“集成電路芯片上所集成的電路的數(shù)目，每隔18個月就翻一番。微處理器的性能每隔18個月提高一倍，而價格下降一半。”這就是揭示了信息技術進步速度的著名的摩爾定律。

一直以來，FPGA 的所有工藝節(jié)點都遵循摩爾定律的發(fā)展，邏輯容量提高一倍，則成本降低一半。遺憾的是，僅僅依靠摩爾定律的發(fā)展速度，已不能滿足市場對可控功耗范圍內實現(xiàn)更多資源以及更高代工廠良率的無止境的需求。日前，賽靈思推出了“堆疊硅片互聯(lián)技術”的 3D 封裝方法，可有效解決上述難題。

賽靈思公司質量管理和新產品導入全球資深副總裁亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人先生和賽靈思公司亞太區(qū)市場及應用總監(jiān)張宇清先生日前來到北京，展示此項具有突破性意義的新技術。

 
賽靈思公司質量管理和新產品導入全球資深副總裁亞太區(qū)執(zhí)行總裁湯立人先生和靈思公司亞太區(qū)市場及應用總監(jiān)張宇清先生

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“堆疊硅片互聯(lián)技術”的 3D 封裝方法克服了簡單地把兩個或更多 FPGA 連接起來實現(xiàn)大規(guī)模設計的方法三大弊端：一是可用 I/O 數(shù)量有限，不足以連接用以供分區(qū)設計中不同 FPGA 間信號傳輸?shù)膹碗s網(wǎng)絡，同時也難以連接 FPGA 到系統(tǒng)其它器件；二是 FPGA 間傳輸信號的時延限制了性能；三是在多個 FPGA 之間用標準器件 I/O 創(chuàng)建邏輯連接會引起不必要的功耗。

 
據(jù)湯立人先生介紹,“堆疊硅片互聯(lián)技術”的 3D 封裝方法，采用無源芯片中介層、微凸塊和硅通孔 (TSV)技術，實現(xiàn)了多芯片可編程平臺。

 
由于中介層為無源的，因此除了FPGA 芯片消耗熱量外，不存在其它散熱問題。由于較薄的硅中介層可有效減弱內部堆積的應力，一般說來堆疊硅片互聯(lián)技術封裝架構的內部應力低于同等尺寸的單個倒裝 BGA 封裝，這就降低了封裝的最大塑性應變，熱機械性能也隨之得以提升。

通過下面的剖面圖可以清楚的了解到“堆疊硅片互聯(lián)技術”的 3D 封裝技術。

 
此項新技術將滿足要求最苛刻的FPGA應用需求，例如下一代有線通信、下一代無線通信、高性能計算、醫(yī)療成像、航空航天和軍用等等。

同時，湯立人先生透露，賽靈思與臺積電已經在28nm器件的生產上進行合作，首批產品將于 2011 年第一季度開始供貨。