美光(Micron)推出旗下首款單片容量12Gb(1.5GB)的LPDDR4X低電壓內(nèi)存芯片，該款內(nèi)存芯片速度為4266Mbps，即4266MHz。

現(xiàn)代人幾乎難以擺脫對智能移動終端的依賴，隨著系統(tǒng)和應用程序的不斷升級優(yōu)化，對內(nèi)存的要求將會逐步提高，因此高頻率、大容量的LPDDR4X內(nèi)存將成為主流。今年10月公布的海思麒麟980芯片就非常具有前瞻性地使用了支持LPDDR4X-2133內(nèi)存的設(shè)計。

LPDDR4X內(nèi)存是在LPDDR4的基礎(chǔ)上，降低了LPDDR4內(nèi)存中的Vddq電壓，從1.1V降至0.6V，而Vdd2電壓保持1.1V不變。電壓的降低有效地使內(nèi)存能耗減小。美光二代LPDDR4X使用10nm級(10~18nm)工藝生產(chǎn)，雖然對比第一代產(chǎn)品，功能下降了10%，但因為單片提升到1.5GB，廠商在部署6GB/12GB時便有更多空間進行其他設(shè)計。

編輯：Sophie