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32nm延伸來(lái)! 臺(tái)積電宣布28nm研發(fā)成功

時(shí)間：2009-06-23 13:22:47

關(guān)鍵字：臺(tái)積電制程技術(shù) 晶體管組件

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[導(dǎo)讀] 近日臺(tái)積電宣布成功開發(fā)28nm技術(shù)工藝，配合雙╱三閘極氧化層制程，將32nm制程所使用的氮氧化硅/多晶硅材料延伸至28nm工藝制程，使得半導(dǎo)體可以持續(xù)往先進(jìn)制程技術(shù)推進(jìn)。此一制程技術(shù)的優(yōu)勢(shì)還包括高密度與低六晶體管

近日臺(tái)積電宣布成功開發(fā)28nm技術(shù)工藝，配合雙╱三閘極氧化層制程，將32nm制程所使用的氮氧化硅/多晶硅材料延伸至28nm工藝制程，使得半導(dǎo)體可以持續(xù)往先進(jìn)制程技術(shù)推進(jìn)。此一制程技術(shù)的優(yōu)勢(shì)還包括高密度與低六晶體管靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存組件、低漏電晶體管、已通過(guò)驗(yàn)證的傳統(tǒng)模擬╱射頻╱電子熔線組件、低電阻-電容延遲的低介電質(zhì)銅導(dǎo)線。

現(xiàn)在臺(tái)積電已成功以28nm雙╱三閘極氧化層系統(tǒng)單芯片技術(shù)生產(chǎn)出64MB，良率十分優(yōu)異。此一SRAM的組件尺寸為0.127平方微米，相當(dāng)具有競(jìng)爭(zhēng)力，芯片閘密度高達(dá)每平方公厘390萬(wàn)個(gè)閘。在SRAMVcc_min、電子熔線及模擬領(lǐng)域的優(yōu)異表現(xiàn)足以證明此制程技術(shù)的可制造性。

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此一領(lǐng)先的制程技術(shù)再次展現(xiàn)臺(tái)積電在低耗電、高性能制程采用氮氧化硅╱多晶硅材料，提供客戶深具成本效益解決方案的承諾及能力。藉由應(yīng)變硅與極具競(jìng)爭(zhēng)力的氧化層厚度優(yōu)化的氮氧化硅材料所產(chǎn)出的晶體管，與前一世代的45nm制程技術(shù)相較，不但頻率提高25-40%，操作功耗減少30-50%，還擁有低待機(jī)及低操作功耗的優(yōu)勢(shì)。

臺(tái)積電研究暨發(fā)展副總經(jīng)理孫元成博士表示，此一進(jìn)展要?dú)w功于客戶們和TSMC的密切合作?？蛻粜枰褂?8nm技術(shù)來(lái)突破半導(dǎo)體應(yīng)用的新范疇，而我們?cè)趧?chuàng)新之路上的不斷精進(jìn)，將有助于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新者所設(shè)計(jì)的最先進(jìn)應(yīng)用得到落實(shí)?！?BR>

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臺(tái)積電3nm制程工藝再推遲一個(gè)季度?

據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電繼之前將3nm制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間由外界預(yù)計(jì)的9月底推遲到第四季度后，再一次將其延后一個(gè)季度，預(yù)計(jì)將于明年才能量產(chǎn)。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 3nm

[模擬技術(shù)]

為何市場(chǎng)無(wú)視“衰退將至”的消息? 臺(tái)積電給出的利空究竟成色幾何?

周四美股交易時(shí)段，受到“臺(tái)積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響，包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤，但在隨后兩個(gè)小時(shí)內(nèi)紛紛暴力拉漲，多家千億美元市值的巨頭較開盤低點(diǎn)向上漲幅竟能達(dá)到10%。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電半導(dǎo)體芯片

[美通社全球TMT]

安勢(shì)清源SCA工具在騰訊成功部署

（全球TMT2022年10月17日訊）上海安勢(shì)信息技術(shù)有限公司的清源SCA工具在騰訊成功部署。清源?SCA可進(jìn)行代碼片段識(shí)別、文件識(shí)別、組件識(shí)別、依賴識(shí)別和容器鏡像掃描。清源SCA擁有海量數(shù)據(jù)儲(chǔ)備，其中包含24萬(wàn)漏洞數(shù)...

