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意法半導體發(fā)布先進的超低功耗STM32微控制器，布局工業(yè)、醫(yī)療、智能表計和消費電子市場
新旗艦產(chǎn)品，超低功耗，物超所值
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高性能 NEMA 電源插座
碩特 NR520R 系列電源插座是 NR010、NR020 與 NR021 型號之外的新版本，代表了性能更強大的 NEMA 電源插座產(chǎn)品陣容。全新的 NR520R 符合 UL 498 與 CSA C22.2 no. 42 標準。
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NVIDIA 推出 Blackwell 架構(gòu) DGX SuperPOD，適用于萬億參數(shù)級的生成式 AI 超級計算
基于先進的 NVIDIA 網(wǎng)絡(luò)、NVIDIA 全棧 AI 軟件和存儲技術(shù)，可將集群中 Grace Blackwell 超級芯片的數(shù)量擴展至數(shù)萬個，通過 NVIDIA NVLink可將多達 576 塊 Blackwell GPU 連成一個整體，由NVIDIA 系統(tǒng)專家加速即時 AI 基礎(chǔ)設(shè)施的部署
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NVIDIA發(fā)布Omniverse Cloud API，為眾多工業(yè)數(shù)字孿生軟件工具提供助力
Ansys、Cadence、Hexagon、微軟、羅克韋爾自動化、西門子、Trimble采用Omniverse技術(shù)幫助客戶設(shè)計、模擬、構(gòu)建和運行符合物理學的數(shù)字孿生
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NVIDIA Blackwell 平臺發(fā)布，賦能計算新時代
美國加利福尼亞州圣何塞 —— GTC —— 太平洋時間 2024 年 3 月 18 日 —— NVIDIA 于今日宣布推出 NVIDIA Blackwell 平臺以賦能計算新時代。該平臺可使世界各地的機構(gòu)都能夠在萬億參數(shù)的大語言模型(LLM)上構(gòu)建和運行實時生成式 AI，其成本和能耗較上一代產(chǎn)品降低多達 25 倍。
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意法半導體發(fā)布先進的高性能無線微控制器，符合即將出臺的網(wǎng)絡(luò)安全保護法規(guī)
高集成度芯片支持多種無線技術(shù)和最新安全標準，充分滿足市場對智能工業(yè)、醫(yī)療設(shè)備和消費電子的要求
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新唐科技推出適用于工業(yè) HMI 應用的 MA35H0 系列微處理器
雙核心 Arm Cortex-A35、圖形加速、高速連接能力，及內(nèi)建硬件安全功能
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Bourns 最新微型可恢復熱熔斷 (TCO) 裝置組件上市 實現(xiàn)更高載流能力，為高能量密度電池提供理想保護解決方案
憑借更高電流能力及迷你尺寸，Bourns? NX 系列完美協(xié)助客戶將產(chǎn)品尺寸縮小，且仍保持較高的過熱保護
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TDK 推出具備模擬和開關(guān)輸出的新型雙芯片抗雜散場 3D 位置傳感器
TDK株式會社(TSE：6762)利用適用于汽車和工業(yè)應用場景的新型雙芯片傳感器 HAR 3920-2100*，進一步擴充了 Micronas 3D HAL? 位置傳感器系列。其設(shè)計旨在滿足在存在干擾雜散場的情況下，對線性位置和角度位置進行高精度測量的需求。根據(jù) ISO 26262 標準開發(fā)的 HAR 3920 符合 ASIL C 級要求，適合集成到最高 ASIL D 級的汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中。此傳感器適用于油門踏板位置或節(jié)流閥位置測量，或非接觸式電位器等應用場景。**計劃于 2024 年 4 月投產(chǎn);樣品現(xiàn)在可應要求提供。
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思特威推出1600萬像素手機圖像傳感器新品SC1620CS
作為1.0μm像素尺寸背照式（BSI）圖像傳感器，此次推出的新品SC1620CS基于思特威SmartClarity?-3技術(shù)打造，搭載思特威先進的小像素尺寸技術(shù)SFCPixel-SL?，集優(yōu)異的高感度、高動態(tài)范圍、低噪聲等性能優(yōu)勢于一身，為智能手機后置主攝、后置超廣角及前攝應用提供優(yōu)質(zhì)影像。
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補貼價198元！米爾Remi Pi到貨，再添面向工業(yè)產(chǎn)品的軟件系統(tǒng)
米爾電子發(fā)布的瑞薩第一款MPU生態(tài)板卡——瑞米派（Remi Pi）自上市當天200套售罄，獲得不少新老用戶的青睞。為感謝大家的支持，米爾加推300套瑞米派活動，以補貼價198元回饋大家，搶完即止！
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康佳特推出aReady.COM新產(chǎn)品家族—aReady. 戰(zhàn)略的第一個關(guān)鍵階段
目標: 為計算機模塊配備開發(fā)人員所需的一切
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新思科技推出業(yè)界首個1.6T以太網(wǎng)IP整體解決方案，滿足AI和超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心芯片的高帶寬需求
該解決方案采用全新 1.6T 以太網(wǎng)控制器 IP、經(jīng)過硅驗證的224G PHY IP和驗證IP，助力未來基礎(chǔ)設(shè)施的升級建設(shè)
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英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展
【2024年3月14日，德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以滿足工業(yè)和汽車功率應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產(chǎn)品系列包含工業(yè)級和車規(guī)級SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋（DAB）、HERIC、降壓/升壓和移相全橋（PSFB）拓撲結(jié)構(gòu)進行了優(yōu)化。這些MOSFET適用于典型的工業(yè)應用（包括電動汽車充電、工業(yè)驅(qū)動器、太陽能和儲能系統(tǒng)、固態(tài)斷路器、UPS系統(tǒng)、服務器/數(shù)據(jù)中心、電信等）和汽車領(lǐng)域（包括車載充電器（OBC）、直流-直流轉(zhuǎn)換器等）。
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Vishay的新款80V對稱雙通道MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內(nèi)先進水平，可顯著提高功率密度、能效和熱性能
節(jié)省空間型器件所需PCB空間比PowerPAIR 1212封裝分立器件減少50%，有助于減少元器件數(shù)量并簡化設(shè)計。
- 深圳嵌入式展即將來襲
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- 東芝子站招募體驗官，參與領(lǐng)打賞
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