為促進(jìn)NAND閃存芯片的生產(chǎn)，三星電子日前啟動(dòng)了芯片項(xiàng)目二期第二階段的投資。

據(jù)悉，位于中國(guó)陜西西安高新綜合保稅區(qū)的二期項(xiàng)目總投資為150億美元，主要制造閃存芯片。其中，第一階段投資約為70億美元，將于2020年3月竣工投產(chǎn)；第二階段投資約為80億美元，將于2021年下半年竣工。預(yù)計(jì)二期項(xiàng)目建成后，三星電子閃存芯片項(xiàng)目每月產(chǎn)能將新增13萬(wàn)片、產(chǎn)值將新增300億元。