臺(tái)積電與日本IDM廠瑞薩電子（Renesas）昨（28）日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署協(xié)議，擴(kuò)大在微控制器（MCU）技術(shù)方面的合作至40奈米嵌入式快閃記憶體（eFlash ）制程，以生產(chǎn)應(yīng)用于下一世代汽車以及家電等消費(fèi)性產(chǎn)品的微控制器。
至于瑞薩是否出售鶴岡12吋廠予臺(tái)積電，雙方仍不予評(píng)論。而瑞薩對(duì)于外傳可能進(jìn)行超過1萬(wàn)名員工大規(guī)模裁員消息，則表示組織改革是必須進(jìn)行的事，但目前為止并無(wú)決定任何具體計(jì)畫。
瑞薩是在去年底與臺(tái)積電達(dá)成90奈米合作協(xié)議，瑞薩將采用臺(tái)積電90奈米嵌入式快閃記憶體制程生產(chǎn)微控制器，此次則延伸合作內(nèi)容，未來瑞薩將委托臺(tái)積電生產(chǎn)40奈米微控制器，至于28奈米制程則列為未來的合作方向。
此外，瑞薩及臺(tái)積電也決定建立MCU平臺(tái)與制造所需的先進(jìn)技術(shù)，結(jié)合瑞薩電子支援高可靠性以及高速優(yōu)勢(shì)的金屬氧化氮氧化矽（MONOS）制程技術(shù)，以及臺(tái)積電先進(jìn)的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制程及靈活的產(chǎn)能調(diào)度，未來臺(tái)積電除了替瑞薩代工，也將可利用授權(quán)方式，提供MONOS制程平臺(tái)給其它IC設(shè)計(jì)廠或IDM廠使用。
瑞薩去年底成功開發(fā)的40奈米MCU晶片，已經(jīng)在瑞薩那珂12吋廠中試產(chǎn)，目前制程尚未與臺(tái)積電CMOS制程整合，不過，在雙方達(dá)成合作協(xié)議后，瑞薩及臺(tái)積電將開始進(jìn)行制程整合，未來瑞薩MCU晶片除了在自有晶圓廠生產(chǎn)，也將委由臺(tái)積電在竹科12吋廠Fab12中生產(chǎn)。
瑞薩MCU事業(yè)本部長(zhǎng)巖元伸一表示，根據(jù)去年歷經(jīng)日本大地震沖擊多條生產(chǎn)線與客戶業(yè)務(wù)之后所學(xué)習(xí)到的經(jīng)驗(yàn)，瑞薩已經(jīng)加快晶圓廠網(wǎng)路（Fab Network）的布建，成為公司營(yíng)運(yùn)持續(xù)計(jì)畫（BCP）之中的一環(huán)。
而藉由此次的合作，雙方也有共識(shí)，將建造一個(gè)能夠?yàn)榭蛻舴€(wěn)定供貨的架構(gòu)，瑞薩身為微控制器市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，亦將推動(dòng)市場(chǎng)成長(zhǎng)，為MCU打造一個(gè)設(shè)計(jì)生態(tài)環(huán)境。
根據(jù)瑞薩以及臺(tái)積電間的協(xié)議，采用90奈米嵌入式快閃記憶體制程MCU將在明年量產(chǎn)，40奈米MCU在2014年量產(chǎn)，而瑞薩總產(chǎn)能的委外代工比重，也將由去年的15％，至2016年增加一倍至30％。