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GaN功率半導體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達1.8億
美國iSuppli公布了關于GaN(氮化鎵)功率半導體市場將迅速增長的調查報告)。報告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場規(guī)模。iSupp
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華潤上華與電子科技大學共建DMOS聯(lián)合實驗室
華潤上華科技有限公司（簡稱“華潤上華”）與電子科技大學（簡稱“電子科大”）共建DMOS聯(lián)合實驗室的簽約儀式于2010年3月30日在電子科技大學舉行。華潤上華副總經(jīng)理蘇巍和電子科大副校長楊曉波分別代表雙方在協(xié)議上
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東麗道康寧開發(fā)出耐熱性及加工性的功率半導體用封裝材料
東麗道康寧面向SiC等新一代功率半導體，開發(fā)出了兼顧耐熱性及加工性的新型硅類封裝材料。特點是可在250℃條件下連續(xù)使用，而且加工性較高。比如，SiC功率半導體元件（功率元件）可在硅功率元件所限定的200℃以上的高
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昭和電工量產表面平滑性出色的功率半導體用SiC外延晶圓
昭和電工宣布，成功量產了表面平滑性達到全球最高水平的直徑4英寸SiC（碳化硅）外延晶圓（EpitaxialWafer）。該晶圓的平滑性為0.4nm，較原產品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實現(xiàn)單晶Si
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昭和電工量產表面平滑性出色的功率半導體用SiC外延晶圓
昭和電工宣布，成功量產了表面平滑性達到全球最高水平的直徑4英寸SiC（碳化硅）外延晶圓（Epitaxial Wafer）。該晶圓的平滑性為0.4nm，較原產品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實現(xiàn)
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全新功率半導體技術助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能
世界各地計算機數(shù)量眾多，耗能量也相當龐大，而支撐互聯(lián)網(wǎng)運作的數(shù)據(jù)中心就是一大耗能實例。在一個典型的數(shù)據(jù)中心設施中，其實只有不到一半的功耗是用在計算功能上的。所以數(shù)據(jù)中心運營商千方百計尋找機會來提高功率轉換效率和分配效率，例如通過高壓直流源的分配來減小轉換級的數(shù)目。
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全新功率半導體技術助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能
世界各地計算機數(shù)量眾多，耗能量也相當龐大，而支撐互聯(lián)網(wǎng)運作的數(shù)據(jù)中心就是一大耗能實例。在一個典型的數(shù)據(jù)中心設施中，其實只有不到一半的功耗是用在計算功能上的。所以數(shù)據(jù)中心運營商千方百計尋找機會來提高功率轉換效率和分配效率，例如通過高壓直流源的分配來減小轉換級的數(shù)目。
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全新功率半導體技術助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能
世界各地計算機數(shù)量眾多，耗能量也相當龐大，而支撐互聯(lián)網(wǎng)運作的數(shù)據(jù)中心就是一大耗能實例。在一個典型的數(shù)據(jù)中心設施中，其實只有不到一半的功耗是用在計算功能上的。所以數(shù)據(jù)中心運營商千方百計尋找機會來提高功率轉換效率和分配效率，例如通過高壓直流源的分配來減小轉換級的數(shù)目。
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功率半導體充當節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產生控制功率，去驅動相關電機進行所需的工作。如今，新型功率半導體器
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中國南車建成最大的大功率半導體產業(yè)基地
新聞事件： 中國南車建成最大的大功率半導體產業(yè)基地事件影響： 國內最大的大功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地在中國南車正式投產9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內最大的大功率半導體器件研發(fā)
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中國最大大功率半導體產業(yè)基地湖南投產
中國最大的大尺寸功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地今日在湖南株洲正式投產。這將改變國內高端半導體器件技術和市場一直被國外壟斷的局面，加速國產化大功率半導體器件產業(yè)化進程。 大尺寸功率半導體器件是變流器的
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中國最大大功率半導體產業(yè)基地在湖南株洲投產
中國最大的大尺寸功率半導體器件研發(fā)及產業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產。長期以來，高端半導體器件技術和市場一直被國外壟斷，該基地的投產運行將加速推動國產化大功率半導體器件產業(yè)化進程。大尺寸功率半導體器件
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功率電子市場英飛凌穩(wěn)坐全球第一寶座
英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至13
