臺(tái)灣代工廠商聯(lián)電(UMC)展示了28nm制程的SRAM芯片,為推出28nm制程奠定基礎(chǔ)。該技術(shù)既支持高k金屬柵也支持二氧化硅制程。
UMC在300mm晶圓廠中進(jìn)行28nm制程的研發(fā),晶體管密度是40nm制程的兩倍。在28nm平臺(tái)上,UMC也同樣接受定制的32nm代工業(yè)務(wù)。目前28nm/32nm制程時(shí)間表尚未公布。
此前,UMC的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電(TSMC)也發(fā)布了28nm制程,IBM也已推出了22nm SRAM。
UMC的28nm制程基于其低漏電流工藝技術(shù),采用雙版沉浸式光刻及應(yīng)變硅技術(shù),6管SRAM單元面積約為0.122平方微米。
和TSMC一樣,UMC支持兩種柵技術(shù),支持面向便攜式產(chǎn)品的傳統(tǒng)硅柵/硅氧氮柵技術(shù)以及支持面向圖形芯片、高速通訊IC的高k金屬柵技術(shù)。
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