美國萊迪思半導體(Lattice Semiconductor)于2011年11月28日(當?shù)貢r間)發(fā)布了成本和功耗都比較低的中端FPGA新產品“ECP4”系列。特點是與上一代產品“ECP3”一樣,也利用65nm工藝技術制造。制造中端FPGA時,與利用最尖端的28nm工藝相比,利用已成熟的65nm工藝“在今后3~5年里能降低晶圓成本”(該公司硅解決方案營銷總監(jiān)Shakeel Peera)。
“ECP4”系列的主要用途是“最后一英里(Last Mile)的網(wǎng)絡設備”(Shakeel Peera)。除無線及有線通信設備外,還能用于各種圖像處理裝置、安全設備、監(jiān)視裝置及存儲器等。
ECP4可以使用的查找表(LUT)數(shù)量比ECP3增加約66%,達到了25萬個。工作速度也提高了30%。最多可利用16條通道的SerDes電路方面,ECP3支持3.2Gbit/秒的數(shù)據(jù)傳輸速度,而ECP4支持6Gbit/秒的數(shù)據(jù)傳輸速度。以6Gbit/秒工作時,每條通道的功耗為175mW。
ECP4的嵌入內存容量比ECP3增加了約42%。DSP引擎通過采用DDR寄存器和強化乘法器等,將乘加運算性能最大提高到了ECP3的7倍。通信引擎通過采用硬件IP將功耗降低了約90%。另外,配備了1066Mbit/秒的DDR3內存接口。
為降低成本,不僅采用了富士通半導體提供的成熟度高的65nm工藝,還采用了廉價的引線鍵合封裝。通過采用自主技術,“全球首次通過引線鍵合支持6Gbit/秒的SerDes”(該公司)。
不過,能以引線鍵合實現(xiàn)6Gbit/秒的數(shù)據(jù)傳輸速度是在通信距離在8英寸以內的芯片間通信時,該公司針對更長的通信距離,準備了倒裝芯片封裝。
另外,該公司計劃繼ECP4之后推出的“ECP5”采用28nm工藝(參閱本站報道)。
設計工具“Diamond 1.4”的beta版已經(jīng)問世,ECP4的工程樣品將于2012年上半年提供,支持正式訂貨的量產品將于2012年下半年提供。