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[導(dǎo)讀]英特爾在“2013 International Supercomputing Conference(ISC2013)”(2013年6月16日~20日在德國(guó)萊比錫舉行)上發(fā)布了“Xeon Phi協(xié)處理器”的新產(chǎn)品并披露了下一代產(chǎn)品的部分情況。Xeon Phi協(xié)處

英特爾在“2013 International Supercomputing Conference(ISC2013)”(2013年6月16日~20日在德國(guó)萊比錫舉行)上發(fā)布了“Xeon Phi協(xié)處理器”的新產(chǎn)品并披露了下一代產(chǎn)品的部分情況。Xeon Phi協(xié)處理器是配備基于“MIC(眾核)架構(gòu)”的處理器芯片的PCI Express擴(kuò)展卡,MIC架構(gòu)具有多個(gè)支持x86指令集的處理器內(nèi)核。

Xeon Phi協(xié)處理器的首款產(chǎn)品是2012年11月發(fā)布的“Xeon Phi協(xié)處理器5110P”。5110P配備的MIC處理器芯片采用22nm Fin FET工藝制造。此次發(fā)布的第二代Xeon Phi協(xié)處理器共有5款,同樣配備了采用22nm Fin FET工藝制造的處理器芯片。

采用現(xiàn)行工藝的產(chǎn)品達(dá)到6款

新產(chǎn)品中,“Xeon Phi協(xié)處理器7120P”和“Xeon Phi協(xié)處理器7120X”這兩款的性能比5110P高,內(nèi)核數(shù)量為61個(gè),比5110P多一個(gè)(未公布集成的內(nèi)核種類(lèi)是否相同)。工作頻率為1.238GHz(使用智能加速技術(shù)時(shí)為最大1.333GHz),比5110P的1.053GHz略高。雙倍精度運(yùn)算峰值達(dá)到1.2TFLOPS,也比5110P的1.011TFLOPS略高。熱設(shè)計(jì)功率最大300W,比5110P的225W略大。

最大差異在于配備的內(nèi)存的容量,7120P/7120X的內(nèi)存是5110P的兩倍,達(dá)到16GB,改善了5110P中被視為弱點(diǎn)的內(nèi)存容量。建議定制價(jià)格為4120美元,遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于5110P的2649美元。估計(jì)7120P將采用與5110P相同的封裝來(lái)提供,7120X直接以板卡形式提供。

另外3款產(chǎn)品中,“Xeon Phi協(xié)處理器3120P”和“Xeon Phi協(xié)處理器3120A”這兩款的性能比5110P要低,內(nèi)核數(shù)量為57個(gè)(未公布內(nèi)核種類(lèi)是否不同),工作頻率為1.1GHz,雙倍精度運(yùn)算峰值性能為1.0TFLOPS,熱設(shè)計(jì)功率最大300W,內(nèi)存容量為6GB,建議定制價(jià)格為1695美元。估計(jì)3120P將采用與5110P相同的封裝來(lái)提供,3120A采用帶冷卻扇的封裝來(lái)提供。

最后一款產(chǎn)品是“Xeon Phi協(xié)處理器5120D”,內(nèi)核數(shù)量及工作頻率等與5110P相同。熱設(shè)計(jì)功率最大245W,建議定制價(jià)格為2759美元,比5110P略高。5120D高密度封裝在比5110P小的板卡上,估計(jì)是設(shè)想直接安裝在服務(wù)器基板上使用。

準(zhǔn)備大幅改善內(nèi)存帶寬

Xeon Phi協(xié)處理器的下一代產(chǎn)品“Knights Landing”(開(kāi)發(fā)代號(hào))將采用14nm FinFET工藝制造。與以上介紹的采用現(xiàn)行工藝的Xeon Phi協(xié)處理器一樣,除了以封裝在PCI Express板卡上的形式提供之外,還將以能夠作為主處理器使用的形式提供。用作主處理器時(shí),插入主板的CPU插槽中使用,可同時(shí)處理主處理器的工作負(fù)荷和被卸載(Off-Load)的協(xié)處理器的工作負(fù)荷。這樣一來(lái),在經(jīng)由PCI Express的數(shù)據(jù)傳輸方面,便可擺脫復(fù)雜的編程。

另外,英特爾還表示,Knights Landing為了大幅提高內(nèi)存帶寬,將選用集成到封裝上(On Package)的DRAM內(nèi)存

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