制程技術(shù)

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軟性顯示出運(yùn)啦！工研院熬出頭并非僥幸！

在TFT-LCD液晶顯示時(shí)代，臺(tái)灣沒有太多技術(shù)上和專利上的主導(dǎo)權(quán)。不過在邁向軟性電子和顯示技術(shù)的新世代，臺(tái)灣有很多契機(jī)可以掌握。特別是工研院，目前在軟性電子和顯示材料與制程技術(shù)上，正不斷日新月異，扮演著

顯示光電
2011-03-09

顯示技術(shù) 基板 AMOLED 制程技術(shù)
Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步

在最近召開的SPIE高級(jí)光刻技術(shù)會(huì)議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動(dòng)向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批量生產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)

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2011-03-03

Intel 光刻技術(shù) EUV 制程技術(shù)
Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步

在最近召開的SPIE高級(jí)光刻技術(shù)會(huì)議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動(dòng)向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批量生產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看

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2011-03-02

Intel 光刻技術(shù) EUV 制程技術(shù)
Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步

在最近召開的SPIE高級(jí)光刻技術(shù)會(huì)議上，記者了解到了更多有關(guān)Intel與EUV光刻技術(shù)方面的新動(dòng)向，據(jù)了解，Intel將EUV光刻技術(shù)應(yīng)用到大批量生產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)將會(huì)遲于Intel推出14nm制程產(chǎn)品的時(shí)間點(diǎn)，而且按現(xiàn)在的發(fā)展趨勢(shì)來(lái)

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2011-03-02

Intel 光刻技術(shù) EUV 制程技術(shù)
熱門股－聯(lián)電產(chǎn)能吃緊淡季不淡

聯(lián)電（2303）公布元月營(yíng)收95.3億元，較去年12月的101.78億元減少6.4％，聯(lián)電第1季仍在進(jìn)行產(chǎn)品組合及制程技術(shù)調(diào)整，因此1月份晶圓出貨量略較去年12月下滑，加上新臺(tái)幣匯率升值，因此元月營(yíng)收出現(xiàn)下滑，但仍符合市場(chǎng)預(yù)

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2011-02-24

晶圓聯(lián)電制程技術(shù)
爾必達(dá)擬在臺(tái)發(fā)行TDR　籌措新臺(tái)幣43.2億元

彭博信息(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)指出，全球第3大DRAM業(yè)者爾必達(dá)(Elpida)計(jì)劃來(lái)臺(tái)發(fā)行臺(tái)灣存托憑證(TDR)，募資約123億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣43.2億元)，作為次世代DRAM制程所需的研發(fā)資金之用，而爾必達(dá)亦將成為首家來(lái)臺(tái)發(fā)行TDR的日本

半導(dǎo)體
2011-02-17

DRAM 爾必達(dá) PID 制程技術(shù)
張忠謀領(lǐng)臺(tái)積電追擊英特爾

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀2009年回鍋重掌兵符，不到三年，全新改造后的臺(tái)積電，股票市值超越2兆元大關(guān);在規(guī)模上，臺(tái)積電成為為全球半導(dǎo)體三強(qiáng)之一，僅次于英特爾與三星;在技術(shù)上更追過英特爾?，F(xiàn)在的臺(tái)積電，不再只是亞洲的

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-02-16

英特爾平板電腦臺(tái)積電制程技術(shù)
CSR與臺(tái)積共同宣布擴(kuò)大雙方合作關(guān)系

CSR與臺(tái)積公司近日共同宣布，擴(kuò)大雙方合作關(guān)系，CSR已采用臺(tái)積公司先進(jìn)的90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)、矽智財(cái)與射頻CMOS制程推出新一代的無(wú)線產(chǎn)品。此一先進(jìn)90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)與矽智財(cái)?shù)乃俣葘⒈壬?/p>
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2011-02-16

嵌入式 CSR 射頻CMOS 制程技術(shù)
張忠謀領(lǐng)臺(tái)積電挑戰(zhàn)Intel龍頭

臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀2009年回鍋重掌兵符，不到三年，全新改造后的臺(tái)積電，股票市值超越2兆元大關(guān)；在規(guī)模上，臺(tái)積電成為為全球半導(dǎo)體三強(qiáng)之一，僅次于英特爾與三星；在技術(shù)上更追過英特爾?，F(xiàn)在的臺(tái)積電，不再只是亞洲

