-
GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億
美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSupp
-
華潤上華與電子科技大學(xué)共建DMOS聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室
華潤上華科技有限公司（簡稱“華潤上華”）與電子科技大學(xué)（簡稱“電子科大”）共建DMOS聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的簽約儀式于2010年3月30日在電子科技大學(xué)舉行。華潤上華副總經(jīng)理蘇巍和電子科大副校長楊曉波分別代表雙方在協(xié)議上
-
東麗道康寧開發(fā)出耐熱性及加工性的功率半導(dǎo)體用封裝材料
東麗道康寧面向SiC等新一代功率半導(dǎo)體，開發(fā)出了兼顧耐熱性及加工性的新型硅類封裝材料。特點(diǎn)是可在250℃條件下連續(xù)使用，而且加工性較高。比如，SiC功率半導(dǎo)體元件（功率元件）可在硅功率元件所限定的200℃以上的高
-
昭和電工量產(chǎn)表面平滑性出色的功率半導(dǎo)體用SiC外延晶圓
昭和電工宣布，成功量產(chǎn)了表面平滑性達(dá)到全球最高水平的直徑4英寸SiC（碳化硅）外延晶圓（EpitaxialWafer）。該晶圓的平滑性為0.4nm，較原產(chǎn)品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實(shí)現(xiàn)單晶Si
-
昭和電工量產(chǎn)表面平滑性出色的功率半導(dǎo)體用SiC外延晶圓
昭和電工宣布，成功量產(chǎn)了表面平滑性達(dá)到全球最高水平的直徑4英寸SiC（碳化硅）外延晶圓（Epitaxial Wafer）。該晶圓的平滑性為0.4nm，較原產(chǎn)品的1.0～2.5nm最大提高至近6倍。 SiC外延晶圓是在SiC底板表面上實(shí)現(xiàn)
-
全新功率半導(dǎo)體技術(shù)助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能
世界各地計(jì)算機(jī)數(shù)量眾多，耗能量也相當(dāng)龐大，而支撐互聯(lián)網(wǎng)運(yùn)作的數(shù)據(jù)中心就是一大耗能實(shí)例。在一個(gè)典型的數(shù)據(jù)中心設(shè)施中，其實(shí)只有不到一半的功耗是用在計(jì)算功能上的。所以數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商千方百計(jì)尋找機(jī)會(huì)來提高功率轉(zhuǎn)換效率和分配效率，例如通過高壓直流源的分配來減小轉(zhuǎn)換級(jí)的數(shù)目。
-
全新功率半導(dǎo)體技術(shù)助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能
世界各地計(jì)算機(jī)數(shù)量眾多，耗能量也相當(dāng)龐大，而支撐互聯(lián)網(wǎng)運(yùn)作的數(shù)據(jù)中心就是一大耗能實(shí)例。在一個(gè)典型的數(shù)據(jù)中心設(shè)施中，其實(shí)只有不到一半的功耗是用在計(jì)算功能上的。所以數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商千方百計(jì)尋找機(jī)會(huì)來提高功率轉(zhuǎn)換效率和分配效率，例如通過高壓直流源的分配來減小轉(zhuǎn)換級(jí)的數(shù)目。
-
全新功率半導(dǎo)體技術(shù)助力數(shù)據(jù)中心節(jié)能
世界各地計(jì)算機(jī)數(shù)量眾多，耗能量也相當(dāng)龐大，而支撐互聯(lián)網(wǎng)運(yùn)作的數(shù)據(jù)中心就是一大耗能實(shí)例。在一個(gè)典型的數(shù)據(jù)中心設(shè)施中，其實(shí)只有不到一半的功耗是用在計(jì)算功能上的。所以數(shù)據(jù)中心運(yùn)營商千方百計(jì)尋找機(jī)會(huì)來提高功率轉(zhuǎn)換效率和分配效率，例如通過高壓直流源的分配來減小轉(zhuǎn)換級(jí)的數(shù)目。
-
功率半導(dǎo)體充當(dāng)節(jié)能先鋒 中國企業(yè)加快步伐
過去，人們常把集成電路比作電子系統(tǒng)的大腦，而把功率半導(dǎo)體器件比作四肢，因?yàn)榧呻娐返淖饔檬墙邮芎吞幚硇畔?，而功率器件則根據(jù)這些信息指令產(chǎn)生控制功率，去驅(qū)動(dòng)相關(guān)電機(jī)進(jìn)行所需的工作。如今，新型功率半導(dǎo)體器
-
中國南車建成最大的大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地
新聞事件： 中國南車建成最大的大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地事件影響： 國內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地在中國南車正式投產(chǎn)9月8日，隨著第一批高壓大功率晶閘管正式投片，國內(nèi)最大的大功率半導(dǎo)體器件研發(fā)
-
中國最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地湖南投產(chǎn)
中國最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地今日在湖南株洲正式投產(chǎn)。這將改變國內(nèi)高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場一直被國外壟斷的局面，加速國產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程?！ 〈蟪叽绻β拾雽?dǎo)體器件是變流器的
-
中國最大大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地在湖南株洲投產(chǎn)
中國最大的大尺寸功率半導(dǎo)體器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地近日在湖南株洲正式投產(chǎn)。長期以來，高端半導(dǎo)體器件技術(shù)和市場一直被國外壟斷，該基地的投產(chǎn)運(yùn)行將加速推動(dòng)國產(chǎn)化大功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。大尺寸功率半導(dǎo)體器件
-
功率電子市場英飛凌穩(wěn)坐全球第一寶座
英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場》報(bào)告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至13
- 得捷芯聞解碼研習(xí)站第一期：探索能源采集芯片的奧義
- 了解華邦優(yōu)質(zhì)技術(shù)資源， 闖三關(guān)，驗(yàn)證您的內(nèi)存/存儲(chǔ)達(dá)人身份
- ST超低功耗MCU來襲，挑戰(zhàn)趣味游戲，見證STM32U3的電池增壽能力
- PI邀您探索神秘節(jié)能空間，點(diǎn)亮你的專屬“智慧客廳”
- 基恩士新型顯微系統(tǒng)產(chǎn)品“VHX-X1系列”來襲，填寫有獎(jiǎng)問卷
- STM32C0系列MCU新品來襲，更高性能+更低成本，你值得擁有
- 挑戰(zhàn)趣味測試，驗(yàn)證您是存儲(chǔ)達(dá)人還是內(nèi)存大神
