韓國研究組在世界最初制作超小型半導(dǎo)體
崔教授組通過試驗,成功地制作了2nm大小的半導(dǎo)體Transistor,最初在常溫下使電子的電荷與能源的量子化,并將納米Transistor啟動特征的顯著變化結(jié)果試驗性地查明。
根據(jù)教科部資料,現(xiàn)在已經(jīng)商用化使用中的Transistor在30nm左右,試驗開發(fā)的大小也在20nm左右,2nm大小為世界最初水準(zhǔn)。
同時只輸入名為0或1的值,與可以連算的原有半導(dǎo)體相比時,崔教授組所開發(fā)的納米
Transistor因常溫量子效果,在只有的一個素子中可以連算名為0,1,2,3的多種值。
如果將此商用化的話,第二代Transistor級電腦,特別是在筆記本電腦與智能手機等超小型移動機器中使用的半導(dǎo)體素子的消費電力上升中,可以將其它發(fā)熱量減少到數(shù)十分之一。
崔教授對研究的意義轉(zhuǎn)達到:"在此次研究成果中,利用得到的常溫量子效果的話,作為原有圭素子的半導(dǎo)體也會大大減少回路數(shù)與電力消磨,就現(xiàn)兆級性能(現(xiàn)在千兆級半導(dǎo)體的1000倍)的納米半導(dǎo)體將成可能"。
此次研究成果在納米科學(xué)領(lǐng)域權(quán)威志的美國《NanoLetters》4月號上登載。