美國明尼阿波利斯，中國上海（2005年3月14日）--FSI國際有限公司（納斯達克：FSII）今日在此間宣布推出一項新的研發(fā)成果，這項新的鎳鉑去除工藝旨在幫助集成電路制造商在65-nm技術(shù)節(jié)點實現(xiàn)自我對準(zhǔn)金屬硅化物(Salicide)的形成。FSI使用其ZETA®噴霧式清洗系統(tǒng)開發(fā)出了這項PlatNiStrip™工藝，并且與領(lǐng)先的集成電路制造商合作，在65-nm試驗線設(shè)備上對該工藝進行了驗證。這項低成本的工藝可以在標(biāo)準(zhǔn)的ZETA系統(tǒng)上采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)品實現(xiàn)。此次在上海舉辦的SEMICONChina 2005上進行的發(fā)布，表明了FSI愿意與中國領(lǐng)先集成電路制造商合作，把全球最先進的工藝技術(shù)介紹到中國。

IC集成電路制造商過去都采用鎳硅化合物在65nm節(jié)點來實現(xiàn)自我對準(zhǔn)金屬硅化物的形成，但是在整個的工藝制程中，鎳硅化合物可能不具備足夠穩(wěn)定的耐熱性來滿足各種溫度。研究人員發(fā)現(xiàn)，加入少量的鉑（約5%）可以大幅增加合成金屬硅化物薄膜的熱穩(wěn)定性。但傳統(tǒng)的鎳去除方法如硫磺酸-過氧化氫解決方案，不能有效地去除鉑，結(jié)果導(dǎo)致在晶圓表面存在鉑的殘留物。

FSI的新PlatNiStrip™工藝，通過混合酸方案的使用可以同時去除鎳和鉑且無殘留，對于金屬硅化物、氧化物以及氮化物有較高選擇性，可以實現(xiàn)鎳鉑金屬硅化物薄膜的集成。

“FSI在自我對準(zhǔn)金屬硅化物形成的金屬物去除方面擁有長期而成功經(jīng)驗，這項工藝正是建立在此基礎(chǔ)之上”FSI董事長兼首席執(zhí)行官DonMitchell這樣說到?！霸谧晕覍?zhǔn)金屬硅化物金屬去除應(yīng)用方面，超過20家領(lǐng)先的集成電路制造商使用FSI批量噴霧清洗系統(tǒng)進行大批量生產(chǎn)。”

ZETA系統(tǒng)最適于這項應(yīng)用，因為其特有的化學(xué)品混合及傳送技術(shù)可確?？涛g速度一致性和可選擇性，因此具有穩(wěn)定可靠的工藝性能。有關(guān)ZETA系統(tǒng)的進一步介紹，請訪問FSI中文網(wǎng)站：http://china.fsi-intl.com。

“中國大陸的領(lǐng)先集成電路制造廠商越來越重視引入先進技術(shù)，上海正在成為一個新的半導(dǎo)體制造業(yè)技術(shù)中心，”DonMitchell補充道：“作為一家高度重視技術(shù)研發(fā)投入的領(lǐng)先公司，F(xiàn)SI愿意將其最先進的技術(shù)介紹給中國用戶，這是我們選擇在上海發(fā)布我們?nèi)碌?5nmPlatNiStrip工藝的原因?！?br />
FSIZETA噴霧式清洗系統(tǒng)包括用于200mm-300mm晶圓尺寸的全自動配置和用于200mm-150mm晶圓尺寸的半自動配置。實踐證明ZETA系統(tǒng)的應(yīng)用范圍很廣，包括FEOL光刻膠去除和灰化去膠后清洗、后段（BEOL）灰化后去膠后清洗、自我對準(zhǔn)金屬硅化物去除、晶圓凸塊技術(shù)和晶圓回收。該系統(tǒng)運用離心噴霧技術(shù)，晶圓在一個密閉的氮氣凈化室中干進和干出。FSI的通用化學(xué)品傳送技術(shù)在可控制化學(xué)品成分和溫度情況下制備化學(xué)試劑，并直接輸送到晶圓表面。ZETA系統(tǒng)售價為100萬到280萬美元。

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