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2011-02-15

Intel 英特爾臺(tái)積電制程技術(shù)
臺(tái)積電18寸晶圓廠投資啟動(dòng)

臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(2011)年資本支出將達(dá)78億美元，年增31.4%，主要以提高研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)力為主，公司也在年關(guān)過后宣布，啟動(dòng)18寸晶圓廠投資計(jì)劃，預(yù)計(jì)于2013年導(dǎo)入試產(chǎn)線，2015年以20奈米開始量產(chǎn)。由于先進(jìn)制程客

消費(fèi)電子
2011-02-14

臺(tái)積電晶圓廠 CSR 制程技術(shù)
臺(tái)積電18寸晶圓廠投資啟動(dòng) 2015年20納米量產(chǎn)

臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US) 2011年資本支出將達(dá)78億美元，年增31.4%，主要以提高研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)力為主，公司也在年關(guān)過后宣布，啟動(dòng)18寸晶圓廠投資計(jì)劃，預(yù)計(jì)于2013年導(dǎo)入試產(chǎn)線，2015年以20納米開始量產(chǎn)。由于先進(jìn)制程客戶需

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2011-02-14

臺(tái)積電晶圓廠 CSR 制程技術(shù)
CSR無(wú)線音訊平臺(tái)CSR8600采用臺(tái)積90nm制程

CSR與臺(tái)積電(TSMC)日前宣布雙方擴(kuò)大合作，CSR已采用臺(tái)積電先進(jìn)的90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)、矽智財(cái)與射頻 CMOS 制程，推出新一代無(wú)線音訊平臺(tái) CSR8600 。此一先進(jìn)90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)與矽智財(cái)?shù)乃俣?/p>
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2011-02-14

無(wú)線臺(tái)積電 CSR8600 制程技術(shù)
爾必達(dá)擬在臺(tái)發(fā)行TDR

彭博信息(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)指出，全球第3大DRAM業(yè)者爾必達(dá)(Elpida)計(jì)劃來(lái)臺(tái)發(fā)行臺(tái)灣存托憑證(TDR)，募資約123億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣43.2億元)，作為次世代DRAM制程所需的研發(fā)資金之用，而爾必達(dá)亦將成為首家來(lái)臺(tái)發(fā)行TDR的日本

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-02-13

DRAM 爾必達(dá) PID 制程技術(shù)
臺(tái)積電18寸晶圓廠投資啟動(dòng) 2015年20奈米量產(chǎn)

臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(2011)年資本支出將達(dá)78億美元，年增31.4%，主要以提高研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)力為主，公司也在年關(guān)過后宣布，啟動(dòng)18寸晶圓廠投資計(jì)劃，預(yù)計(jì)于2013年導(dǎo)入試產(chǎn)線，2015年以20奈米開始量產(chǎn)。由于先進(jìn)制程客

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2011-02-12

臺(tái)積電晶圓廠 CSR 制程技術(shù)
臺(tái)積電18寸晶圓廠投資啟動(dòng) 2015年20奈米量產(chǎn)

臺(tái)積電(2330-TW)(TSM-US)今(2011)年資本支出將達(dá)78億美元，年增31.4%，主要以提高研發(fā)競(jìng)爭(zhēng)力為主，公司也在年關(guān)過后宣布，啟動(dòng)18寸晶圓廠投資計(jì)劃，預(yù)計(jì)于2013年導(dǎo)入試產(chǎn)線，2015年以20奈米開始量產(chǎn)。由于先進(jìn)制程客

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2011-02-11

臺(tái)積電晶圓廠 CSR 制程技術(shù)
臺(tái)積電與CSR擴(kuò)大合作，推新一代無(wú)線產(chǎn)品

臺(tái)積電(2330)宣布，與無(wú)線連接、定位與音訊平臺(tái)領(lǐng)導(dǎo)廠商CSR(LSE: CSR)擴(kuò)大雙方合作關(guān)系，CSR已采用臺(tái)積公司先進(jìn)的90奈米嵌入式快閃記憶體制程技術(shù)、矽智財(cái)與射頻CMOS制程推出新一代的無(wú)線產(chǎn)品。臺(tái)積電表示，此一

