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[導(dǎo)讀] 因?yàn)殡娙莸某潆娦枰欢ǖ臅r(shí)間,所以可以利用電容來(lái)實(shí)現(xiàn)硬件的延時(shí)。在電容在4.7uF以上,我們通常選用電解電容,特點(diǎn)是精度小,容量大。小容量電容為瓷片電容,一般為貼片式的,也有插件式的。特點(diǎn)容量小,精度高。

 因?yàn)殡娙莸某潆娦枰欢ǖ臅r(shí)間,所以可以利用電容來(lái)實(shí)現(xiàn)硬件的延時(shí)。

在電容在4.7uF以上,我們通常選用電解電容,特點(diǎn)是精度小,容量大。

小容量電容為瓷片電容,一般為貼片式的,也有插件式的。特點(diǎn)容量小,精度高。一般在電源電路中和點(diǎn)解電容配合使用。

一般情況下,電源負(fù)載對(duì)后面電路輸送能量時(shí),都接一個(gè)儲(chǔ)能電容。

電解電容可以儲(chǔ)能一般濾掉低頻波,對(duì)高頻波過(guò)濾一般。一般加個(gè)瓷片電容濾高頻波。

有極性的電容一定不能接反,否則電容會(huì)短路容易發(fā)生爆炸。


C1為無(wú)極性電容,C2為極性電容。

瓷片電容沒(méi)有極性。特點(diǎn)容量小精度高無(wú)極性,多用于濾波電路,長(zhǎng)用于震蕩電路中。電容量為幾皮法到幾百納法。如100納法的104電容??梢詾V去高dv/dt(在dt時(shí)間內(nèi)變化的電壓差,也稱尖峰電壓)。高di/dt(在dt時(shí)間內(nèi)變化的電流差,也成浪涌電流)。高dv/dt高di/dt都會(huì)對(duì)電路負(fù)載產(chǎn)生影響。電容容抗xc=1/(2πfc)。頻率越大容抗越小。電容上的電壓是漸變的,不能突變,當(dāng)遇到尖峰電壓時(shí),電容電壓慢慢上升,消耗尖峰電壓,輸出較為平緩的電壓。也就是濾波。

電容作用:隔直流通交流,整流濾波,充放電,儲(chǔ)能等。

電容單位:法拉(F),微法(uF),納法(nF),皮法(pF)。

單位換算:1法拉=1e6微法=1e9納法=1e12皮法

C=Q(電荷量)/V

Vin*(1-e^(-t/RC))電容充電,電壓函數(shù)(指數(shù)方程)

電容充電時(shí),電壓先快速上升,后逐漸趨于平緩。

(Vin/R)*e^(-t/RC)

電容充電時(shí),電流先快速下降,后逐漸趨于平緩。

電容的容量越大,濾除紋波的效果就越好。

因?yàn)殡姾闪慷?,所以電容在放電過(guò)程中電壓下降的就越慢,因此紋波就越小。

后面輸出電流越大,電壓下降的也就越快,波紋就越大,因此可以用大一點(diǎn)的電容。

波紋大小還與給電容的充電周期有關(guān)系,周期越小,頻率(周期的倒數(shù))越快,紋波就小一點(diǎn)。

C=Iout/(△V(紋波電壓變化)*f(頻率))

充電周期越小,頻率越大,同樣的紋波要求,則需要的電容也越小。

半波整流充電電路:只在正半周期對(duì)電容充電。

全波整流充電電路:在正負(fù)半周期都對(duì)電容充電。所以對(duì)電容的充電頻率是同樣的半波整流充電電路的2倍。

電解電容內(nèi)有電解液和鋁箔即鋁電解電容,特點(diǎn),容量大精度小誤差大。電解液會(huì)出現(xiàn)泄漏和揮發(fā),隨著時(shí)間的流逝,電容的容量會(huì)下降,電容的壽命會(huì)降低。長(zhǎng)時(shí)間滿負(fù)荷工作會(huì)影響電容的壽命。為了提高電容的使用壽命,會(huì)增加電容容量,來(lái)降低電容負(fù)荷。同樣的電壓滿負(fù)荷也會(huì)降低電容壽命,通常會(huì)選用滿負(fù)荷電壓的1.5倍。

一般情況下,電流不超過(guò)100-150mA,可以采用220uF或330uF的電容。

電解電容標(biāo)準(zhǔn):10V,16V,25V,35V,50V,63V,250V,450V等。

電阻分為插件電阻和貼片電阻。

常用的貼片電阻和電容的封裝及對(duì)應(yīng)的功率。

1210--1/2W 1206--1/4W 0805--1/8W 0603--1/10W 0402--1/16W

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