雖然摩爾定律(Moore’s Law)能否持續(xù)推進(jìn),產(chǎn)業(yè)界眾說紛云,但晶圓代工龍頭臺積電靠著技術(shù)上的創(chuàng)新,可望讓先進(jìn)制程依循摩爾定律,持續(xù)推進(jìn)到5納米及3納米世代。為此,臺積電將以南科園區(qū)為據(jù)點,投入5,000億元資金,建立支援5納米及3納米的龐大產(chǎn)能。
科技部長楊弘敦昨(6)日搶先發(fā)布臺積電將投入5,000億元,建立5納米及3納米龐大產(chǎn)能的投資規(guī)畫。臺積電對此表示,與科技部有針對后續(xù)擴(kuò)產(chǎn)計畫進(jìn)行溝通,包括討論到建地及水電供應(yīng)等問題,但5納米及3納米仍在規(guī)劃中,尚無法說明及評論相關(guān)細(xì)節(jié)。
半導(dǎo)體先進(jìn)制程競爭激烈,臺積電目前面臨的不僅是韓國三星電子的龐大搶單壓力,臺積電大客戶之一的處理器大廠英特爾,也持續(xù)透露對晶圓代工市場抱持興趣的看法。因此,臺積電要在晶圓代工市場維持龍頭大廠地位,除了要擁有龐大的產(chǎn)能因應(yīng)不同客戶需求外,在先進(jìn)制程的推進(jìn)上亦要領(lǐng)先競爭同業(yè)才行。
臺積電第4季開始量產(chǎn)新一代10納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程,首座支援10納米產(chǎn)能的中科12寸廠Fab 15第5期工程,已正式進(jìn)入量產(chǎn)階段,而第6期工程將在明年上半年進(jìn)入量產(chǎn),第7期工程則會在明年下半年放量投片。
臺積電將10納米及7納米視為同一制程世代,有9成以上的設(shè)備可以共通互用,所以,F(xiàn)ab 15的第5期至第7期等3座晶圓廠,都可支援10納米及7納米制程。臺積電現(xiàn)已替聯(lián)發(fā)科、蘋果、海思等大客戶代工10納米手機(jī)晶片或應(yīng)用處理器;至于7納米的量產(chǎn)時間點將落在2017年底、2018年初,包括可程式邏輯閘陣列(FPGA)大廠賽靈思(Xilinx)、繪圖晶片大廠輝達(dá)(NVIDIA)等,已決定采用臺積電7納米生產(chǎn)新一代晶片。
臺積電預(yù)期7納米量產(chǎn)的2年后,也就是2020年就可順利進(jìn)入5納米世代,并已開始進(jìn)行5納米制程的研發(fā)。除了在材料上可能有所改變,F(xiàn)inFET結(jié)構(gòu)也可能變更,5納米將是臺積電首度將極紫外光(EUV)微影技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)的主要制程節(jié)點。因此,臺積電將在南科園區(qū)Fab 14第8期至第10期,規(guī)劃建立5納米制程龐大產(chǎn)能,全部完工后月產(chǎn)能可望上看10萬片規(guī)模。
在5納米之后的3納米,若依摩爾定律進(jìn)行,將在2022年后進(jìn)入量產(chǎn)階段,而臺積電將在南科持續(xù)擴(kuò)建Fab 15新廠第11期及第12期工程,業(yè)界認(rèn)為,臺積電3納米應(yīng)該會以EUV微影技術(shù)為主力的先進(jìn)制程節(jié)點,不僅成本可望大幅降低,還能提供更好的功耗。
臺積電10納米以下先進(jìn)制程投資計畫