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2011-02-11

無(wú)線產(chǎn)品臺(tái)積電 CSR 制程技術(shù)
聯(lián)電下半年 40/45奈米比重達(dá)1成

聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉看好今年40/45奈米制程技術(shù)業(yè)績(jī)可望逐季攀高，預(yù)期下半年?duì)I收比重可望達(dá)1成水準(zhǔn)。聯(lián)電今年資本支出將約18億美元，40奈米將是擴(kuò)充重點(diǎn)。晶圓代工廠聯(lián)電今天召開法人說(shuō)明會(huì)，孫世偉表示，去年聯(lián)電65奈

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2011-01-26

晶片先進(jìn)制程聯(lián)電制程技術(shù)
風(fēng)險(xiǎn)大于收益 22nm技術(shù)吃力而不討好

從某些方面上看，22nm節(jié)點(diǎn)制程也許并不算是什么技術(shù)上的突破，相反，在人們的眼中這可能是一種吃力而不討好的活兒。從高端角度上看，向22nm節(jié)點(diǎn)制程轉(zhuǎn)換并不需要對(duì)制程技術(shù)進(jìn)行什么翻天復(fù)地的大變革，而且實(shí)現(xiàn)這種制

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2011-01-21

芯片廠商節(jié)點(diǎn) 制程技術(shù)
22nm節(jié)點(diǎn)制程=斷手取玉？

作者：法國(guó)Alchimer公司CEO Steve Lerner，Alchimer公司是用于三維硅通孔（TSV）、半導(dǎo)體互連和其他電子應(yīng)用的納米沉積技術(shù)提供商。從某些方面上看，22nm節(jié)點(diǎn)制程也許并不算是什么技術(shù)上的突破，相反，在人們的眼中這

半導(dǎo)體
2011-01-18

芯片廠商節(jié)點(diǎn) 制程技術(shù)
22nm節(jié)點(diǎn)制程帶來(lái)的思索

從某些方面上看，22nm節(jié)點(diǎn)制程也許并不算是什么技術(shù)上的突破，相反，在人們的眼中這可能是一種吃力而不討好的活兒。從高端角度上看，向22nm節(jié)點(diǎn)制程轉(zhuǎn)換并不需要對(duì)制程技術(shù)進(jìn)行什么翻天復(fù)地的大變革，而且實(shí)現(xiàn)這種制

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2011-01-18

芯片廠商節(jié)點(diǎn) 制程技術(shù)

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制程技術(shù)

軟性顯示出運(yùn)啦！工研院熬出頭并非僥幸！

Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步

Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步

Intel：EUV技術(shù)的發(fā)展可能趕不上我們部署10nm制程技術(shù)的腳步

熱門股－聯(lián)電產(chǎn)能吃緊淡季不淡

爾必達(dá)擬在臺(tái)發(fā)行TDR　籌措新臺(tái)幣43.2億元

張忠謀領(lǐng)臺(tái)積電追擊英特爾

CSR與臺(tái)積共同宣布擴(kuò)大雙方合作關(guān)系

張忠謀領(lǐng)臺(tái)積電挑戰(zhàn)Intel龍頭

臺(tái)積電18寸晶圓廠投資啟動(dòng)

臺(tái)積電18寸晶圓廠投資啟動(dòng) 2015年20納米量產(chǎn)

CSR無(wú)線音訊平臺(tái)CSR8600采用臺(tái)積90nm制程

爾必達(dá)擬在臺(tái)發(fā)行TDR

臺(tái)積電18寸晶圓廠投資啟動(dòng) 2015年20奈米量產(chǎn)

臺(tái)積電18寸晶圓廠投資啟動(dòng) 2015年20奈米量產(chǎn)

臺(tái)積電與CSR擴(kuò)大合作，推新一代無(wú)線產(chǎn)品

聯(lián)電下半年 40/45奈米比重達(dá)1成

風(fēng)險(xiǎn)大于收益 22nm技術(shù)吃力而不討好

22nm節(jié)點(diǎn)制程=斷手取玉？

22nm節(jié)點(diǎn)制程帶來(lái)的思索

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