今天，韓國三星公司宣布下一代4G DDR3內(nèi)存開始量產(chǎn)，采用20nm制程工藝。三星一年前就開始籌劃該款新型閃存芯片。

據(jù)內(nèi)存產(chǎn)品參數(shù)來看，相比舊版25nm工藝DDR3內(nèi)存，新款20nm DDR3內(nèi)存芯片提升30%的運(yùn)行效率；相比上一代30nm工藝，新一代20nm內(nèi)存性能提升翻倍。

在能源消耗上，三星公司透露，相比25nm工藝DDR3內(nèi)存條，新一代內(nèi)存條提升25%的能源使用效率。

借助20nm工藝的閃存芯片，可以加速包括智能手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦在內(nèi)移動設(shè)備的運(yùn)行性能體驗(yàn)。

另外，三星也開始籌劃未來10nm制程工藝的閃存芯片。