業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的測(cè)量?jī)x器供應(yīng)商愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試集團(tuán)于2012年11月14日推出全新的多視覺(jué)測(cè)量掃描電子顯微鏡(MVM-SEM: Multi-Vision Metrology Scanning Electron Microscope)：晶圓掃描電鏡E3310，利用愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試專有的電子束掃描技術(shù)，可用于測(cè)量多種晶圓表面微間距圖案，具有無(wú)可比擬的精度。

基于愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試E3630 MVM-SEM采用的先進(jìn)光掩模技術(shù)，E3310對(duì)下一代器件進(jìn)行晶圓掃描和測(cè)量時(shí)表現(xiàn)出卓越的性能。這是一種精度高且性能穩(wěn)定的測(cè)量解決方案，在10nm工藝節(jié)點(diǎn)的過(guò)程開(kāi)發(fā)以及22nm及以上工藝節(jié)點(diǎn)的大規(guī)模生產(chǎn)中有助于縮短過(guò)程周轉(zhuǎn)期、提高生產(chǎn)效率。E3310將在12月5日至7日千葉縣幕張國(guó)際展覽中心的SEMICON Japan中的愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試展臺(tái)（3號(hào)展廳3D-803號(hào)展位）中展出。


晶圓MVM-SEM E3310


下一代三維測(cè)量解決方案

盡管半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步歷來(lái)遵循摩爾定律（Moore’s Law），但技術(shù)方面的挑戰(zhàn)已經(jīng)使得這種集成過(guò)程難以實(shí)現(xiàn)。鰭場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FINFET）等三維晶體管技術(shù)的發(fā)展預(yù)計(jì)將填補(bǔ)這種22nm工藝節(jié)點(diǎn)大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)上的空白，緊接著便是10nm工藝節(jié)點(diǎn)。愛(ài)德萬(wàn)測(cè)試的E3310提供了一個(gè)精度高且穩(wěn)定的三維測(cè)量解決方案，以滿足下一代測(cè)量器件的需求。

產(chǎn)品特點(diǎn)

三維測(cè)量

E3310多檢測(cè)器的配置可以在10nm工藝節(jié)點(diǎn)下實(shí)現(xiàn)高精度、穩(wěn)定的測(cè)量。它帶有專用的檢測(cè)算法，可用于三維FinFET架構(gòu)測(cè)量，從而大規(guī)模地使用在半導(dǎo)體工業(yè)中。

高度穩(wěn)定的全自動(dòng)圖像捕捉

即使在高倍掃描電鏡下，E3310仍能能夠進(jìn)行穩(wěn)定的全自動(dòng)測(cè)試，主要得益于其高精確度、充電控制和節(jié)污減排等特性。

支持不同的晶圓類型

支持包括硅晶圓以及AlTiC、石英、碳化硅晶圓等，尺寸從150mm到300mm不等，主要取決于晶圓類型。