目前，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展再次激發(fā)了現(xiàn)代技術(shù)的革新。作為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料，SiC 在熱學(xué)、電學(xué)、抗腐蝕等性能方面優(yōu)越于常用的襯底材料，可廣泛用于制造半導(dǎo)體照明、微電子、電力電子等半導(dǎo)體器件。

根據(jù)權(quán)威機(jī)構(gòu) -- Yole 發(fā)展公司在2008年的市場報告，SiC 晶圓的市場規(guī)模在2012年將達(dá)到4億美元，3英寸、4英寸以及更大尺寸的 SiC 晶圓將成為國際市場的主流產(chǎn)品。因此，國際上主要的 SiC 晶圓生產(chǎn)商：北美的 Cree 和 Ⅱ-Ⅵ 公司、歐洲的 SiCrystal 和 Norstel 公司、亞洲的天科合達(dá)藍(lán)光半導(dǎo)體有限公司和 Nippon Steel 公司，一直在努力改善晶體質(zhì)量和放大晶體尺寸。其中，美國 Cree 公司的 SiC 晶圓產(chǎn)銷量處于國際領(lǐng)先地位，占有約60-70%的市場份額，但是對于其他生產(chǎn)商的技術(shù)優(yōu)勢正日漸減小。過去的幾十年間，多種高性能的 SiC 基半導(dǎo)體器件已被成功研制。然而，價格因素仍是阻礙 SiC 晶圓在國際上廣泛應(yīng)用的壁壘。

作為亞洲地區(qū) SiC 晶圓產(chǎn)銷的旗幟性公司，天科合達(dá)依托于享譽(yù)國內(nèi)的中科院物理所的技術(shù)支撐，一直致力于高質(zhì)量 SiC 晶圓的穩(wěn)定生產(chǎn)，為 SiC 基器件的研發(fā)和應(yīng)用提供保障。日前，天科合達(dá)在 SiC 單晶生長技術(shù)方面取得了突破性進(jìn)展，已經(jīng)實現(xiàn)了2英寸和3英寸高質(zhì)量 SiC 晶圓的穩(wěn)定批量生產(chǎn)。天科合達(dá)為了滿足相關(guān)研究機(jī)構(gòu)及工業(yè)用戶對于 SiC 晶圓日益增加的需求，大幅調(diào)整了兩種2英寸高質(zhì)量產(chǎn)品的銷售價格：導(dǎo)電型 6H-SiC 每片150美元，導(dǎo)電型 4H-SiC 每片250美元，這個價格較國際同類產(chǎn)品價格低60%左右。此產(chǎn)品質(zhì)量居國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平，即兩種產(chǎn)品的微管密度均低于30個/cm2，X-射線衍射搖擺曲線半高寬小于50弧秒。此外，天科合達(dá)是否或何時對其3英寸 SiC 系列產(chǎn)品進(jìn)行價格調(diào)整值得期待。相信天科合達(dá)新的價格策略將極大地加速 SiC 基器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展步伐，如發(fā)光二極管，肖特基二極管，混合動力汽車的轉(zhuǎn)換器等。天科合達(dá)也將于近期推出其最新開發(fā)的非摻雜半絕緣 SiC 晶圓，可廣泛用于制備高性能功率器件。