ROHM集團旗下的LAPIS Semiconductor，作為高可靠性 DRAM系列產品，新開發(fā)出搭載輸出驅動能力調節(jié)功能的128M bit SDRAM“MD56V72160C”/256M bit SDRAM“MD56V82160A”。本LSI搭載了4級輸出驅動能力調節(jié)功能，可根據用戶系統調節(jié)電流驅動能力，降低輻射噪聲，從而可減少噪聲對策零部件與阻尼電阻元件的數量。另外，引線框架采用焊接連接可靠性更高的銅(Cu)框架，因此，還非常適用于車載設備等要求高可靠性的用途。本產品的樣品已經在售，計劃從2014年3月份開始以月產100萬個的規(guī)模開始量產銷售。

背景

在中小容量SDRAM的用途之一車載設備系統中，工作時發(fā)生的輻射噪聲會對高頻段等產生影響，因此，對于提升系統品質來說，降低輻射噪聲成為重要課題。LAPIS Semiconductor著眼于該課題，為降低SDRAM工作時產生的輻射噪聲，改善阻抗匹配的讀取數據輸出波形的特性，早在以往產品16M bit /64M bit SDRAM上就開始搭載按3級改變讀取數據輸出時的電流驅動能力的輸出驅動能力調節(jié)功能。該功能在車載領域獲得極高好評，為擴大在需要更大容量SDRAM的用途中的應用范圍，LAPIS Semiconductor開發(fā)了128M bit 、256M bit SDRAM。

另外，DRAM的主流產品逐漸向大容量、高速化的DDR2/DDR3-SDRAM發(fā)展，中小容量SDRAM的供應越來越不穩(wěn)定。LAPIS Semiconductor將中小容量的SDRAM定位為傳統DRAM注1，作為唯一可長期供貨的日本國內制造商，不僅面向車載用途市場，而且面向更廣闊的工業(yè)設備市場，正在不斷完善產品的產品陣容。

新產品詳情

1.搭載輸出驅動能力調節(jié)功能

為降低SDRAM工作時產生的輻射噪聲，改善阻抗匹配的讀取數據輸出波形的特性，

搭載變更讀取數據輸出時的電流驅動能力的輸出驅動能力調節(jié)功能。通過擴展模式寄存器

配置可設定4級驅動能力。

本功能有助于實現適合用戶系統的電流驅動能力優(yōu)化、降低輻射噪聲、減少輻射噪聲對策

零部件數量。另外，可按出貨時固定規(guī)格的驅動能力設定供貨，即使使用已有的SDRAM

控制器無需配置擴展模式寄存器，即可使用最佳的輸出驅動能力設定的產品。

2.采用銅引線框架

為滿足車載設備領域的與PCB板之間的高可靠性焊接連接性的要求，本產品采用連接可靠

性優(yōu)異的銅(Cu)引線框架。與以往的42合金引線框架相比，其與PCB板的熱膨脹系數更

相近，因此，提高了焊接連接可靠性，滿足了汽車廠家要求的PCB板貼裝狀態(tài)下的熱膨脹

循環(huán)標準。另外，還同時抑制了錫晶須不良的發(fā)生。

3.滿足車載品質

為實現高品質，支持定制符合客戶要求品質的測試工序。

4.芯片銷售遵循KGD(Known Good Die)保證

從晶圓級保證與封裝產品同等的品質，通過與客戶的使用方法相匹配的測試工序，提供高

品質的芯片產品。

LAPIS Semiconductor今后也會以不斷推出客戶放心使用的高可靠性SDRAM產品并長期穩(wěn)定供應為目標，進一步推出256M bit DDR1、512M bit DDR2，不斷擴充傳統DRAM注1產品的陣容。

銷售計劃

・產品名 ：MD56V72160C / MD56V82160A

・包裝形態(tài) ：托盤1080個

・樣品出售時間 ：樣品出售中

・樣品價格(參考)：MD56V72160C 　360日元(不含稅)

MD56V82160A 　520日元(不含稅)

・量產出售計劃 ：2014年3月開始

產品概要/特點

・規(guī)格：滿足JEDEC標準規(guī)格

・存儲器結構 ：4 BANK×2,097,152 WORD×16 BIT (MD56V72160C)

4 BANK×4,194,304 WORD×16 BIT (MD56V82160A)

・地址大小 ：4,096行 × 512列(MD56V72160C)

8,192行 × 512列(MD56V82160A)

・工作頻率 ：166MHz(max.)

・接口 ：LVTTL兼容

・功能 ：通用SDRAM指令接口

・電源電壓 ：3.3V±0.3V

・工作溫度范圍 ：0℃ ～ +70℃ / -40℃ ～ +85℃

・刷新 ：自動刷新時　4,096次/64msec(MD56V72160C)

8,192次/64msec(MD56V82160A)

自刷新

・消耗電流(Typ.) ：工作時(166MHz) 100mA (MD56V72160C)

150mA (MD56V82160A)

待機時(動態(tài)待機時) 50mA (MD56V72160C)

65mA (MD56V82160A)

關機時 3mA

・封裝 ：54Pin TSOP

銅引線框架、滿足RoHS指令、無鉛、無鹵

術語解說

注1　傳統DRAM

DRAM市場隨著電腦和手機的高性能化發(fā)展，主流產品逐漸轉變?yōu)榇笕萘?、高速DRAM，中小容量DRAM的供應廠家日益減少。然而，消費電子設備和車載設備等產品中，從噪聲設計角度等出發(fā)，適用中小容量、中速DRAM的應用大量存在。另外，通信設備和工業(yè)設備等生命周期較長的產品中，從控制器變更等設計變更較難或想控制設計變更費用等角度出發(fā)，存在希望繼續(xù)使用中小容量DRAM的需求。LAPIS Semiconductor將這些中小容量DRAM定位為“傳統DRAM”，不斷開發(fā)滿足車載市場和工業(yè)設備市場需求的高可靠性新產品，以進一步擴充傳統DRAM的產品陣容，為客戶提供長期穩(wěn)定供應。