Everspin，這是為數(shù)不多的MRAM產(chǎn)品供應商之一。Sanjeev Aggarwal等人作題為“Demonstration of a Reliable 1 Gb Standalone Spin-Transfer Torque MRAM For Industrial Applications”的報告。

“我們展示了我們的1Gb獨立STT-MRAM產(chǎn)品在-40 ℃至110 ℃的溫度范圍內(nèi)的可靠運行。良好的4 sigma讀寫分布，使其可在85℃的情況下實現(xiàn)2E11個周期的耐久性和10年的數(shù)據(jù)保存壽命。”1 Gb芯片采用28nm技術制造，很可能在GLOBALFOUNDRIES的新加坡工廠生產(chǎn)。

Everspin 256Mb和1Gb STT-MRAM結構示意圖

今年8月的Flash Memory Summit上Everspin詳細介紹了該器件[1]，與256 Mb版本相比，似乎在結構上有所變化。新版本中，MTJ與write-1和write-2線共軸，而不是在早期版本中有所偏移。圖中TJ層是隧道結層，通常稱為磁隧道結(MTJ)。

此外，規(guī)格已從1.5V DDR3 VDD / VDDQ，JEDEC DDR3 ball configuration發(fā)展到1.2V DDR4 VDD / VDDQ，DDR4 ball configuration。上方示意圖中，我很想知道溝槽(Trench)中的材料---某種額外的金屬層?