IO口速度測試，使用以下程序測試高電平脈寬。

    while(1)
    {
        P0 = 0xf;
        P0 = 0x0;
    }

同等條件下與其他MCU比較：

單片機/處理器	工作頻率	高脈沖寬度
ASTRO 8051硬核	25MHz	約1us
ASTRO 8051硬核	50MHz	約500ns
ASTRO 8051硬核	100MHz	約250ns
STC89C516	11.0592MHz	約2.16us
NIOS II/e 32位軟核	25MHz	約2.5us
NIOS II/s 32位軟核	25MHz	約160ns
NIOS II/f 32位軟核	25MHz	約160ns

在兩次操作之間插入延時函數(shù)，分別延時delay(1)、delay(2)、delay(3)、delay(4)。測試延時函數(shù)如下：

void delay(uchar cnt)
{
    uchar i =0;
    while(i < cnt)
    {
        i++;
    }
}

由于delay()函數(shù)調(diào)用一次會有一些額外開銷（如賦初值等），所以我們通過不同延時值的實際延時差來看指令運行的速度。換句話說，對前面的程序，可以通過每次delay()函數(shù)的差值來計算每多執(zhí)行一次i++和一次i

特權同學曾使用相同條件測試了51單片機，通常11.0592MHz下工作的51單片機每多執(zhí)行一次i++和一次i

延時函數(shù)	ASTRO 8051硬核		NIOS II/s 32位軟核
	50MHz	100MHz	25MHz	50MHz
Delay(1)	5.0us	2.5us	6.5us	4us
Delay(2)	6.6us	3.3us	9us	6us
Delay(3)	8.3us	4.2us	11.5us	7.5us
Delay(4)	9.9us	5.0us	14us	9.5us
i++與i	約1.63us	約0.83us	約2.5us	約1.25us

 

簡單的一些性能測試，發(fā)現(xiàn)這個51硬核還是有花頭的，至于穩(wěn)定性和可靠性上還需繼續(xù)驗證和嘗試。當然，本文的測試是使用了片內(nèi)的存儲器作為代碼和數(shù)據(jù)存儲，實際速度性能和存儲器的性能關系非常大，是需要進一步考核的項目。