隨著DRAM市場結(jié)構(gòu)面改善，全球第三季存儲器產(chǎn)值93億美元，比第二季續(xù)攀升9%，龍頭三星成長逾二成最亮眼。DRAM產(chǎn)業(yè)走入三強寡占型態(tài)，三星、海力士、美光第三季業(yè)績持續(xù)成長。

根據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，雖然第三季存儲器價格漲幅不若上半年凌厲，但受惠于DRAM整體結(jié)構(gòu)面的大幅改善，第三季全球DRAM總營收仍有9%的季成長，更持續(xù)推升DRAM供應(yīng)商的獲利能力；主要三大DRAM廠營業(yè)利益(operating margin)季增長約達2%，其中差異點主要取決標(biāo)準(zhǔn)型存儲器的產(chǎn)出多寡。

TrendForce研究協(xié)理吳雅婷表示，以兩大韓系廠商為例，由于第三季標(biāo)準(zhǔn)型存儲器漲幅高于行動式存儲器，SK海力士標(biāo)準(zhǔn)型存儲器產(chǎn)出比重較大下，其營業(yè)利益來到34%，且連續(xù)兩個季度超過三星半導(dǎo)體。原本預(yù)估下半年DRAM價格走勢將受到需求疲弱沖擊，卻因九月初SK海力士無錫大火影響讓平均銷售單價(average selling price)持續(xù)上漲，2013年DRAM總營收可望較去年大幅成長四成，產(chǎn)業(yè)中僅存下來的三大巨頭都享受到長久未見的豐碩獲利。

從全球DRAM廠自有品牌存儲器市占比例來觀察，三星半導(dǎo)體與SK海力士半導(dǎo)體各為37%與29%，兩者差距再度拉開，其重點在于三星半導(dǎo)體策略性的提高其標(biāo)準(zhǔn)型存儲器比重，除了想重回該領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位外，覬覦其豐碩獲利亦是主因之一。長遠來看，三星半導(dǎo)體對其內(nèi)部的產(chǎn)能調(diào)配將會更有彈性，除了該自有三星品牌的智能型手機將會向其它供應(yīng)商購買行動式存儲器之外，亦傳出決議在Line16小幅增加DRAM產(chǎn)能，雖然規(guī)模僅約當(dāng)每月3萬片，但對于轉(zhuǎn)進25納米制程所造成的良率損失也能夠產(chǎn)生立竿見影的效果。

SK海力士方面，由于第三季標(biāo)準(zhǔn)型存儲器價格漲幅較上季縮小，相較于前季的40.7%的高成長，第三季成長僅約3.7%。但展望第四季，受到無錫廠大火影響，標(biāo)準(zhǔn)型存儲器產(chǎn)出受到嚴重沖擊，產(chǎn)品組合比重從原先的35%驟減至25%。至今無錫產(chǎn)能回復(fù)狀況仍不明朗下，將是牽動2014年價格走勢最重要的關(guān)鍵因素。

在本次第三季營收市占報告中，TrendForce首度將美光與日商爾必達合并計算，綜合市占為26.2%，新美光集團與SK海力士的差異僅有2%，以月產(chǎn)能來看更已經(jīng)穩(wěn)居產(chǎn)業(yè)第二，寡占市場結(jié)構(gòu)首度在第三季隱約成型。若站在標(biāo)準(zhǔn)型存儲器的角度做觀察，新美光集團的產(chǎn)出比例將占總產(chǎn)業(yè)的三分之一強，對該市場的影響力將大幅增加。

臺系廠部分，南科(2408)由于自第三季停止從華亞科取得晶圓，加上積極轉(zhuǎn)進30納米制程時所造成的產(chǎn)能降低，以及標(biāo)準(zhǔn)型存儲器在南科比重已低，無法從SK海力士無錫廠火災(zāi)直接受惠，讓南科第三季營收小幅下滑8.3%。力晶(5346)則在第三季營收大幅躍進約75%，其原因在于力晶在今年第二季的五月才重新啟動P3廠存儲器代工業(yè)務(wù)，基期較低下讓營收有如此突出的表現(xiàn)，其它如代工費用的調(diào)漲及承接毛利較高的產(chǎn)品代工亦是營收成長主因之一。華邦電(2344)則受到第三季客戶功能型手機出貨逐步降低，導(dǎo)致小容量行動式存儲器銷售不佳，營收小幅下滑5.2%，但隨著九月SK海力士無錫火災(zāi)影響，利基型存儲器價格上漲將對第四季營收有正面助益。

從市場面來觀察，TrendForce認為，隨著九月SK海力士無錫廠大火后，正牽動著市場三強對于第四季甚至2014年的策略規(guī)劃，如三星提升DRAM的投片比重、SK海力士傾全力回復(fù)無錫廠產(chǎn)能，新美光集團將20納米制程列入首要目標(biāo)；雖然DRAM產(chǎn)業(yè)走入寡占型態(tài)，穩(wěn)定價格與獲利是必然的走向，但三強間的競爭仍不會停歇。