日本富士通微電子與臺積電(TSMC)宣布，雙方將以臺積電技術(shù)平臺為基礎(chǔ)，針對富士通微電子的28奈米邏輯IC產(chǎn)品進行生產(chǎn)、共同開發(fā)并強化28奈米高效能制程。

之前富士通微電子已經(jīng)與臺積電就40奈米制程進行合作。這項協(xié)議代表富士通微電子將延伸已經(jīng)在臺積電生產(chǎn)的40奈米產(chǎn)品，雙方將共同發(fā)展最佳化的28奈米高效能制程，而首批28奈米工程樣品預計于2010年年底出貨。

這項先進技術(shù)的合作將整合富士通在高速制程與低耗電設(shè)計技術(shù)的專長，以及臺積電節(jié)能的高效能邏輯╱系統(tǒng)單芯片制程及「開放創(chuàng)新平臺」(Open Innovation Platform)中的先進技術(shù)。

此次延伸至28奈米制程的合作計劃，能在臺積電包含高效能與低耗電應用的28奈米技術(shù)組合基礎(chǔ)上，提供富士通微電子與臺積電一個從深具競爭優(yōu)勢、高效能28奈米技術(shù)中獲益的機會。

同時，二家公司也正在就先進封裝合作的可能性進行討論，希望能有效結(jié)合富士通微電子在高效能、無鉛、超高接腳(ultra-high-pin count)封裝技術(shù)的優(yōu)勢及臺積電在芯片封裝整合與先進的銅╱超低介電系數(shù)(Cu/ELK)導線的實力。

富士通微電子常務執(zhí)行董事八木春良(Haruyoshi Yagi)表示，我們先前宣布與臺積電在40奈米制程技術(shù)的合作正快速進展中，目前已有好幾個產(chǎn)品進入實體設(shè)計階段。透過與臺積電在28奈米高效能制程共同開發(fā)與生產(chǎn)上的合作。此舉將進一步擴大臺積電的營運成長，同時擴展富士通微電子在特殊應用集成電路(ASIC)與特定應用標準產(chǎn)品(ASSP)市場的業(yè)務。

臺積電全球業(yè)務暨行銷副總經(jīng)理陳俊圣表示，我們過去在先進技術(shù)上開發(fā)及量產(chǎn)的傲人紀錄，是富士通微電子選擇我們成為合作伙伴的原因之一。臺積電的技術(shù)平臺涵蓋與芯片設(shè)計相關(guān)的種種考量，包括設(shè)計套件、設(shè)計流程、臺積電與合作伙伴的硅智財、健全的組件資料、優(yōu)異的制程技術(shù)、后段的封裝及測試能力，此次的協(xié)議代表臺積電的技術(shù)平臺已獲得肯定。