COB 封裝中芯片在基板不同位置的殘余應(yīng)力
l 引言
隨著芯片技術(shù)的迅猛發(fā)展,重量輕、尺寸小的新一代智能電子產(chǎn)品不斷問世,對電子封裝的封裝密度要求也越來越高, 多芯片模式(MCM,Muiti - ChipModuie)是其中的一種解決方案。它是將兩片或兩片以上的芯片集成在一起的技術(shù)。為了有效地利用基板材料的面積,經(jīng)常采用COB(Chip on Board)的貼裝方式將芯片粘貼在基板的不同位置。由于封裝所帶來的殘余應(yīng)力將直接影響芯片的性能和使用壽命,所以有必要了解有機(jī)基板材料上的不同位置的殘余應(yīng)力。國內(nèi)外尚未發(fā)現(xiàn)這方面相關(guān)的報道。另外, 和其他方法如激光干涉法[ l ]、X 射線衍射法相比,壓阻傳感測量法最適合于實(shí)時監(jiān)測[ 2 - 4 ]。本研究將研究粘貼在不同位置的芯片表面的殘余應(yīng)力, 并且原位測量熱處理過程中的應(yīng)力變化過程。
2 實(shí)驗(yàn)原理、方案及裝置
圖1 是硅的(111)面示意圖。在實(shí)驗(yàn)中采用的是基于此面上的n 型硅壓阻傳感芯片。根據(jù)相關(guān)的壓阻理論,采用平面應(yīng)力解的力學(xué)計(jì)算公式[ 2 ] ,
圖1 (111)硅片
其中,Oij 是應(yīng)力分量,!1、!2 是相互獨(dú)立的壓阻系數(shù),R1、R2、R3、R4 分別代表b = 450,900,1350,1800
四個方向的電阻值,△R 表示在應(yīng)力作用下和無應(yīng)力作用下的電阻差值。
圖2 測試用的硅壓阻傳感芯片