具有電導調制效應，其通流能力很強;缺點：電流關斷增益很小，關斷時門極負脈沖電流大，開關速度低，驅動功率大，驅動電路復雜，開關頻率低

MOSFET：功率半導體開關速度快，輸入阻抗高，熱穩(wěn)定性好，所需驅動功率小且驅動電路簡單，工作頻率高，不存在二次擊穿問題;缺點：電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。

制約因素：功率半導體十分耐壓，電流容量，開關的速度。

以上便是小編此次帶來的有關半導體封裝和功率半導體的優(yōu)缺點的全部內容，十分感謝大家的耐心閱讀，想要了解更多相關內容，或者更多精彩內容，請一定關注我們網(wǎng)站哦。