轉自臺灣經濟日報的消息，SanDisk 加入 TLC 陣營，推出 8GB 以及 16GB 智能手機用的快閃記憶體。

中國的智能手機市場擁有相當大的市場，近期在低價智能手機方面，有著相當多的需求，這次 SanDisk 發(fā)表的 iNAND 標準快閃記憶體（embedded flash drive, EFD）則是針對這樣的市場而退出。

1Y nm 制程，也就是 10nm 世代的 3-bit-per-cell（X3）NAND Flash，就是我們一般稱為 TLD 的顆粒。

雖然這款產品以價格作為導向，但其對應到 e.MMC 4.51＋HS2.00 模式。在讀寫表現方面，其順序讀寫速度為 100MB/s 以及 7.5MB/s，另外隨機讀寫表現則是 3000/200 IOPS。

這款 iNAND 標準的快閃記憶體已經開始在平板電腦上采用，至于智能手機部分，則需要等到 2014 下半年才會見到。

預期 SanDisk 將會在 Computex 2014 中正式宣布這款鎖定中低階行動通訊裝飾的 iNAND 標準快閃記憶體。