2015年，前五大供應(yīng)商占市場(chǎng)份額的76.8%，前十大供應(yīng)商占據(jù)了93.6%的市場(chǎng)份額，市場(chǎng)集中度高。值得注意的是，十大廠商中多數(shù)為美國和日本企業(yè)，國內(nèi)廠商在這塊差距仍然較大。從半導(dǎo)體主要制造設(shè)備看來，光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、化學(xué)氣相沉積(CVD)市場(chǎng)都為國外廠商占據(jù)。同時(shí)，也說明中國半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)存在巨大替代空間，且由于需求驅(qū)動(dòng)，主要設(shè)備后續(xù)需求有望持續(xù)，維持良好增長勢(shì)頭。

國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備替代空間廣闊

當(dāng)前大陸半導(dǎo)體設(shè)備和材料的需求大幅增長，大陸半導(dǎo)體進(jìn)入生產(chǎn)線密集建設(shè)期，目前在建或計(jì)劃建設(shè)的半導(dǎo)體晶圓投資項(xiàng)目總額已達(dá)800億美元，將需求約600億美元的設(shè)備，而材料的需求也隨之增加。預(yù)計(jì)2020年，大陸半導(dǎo)體設(shè)備和材料年需求規(guī)模將超過200億美元。

在需求上行的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)晶圓設(shè)備市場(chǎng)有望開始恢復(fù)成長趨勢(shì)，設(shè)備產(chǎn)能利用率也有望逐步回升，前期的高庫存也將有望顯著降低。此外，在國家半導(dǎo)體扶持政策推動(dòng)下，國內(nèi)有望實(shí)現(xiàn)爆發(fā)式增長。近幾年國內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備和材料產(chǎn)業(yè)已取得長足進(jìn)步，逐步實(shí)現(xiàn)從低端向高端替代。刻蝕機(jī)、PVD、先進(jìn)封裝光刻機(jī)等設(shè)備，靶材、電鍍液等材料，不僅滿足國內(nèi)市場(chǎng)的需求，還獲得國際一流客戶的認(rèn)可，遠(yuǎn)銷海外市場(chǎng)。半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國產(chǎn)化程度不斷提升，龍頭企業(yè)受益半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大機(jī)遇。

繼三星發(fā)布了UFS 2.0高速儲(chǔ)存卡之后，美光日前發(fā)布了全球首個(gè)手機(jī)3D閃存。閃存科技快速發(fā)展折射出當(dāng)前對(duì)于高科技芯片的廣闊需求。今年以來，由于下游需求旺盛，半導(dǎo)體設(shè)備訂單密集增加。當(dāng)前半導(dǎo)體設(shè)備和材料的國產(chǎn)化程度不斷提升，龍頭企業(yè)受益半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展大機(jī)遇，值得投資者關(guān)注。

美光發(fā)布手機(jī)3D閃存

日前，在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上，美光公布了首款3D NAND閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲(chǔ)存空間。據(jù)報(bào)道，這款3D閃存芯片與傳統(tǒng)的2D NAND水平排布儲(chǔ)存單元不同，3D NAND使用垂直的方式排布儲(chǔ)存單元，這種排布方式不但可以增加閃存的容量，又能讓芯片與處理器通訊變快。單個(gè)容量為32GB，采用全新UFS 2.1標(biāo)準(zhǔn)，讀取速度達(dá)到1.5GB/s，寫入接近500MB/s，是目前UFS2.0的2倍。未來中高端手機(jī)上將會(huì)采用這種3D閃存芯片，對(duì)手機(jī)市場(chǎng)來說又是一波新的換機(jī)潮，畢竟誰都想要速度更快，儲(chǔ)存容量更大的手機(jī)。

其實(shí)閃存科技快速發(fā)展折射出當(dāng)前對(duì)于高科技芯片的廣闊需求，這也是今年半導(dǎo)體市場(chǎng)的縮影。今年以來，由于下游需求旺盛，半導(dǎo)體設(shè)備訂單密集增加，預(yù)計(jì)全年將取得出色成績。另外，半導(dǎo)體設(shè)備主要集中在制造和封測(cè)端，晶圓制造設(shè)備依舊是半導(dǎo)體設(shè)備中占絕對(duì)地位的設(shè)備，在2015年晶圓制造設(shè)備銷售額達(dá)到約286.7億美元，占比達(dá)到78.74%。中國半導(dǎo)體制造設(shè)備增長迅速，目前已經(jīng)達(dá)到全球增速最快的市場(chǎng)，且下游需求良好，前景可期。