Ramtron International Corporation推出業(yè)界首款2兆位 (Mb) 串行F-RAM存儲器，采用8腳TDFN (5.0 x 6.0 mm) 封裝。FM25H20 采用先進的130納米 (nm) CMOS工藝生產(chǎn)，是高密度的非易失性F-RAM存儲器，以低功耗操作，并備有高速串行外設(shè)接口 (SPI)。該3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的總線速度寫入，具有幾乎無限的耐用性，通過微型封裝提供更大的數(shù)據(jù)采集能力，使系統(tǒng)設(shè)計人員能夠在計量和打印機等高級應(yīng)用中減少成本和板卡空間。

FM25H20是串行閃存的理想替代產(chǎn)品，用于要求低功耗和最小板卡空間的精密電子系統(tǒng)中，包括便攜式醫(yī)療設(shè)備如助聽器等，它們實際上是微型數(shù)據(jù)處理器，但受到空間有限及功耗低的限制。與閃存相比，F(xiàn)-RAM的優(yōu)勢包括大幅降低工作電流、寫入速度更快、寫入耐用性更比閃存高出多個數(shù)量級。

FM25H20是256K x 8位非易失性存儲器，以高達40MHz的總線速度進行讀寫操作，具有幾乎無限的耐用性、10年的數(shù)據(jù)保存能力，以及低工作電流。該器件設(shè)有工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SPI接口，優(yōu)化了F-RAM的高速寫入能力。FM25H20還備有軟件和硬件寫保護功能，能避免意外的寫入與數(shù)據(jù)損壞。

該2Mb串行F-RAM以低功耗工作，在40MHz下讀/寫操作的耗電低于10mA，待機狀態(tài)下耗電為80µA (典型值)，超低電流睡眠模式下耗電為3µA (典型值)。FM25H20與同等串行閃存器件接腳兼容，并且具備快速存取、高耐用性和低工作電流等特性，比較閃存更為優(yōu)勝。該器件在整個工業(yè)溫度范圍內(nèi) (-40℃ 至+85℃) 于2.7至3.6V電壓下工作。

FM25H20以德州儀器公認(rèn)的130納米 (nm) CMOS制造工藝為基礎(chǔ)。在標(biāo)準(zhǔn)CMOS 130 nm邏輯工藝內(nèi)嵌入非易失性F-RAM模塊，僅使用了兩個額外的掩模步驟。

FM25H20現(xiàn)提供樣品，并采用符合RoHS要求的8腳TDFN封裝，與8腳SOIC封裝器件占位面積兼容。