據(jù)悉,臺積電的20nm工藝內(nèi)部代號為“CLN20SOC”,具備極高的晶體管集成度,非常適合高性能SoC單芯片(看代號的最后三個字母)。它使用了高K金屬柵極電介質(zhì),芯片可以達到很高的頻率,同時能夠很好地控制漏電率。
此外,臺積電16納米FinFET(鰭式場效電晶)制程,也正準備為客戶進行產(chǎn)品設(shè)計定案(tape-out),估計明年第1季即可無縫接軌量產(chǎn)。臺積電共同執(zhí)行長劉德音預(yù)期,臺積電在10納米制程,晶體管密度就會與英特爾相近。
而從五月份開始,臺積電Fab 15工廠的三期、四期也會加入20nm行列。臺積電方面預(yù)計,20nm將在今年為其貢獻10%左右的收入,其中第四季度能達到20%。
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