三星研制出新型移動DRAM內(nèi)存芯片 傳輸速度達12.8GB/s
[導讀]三星電子星期一稱已近開發(fā)出一種新的用于移動設(shè)備的內(nèi)存芯片，數(shù)據(jù)傳輸速度比以前的芯片速度提高了8倍。三星電子在聲明中稱，這種WIDE IO DRAM內(nèi)存芯片能夠以每秒12.8GB的速度傳輸數(shù)據(jù)，而以前的移動內(nèi)存芯片的數(shù)據(jù)傳
三星電子星期一稱已近開發(fā)出一種新的用于移動設(shè)備的內(nèi)存芯片，數(shù)據(jù)傳輸速度比以前的芯片速度提高了8倍。
三星電子在聲明中稱，這種WIDE IO DRAM內(nèi)存芯片能夠以每秒12.8GB的速度傳輸數(shù)據(jù)，而以前的移動內(nèi)存芯片的數(shù)據(jù)傳輸速度是每秒1.6GB。
這種新的移動DRAM內(nèi)存芯片的速度能夠在一秒鐘之內(nèi)傳送2部電影或3200個音樂文件。
三星電子稱，這種新的移動DRAM內(nèi)存芯片的耗電量還比以前的芯片減少了大約87%。這種移動內(nèi)存芯片能夠用于在智能手機和平板電腦上同時運行多個程序。
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