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[導(dǎo)讀]據(jù)美國(guó)商業(yè)資訊加州森尼維爾消息,Unity Semiconductor公司是一家為半導(dǎo)體數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)服務(wù)的初創(chuàng)企業(yè),從事非易失性存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和制造。公司今天宣布,完成了2200萬(wàn)美元的C輪融資。 Unity Semico

據(jù)美國(guó)商業(yè)資訊加州森尼維爾消息,Unity Semiconductor公司是一家為半導(dǎo)體數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)服務(wù)的初創(chuàng)企業(yè),從事非易失性存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和制造。公司今天宣布,完成了2200萬(wàn)美元的C輪融資。

 

Unity Semiconductor公司創(chuàng)立于2002年,創(chuàng)始人Darrell Rinerson曾在內(nèi)存領(lǐng)先企業(yè)美光科技有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)和超威半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼:AMD)擔(dān)任高管。Unity Semiconductor公司的目標(biāo)是,面向特定的市場(chǎng),使晶片達(dá)到最小尺寸,并使每比特制造成本降到最低。Unity Semiconductor公司準(zhǔn)備利用多層存儲(chǔ)陣列創(chuàng)新架構(gòu)和一項(xiàng)名為CMOxTM的突破性存儲(chǔ)單元技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)其產(chǎn)品成本目標(biāo)。CMOxTM技術(shù)的原理是,通過(guò)合成某些導(dǎo)電金屬氧化物材料來(lái)實(shí)現(xiàn)離子運(yùn)動(dòng)。

 

2200萬(wàn)美元的C輪融資主要來(lái)自于Unity Semiconductor公司的三大風(fēng)險(xiǎn)投資機(jī)構(gòu)August Capital、Lightspeed Venture Partners和Morgenthaler Ventures,以及之前也曾出資的一家大型硬盤驅(qū)動(dòng)器制造商。最新的這一輪融資使Unity Semiconductor公司獲得的投資總額達(dá)到近7500萬(wàn)美元。

 

Unity Semiconductor公司董事長(zhǎng)、首席執(zhí)行官兼總裁Rinerson先生說(shuō),“最新的這一筆投資顯示,我們經(jīng)驗(yàn)豐富的一流投資團(tuán)對(duì)于我們的專有技術(shù)及其開(kāi)發(fā)進(jìn)度是有信心的?!彼f(shuō),新籌集的資金將用于完成Unity獨(dú)有的下一代非易失性內(nèi)存技術(shù)CMOxTM的開(kāi)發(fā),并把CMOxTM整合到大容量?jī)?nèi)存生產(chǎn)工藝中去。另外,這筆資金還將用于完成其CMOxTM型存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存系列產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。

 

August Capital公司是最早對(duì)Unity公司進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)投資的投資機(jī)構(gòu),其合伙人Andy Rappaport說(shuō),“NAND閃存是目前半導(dǎo)體行業(yè)最大最重要的領(lǐng)域之一。但是,其規(guī)模拓展方面的限制已存在多年。Unity公司所開(kāi)發(fā)的技術(shù)就好比有神奇力量的圣杯,該技術(shù)不僅在各個(gè)主要性能指標(biāo)方面優(yōu)化NAND閃存,而且可以適應(yīng)今后工藝水平的不斷提升。就我的職業(yè)生涯經(jīng)驗(yàn)來(lái)說(shuō),能夠用這樣獨(dú)特的基礎(chǔ)性技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)一個(gè)規(guī)模如此龐大且不斷發(fā)展的市場(chǎng),這樣的半導(dǎo)體初創(chuàng)企業(yè)還是不多見(jiàn)的?!?

 

利用CMOxTM 技術(shù)生產(chǎn)的產(chǎn)品,預(yù)計(jì)其密度是目前的NAND閃存的4倍,寫入速度是NAND閃存的5-10倍。Rinerson說(shuō),“唯有CMOxTM 的單元尺寸才能打敗NAND?!盋MOxTM 實(shí)現(xiàn)了40年來(lái)一直夢(mèng)想的概念,也就是被動(dòng)式可擦寫交*點(diǎn)存儲(chǔ)技術(shù)(passive rewritable cross -point memory technology)和存儲(chǔ)陣列的多物理層技術(shù)。他補(bǔ)充說(shuō),由于CMOxTM應(yīng)用了“新方法和新材料,這些概念變?yōu)榱爽F(xiàn)實(shí),否則是實(shí)現(xiàn)不了的。”不采用這些新概念的話,讀寫交*點(diǎn)存儲(chǔ)單元是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的。

 

CMOxTM 不僅要在所有重要的高密度/高性能內(nèi)存市場(chǎng)領(lǐng)域(固態(tài)驅(qū)動(dòng)器、獨(dú)立內(nèi)存、嵌入式內(nèi)存)成為NAND閃存的替代技術(shù),而且要成為接續(xù)NAND閃存的技術(shù),逐漸拓展到高性能的嵌入式和企業(yè)級(jí)應(yīng)用產(chǎn)品之中。Rinerson說(shuō),“我們把它稱為‘萬(wàn)億比特存儲(chǔ)技術(shù)’,該技術(shù)將會(huì)挑戰(zhàn)大容量旋轉(zhuǎn)磁介質(zhì)。”

 

為了保護(hù)開(kāi)發(fā)成果,Unity Semiconductor公司申請(qǐng)了大量專利,專利組合之中現(xiàn)有60多項(xiàng)正式專利,還有90項(xiàng)專利申請(qǐng)正在辦理之中。

 

Rinerson先生說(shuō),“我們2年內(nèi)即可實(shí)現(xiàn)首款64兆位存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存產(chǎn)品的量產(chǎn)。”Unity Semiconductor公司研制64Kb產(chǎn)品花了2年時(shí)間,64Mb產(chǎn)品花了1年時(shí)間,而64Gb產(chǎn)品將在2010年上半年面市。

 

Rinerson先生補(bǔ)充說(shuō),“為了全面開(kāi)發(fā)我們獨(dú)有的下一代存儲(chǔ)技術(shù)CMOxTM,并把它推向市場(chǎng),就要找一些量產(chǎn)合作伙伴?!睆墓镜纳a(chǎn)戰(zhàn)略出發(fā),Unity Semiconductor公司需要與一家領(lǐng)先的內(nèi)存集成設(shè)備制造商(IDM)組建合資企業(yè),負(fù)責(zé)批量生產(chǎn)。

 

根據(jù)市場(chǎng)研究者的預(yù)測(cè),Unity公司認(rèn)為,其存儲(chǔ)級(jí)非易失性內(nèi)存產(chǎn)品總共可以覆蓋的市場(chǎng)規(guī)模在2010年將達(dá)到近150億美元,2013年還會(huì)增長(zhǎng)到250億美元以上。

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