Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進(jìn)一步強(qiáng)化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位?，F(xiàn)在，所有需要無(wú)電數(shù)據(jù)保持以及SRAM性能的應(yīng)用都可使用具有非揮發(fā)性、高性能、以及高可靠性優(yōu)勢(shì)的MRAM技術(shù)。

Everspin科技公司首席運(yùn)營(yíng)官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續(xù)快速擴(kuò)展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標(biāo)。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍(lán)圖，我們將不斷提高M(jìn)RAM產(chǎn)品的容量，并以極具成本效益的方式保持MRAM的獨(dú)有特性。”

MR4A16B 是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無(wú)限制的讀/寫(xiě)循環(huán)。在每次寫(xiě)入后，資料能持續(xù)保存超過(guò)20年。此外，與其它存儲(chǔ)器不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產(chǎn)生的軟錯(cuò)誤率(SER, soft error rate)。這款16Mb MRAM由位寬為16的1,048,576個(gè)字組成。引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR4A16B目標(biāo)應(yīng)用為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)儲(chǔ)存、多功能打印機(jī)、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設(shè)計(jì)的系統(tǒng)。

MR4A16B提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產(chǎn)品和其它非揮發(fā)RAM產(chǎn)品兼容。

新款16Mb MRAM系列包括商業(yè)級(jí)(0°C至+70 °C)和工業(yè)級(jí)(-40°C至+85 °C)兩種溫度范圍?，F(xiàn)已可提供樣品，并預(yù)計(jì)于2010年7月開(kāi)始量產(chǎn)。