“STS Satellite Session DFM”剛開始后的會(huì)場(chǎng)攝影：Tech-On!。（點(diǎn)擊放大）
在“SEMICON Japan 2011”（幕張Messe會(huì)展中心）的最后一天12月9日，作為“SEMI技術(shù)研討會(huì)（STS） 2011”的30周年策劃之一，舉辦了“STS Satellite Session DFM”會(huì)議。會(huì)議的主題是“便于制造和提高生產(chǎn)效率的芯片設(shè)計(jì)、工藝設(shè)計(jì)及制造設(shè)計(jì)”。

STS是從2006年開始舉辦以DFM為主題的會(huì)議的。筆者前年和去年參加的會(huì)議是在幕張Messe會(huì)展中心國(guó)際會(huì)場(chǎng)舉行的有償會(huì)議。而此次是為吸引廣泛的聽眾而在展示會(huì)場(chǎng)（1號(hào)廳）的主場(chǎng)地舉行的免費(fèi)會(huì)議。在會(huì)議開幕幾天前，web網(wǎng)站就貼出了座位已滿的通知，現(xiàn)場(chǎng)也是入座8成左右。免費(fèi)會(huì)議的上座率一般為6～7成，所以說(shuō)這次會(huì)議的上座率不錯(cuò)。

DFM（design for manufacturability）可謂是在LSI開發(fā)中為實(shí)現(xiàn)利益最大化而優(yōu)化設(shè)計(jì)與制造關(guān)系的嘗試。在制造工藝不太微細(xì)的時(shí)代，即使設(shè)計(jì)方與制造方不太交流信息，也不會(huì)出問(wèn)題。但隨著微細(xì)化的發(fā)展，尤其設(shè)計(jì)規(guī)則突破100nm以后，越來(lái)越難以按照設(shè)計(jì)（掩模布線設(shè)計(jì)）進(jìn)行制造，兩者之間要交流的信息不斷增加。

在此次會(huì)議上，東芝的小林幸子第一個(gè)登臺(tái)演講，據(jù)小林介紹，信息交流本身進(jìn)行得很順利。不過(guò)，該由設(shè)計(jì)方和制造方哪一方來(lái)負(fù)責(zé)解決問(wèn)題則難以敲定。比如，設(shè)計(jì)方抱怨說(shuō)“無(wú)法考慮那么多制造方面的事情”。因?yàn)榭紤]越多，成本和設(shè)計(jì)時(shí)間就增加得越多。而如果不考慮，制造方就會(huì)抱怨“這種設(shè)計(jì)，成品率無(wú)法提高”。

設(shè)計(jì)與制造的平衡點(diǎn)因企業(yè)和LSI品種而異，很難找到通用的最佳平衡點(diǎn)?？赡芤?yàn)檫@個(gè)原因，在小林之后上臺(tái)演講的不是在日本半導(dǎo)體廠商從事開發(fā)的工程師。據(jù)東芝的佐藤介紹，這次擴(kuò)大了DFM的定義，特別邀請(qǐng)了演講者。

第二位演講者是日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的門田和也。門田從事計(jì)算機(jī)光刻（曝光工藝的模擬）的研究，介紹了將該技術(shù)應(yīng)用于SRAM的結(jié)果等。據(jù)門田介紹，在16nm工藝之前，六個(gè)FinFET的SRAM單元即使沒(méi)有二次圖形也可以進(jìn)行ArF液浸曝光。另外，還有報(bào)告顯示，計(jì)算機(jī)光刻采用GPU（graphical processing unit）之后，速度比使用微處理器時(shí)提高了25倍。

第三位演講者是TSMC日本的石原宏。石原介紹了TSMC針對(duì)DFM的舉措。TSMC從很早以前就開始從事DFM，比如，TSMC的參考流程從2005年的“5.0”開始采用DFM。后來(lái)的參考流程也把DFM作為最重要的關(guān)鍵詞。參考流程中包括各種EDA工具，而此次石原著重介紹的是28nm工藝使用的“Unified DFM引擎”。

該引擎是TSMC自主開發(fā)的DFM驗(yàn)證用算法，已嵌入主要EDA供應(yīng)商的產(chǎn)品中。以前，EDA供應(yīng)商各自使用獨(dú)立的算法，但因誤差大，TSMC才親自開發(fā)算法，并提供給多家EDA供應(yīng)商。通過(guò)結(jié)合基于規(guī)則的方法和基于模擬（模型）的方法，兼顧了精度和處理時(shí)間。

最后一位演講者是日本筑波大學(xué)的有馬澄佳。有馬原本打算介紹APC（advanced process control）與DFM的結(jié)合，但“因例子少，無(wú)法介紹”（有馬），所以有馬最終介紹了半導(dǎo)體廠商的經(jīng)營(yíng)等。比如，介紹了美國(guó)英特爾、美國(guó)Xilinx、臺(tái)灣TSMC成功的原因以及爾必達(dá)存儲(chǔ)器（初期）和瑞薩電子發(fā)展不順利的分析結(jié)果等。

不過(guò)，由于成功企業(yè)和不成功企業(yè)的前提條件不同，因此說(shuō)服力不夠充分。讓脫離了開發(fā)尖端工藝的瑞薩今后變成英特爾是無(wú)稽之談。筆者更希望演講者能夠介紹無(wú)廠企業(yè)美國(guó)高通的成功原因，討論瑞薩能否趕上高通等內(nèi)容。（記者：小島 郁太郎，Tech-On?。?