Intel信息技術(shù)峰會，美國舊金山——2009秋季Intel信息技術(shù)峰會于9月22日至24日在美國舊金山舉行。下面是來自Intel的高級副總裁兼技術(shù)與制造事業(yè)部總經(jīng)理Bob Baker的講話，作為第一天主題演講的主要內(nèi)容及新聞亮點，他的話語一經(jīng)發(fā)表就在廣大技術(shù)愛好者中引起了強烈的反響。

演講主題：“引領硅技術(shù)創(chuàng)新”（Silicon Leadership – Delivering Innovation）

• 全球第一個可工作的22納米測試電路：Intel不懈努力尋求延續(xù)摩爾定律，讓最終用戶受益。 Intel公司發(fā)布了半導體制程技術(shù)中的又一個新突破，在單個芯片上整合更多的特性和更高的性能。這就是關于全球第一個可工作的22納米測試電路的演示。兩年前Intel展示了基于前一代32納米技術(shù)可工作的測試電路，而本次峰會則標志著第三代高k金屬柵極晶體管的誕生。最新發(fā)布的22納米技術(shù)證明了摩爾定律將繼續(xù)有效，并引領我們前進。

• 高k金屬柵極技術(shù)風靡世界，出貨量超過2億顆：Intel從2007年第4季度開始出貨采用高k金屬柵極晶體管的CPU，目前仍是唯一一家具備此能力的公司。目前，采用高k金屬柵極晶體管的45納米CPU出貨量已將超過2億顆。Intel的32納米CPU制程技術(shù)已經(jīng)通過認證，而Westmere CPU晶圓已經(jīng)進入工廠生產(chǎn)線，計劃于第四季度向市場推出。Intel的32納米技術(shù)采用第二代高k金屬柵極晶體管，提高了性能并減少了漏電。

• 研發(fā)新動向 – 麻省理工學院的特邀嘉賓：Jesus Del Alamo教授來自麻省理工學院電氣工程系，他在本次峰會上探討了化合物半導體的前景，特別是用于未來邏輯制程的所謂III-V材料。他指出，基于III-V材料的晶體管速度，遠超過目前的硅晶體管，而工作電壓只有目前的一半（具有大幅降低能耗的潛力）。雖然因面臨重大挑戰(zhàn)而稍顯謹慎，但他注意到，全球越來越多的人在解決這些問題，并且已經(jīng)取得了很快的進展。

• 面向片上系統(tǒng)（SoC）的32納米技術(shù)：Intel首次開發(fā)了全功能的SoC制程技術(shù)，以作為CPU專用技術(shù)的補充。該版本為手機、移動互聯(lián)網(wǎng)設備（MID）和嵌入式產(chǎn)品等應用提供了一系列豐富的功能；它還提供這些市場所需的更廣泛的性能與能耗選擇。

• 優(yōu)化NAND平臺：IntelSSD固態(tài)硬盤在現(xiàn)有的平臺和軟件上具有強大的性能。Intel高級院士兼Intel存儲技術(shù)部門總監(jiān)Rick Coulson跟大家探討了Intel在未來固態(tài)硬盤改進以及SSD和平臺的共同優(yōu)化上的研究方向，力圖在更低成本、更低功耗的基礎上達到更好的性能。

• 制造能力：Intel已經(jīng)大幅改進了供應鏈，能夠積極、快速地響應客戶變更訂單的請求——響應速度提高了300%。制造周期減少了62%。僅僅在過去的12個月內(nèi)，從客戶下訂單到交貨的時間縮短了25%。