關(guān)鍵字：騰訊組件開源互聯(lián)網(wǎng)

[通信先鋒]

基于臺(tái)積電16nm工藝，俄羅斯S1000芯片胎死腹中

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，俄羅斯芯片設(shè)計(jì)廠商Baikal Electronics最新設(shè)計(jì)完成的48核的服務(wù)器處理器S1000將由臺(tái)積電代工，但可惜的是，鑒于目前美國(guó)歐盟對(duì)俄羅斯的芯片制裁政策，大概率會(huì)導(dǎo)致S1000芯片胎死腹中。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 16nm 俄羅斯 S1000 芯片

[通信先鋒]

又涉侵權(quán)？美貿(mào)委會(huì)對(duì)三星、臺(tái)積電等發(fā)起337調(diào)查

據(jù)業(yè)內(nèi)信息，近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴，其中包含三星電子、高通公司、臺(tái)積電等。

關(guān)鍵字：專利侵權(quán) 三星臺(tái)積電高通公司 337調(diào)查 USITC

[芯榜]

傳：達(dá)成協(xié)議！臺(tái)積電，75億美元印度建廠！

據(jù)外媒TECHPOWERUP報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣一直在考慮將其芯片生產(chǎn)擴(kuò)展到其他國(guó)家已不是什么秘密，臺(tái)積電已同意在亞利桑那州建廠，同時(shí)歐盟、日本、甚至俄羅斯都在傳出正與臺(tái)積電洽談建廠。

關(guān)鍵字：芯片臺(tái)積電 5G設(shè)備

[芯榜]

臺(tái)積電前十大客戶曝光！

12 月 15 日消息，英特爾 CEO 基辛格近日被曝光訪問(wèn)臺(tái)積電，敲定 3 納米代工產(chǎn)能。此外，digitimes 放出了一張來(lái)源于彭博社的數(shù)據(jù)，曝光了臺(tái)積電前 10 大客戶營(yíng)收貢獻(xiàn)占比。

關(guān)鍵字：英特爾臺(tái)積電蘋果

[芯榜]

剛剛，臺(tái)風(fēng)來(lái)襲！臺(tái)灣晶圓廠危險(xiǎn)了...

雖然說(shuō)臺(tái)積電、聯(lián)電廠房設(shè)備安全異常，并不會(huì)因?yàn)橐淮螐?qiáng)臺(tái)風(fēng)產(chǎn)生多大損傷。但強(qiáng)臺(tái)風(fēng)造成的交通機(jī)場(chǎng)轉(zhuǎn)運(yùn)、供水供電影響，對(duì)于這些半導(dǎo)體大廠來(lái)說(shuō)也可謂是不小的麻煩。

關(guān)鍵字：臺(tái)積電聯(lián)電廠半導(dǎo)體

[芯榜]

中國(guó)半導(dǎo)體簡(jiǎn)史

1952年，謝希德麻省理工畢業(yè)后，歸國(guó)后加入復(fù)旦物理系任教授。中國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)科和表面物理學(xué)科開創(chuàng)者和奠基人，謝先生一生傳奇坎坷，被尊稱為“中國(guó)半導(dǎo)體之母”。

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體物理學(xué)科晶體管

[嵌入式硬件]

1.4nm是什么？三星宣布將在2027年量產(chǎn)，趕超臺(tái)積電？

近日，在加利福尼亞州圣何塞舉行的三星代工論壇上，三星電子公布了其芯片制造業(yè)務(wù)的未來(lái)技術(shù)路線圖，宣布在2025年開始大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝，更先進(jìn)的1.4nm工藝則預(yù)計(jì)會(huì)在2027年投產(chǎn)，主要面向高性能計(jì)算和人工智能等應(yīng)用。

關(guān)鍵字：三星臺(tái)積電芯片 1.4nm