存儲(chǔ)器龍頭三星電子(Samsung Electronics)為了對(duì)應(yīng)市場(chǎng)消沉的狀況，預(yù)計(jì)將大幅縮減2016年的投資。比起大量生產(chǎn)，將以高附加價(jià)值產(chǎn)品為中心，只進(jìn)行保守性的投資，是要確保收益的策略。反之，東芝(Toshiba)等公司計(jì)劃增加投資，縮減與三星差距。

半導(dǎo)體業(yè)界人士表示，比起已用V-NAND技術(shù)獨(dú)占3D NAND市場(chǎng)的三星來(lái)說(shuō)，其他從2016年才要開(kāi)始量產(chǎn)的業(yè)者們，得要投資更多才可能縮小與三星的技術(shù)差距。雖然新的一年市場(chǎng)條件不好，但在后方追擊業(yè)者們卻來(lái)勢(shì)洶洶。

據(jù)韓媒 Money Today引用市調(diào)業(yè)者IHS資料顯示，2016年三星NAND Flash投資展望是20億美元，比起2015年的33億美元大幅縮減。DRAM投資展望也是只有53億美元，預(yù)計(jì)比起2015年將減少10億美元。 NAND和DRAM加總起來(lái)，存儲(chǔ)器全部投資展望是73億美元，比起2015年減少約23億美元。

三星相關(guān)人士表示，投資狀況會(huì)跟著市況有很大的變動(dòng)，目前無(wú)法確定金額。縮減投資的理由是因?yàn)槿蚪?jīng)濟(jì)萎縮，對(duì)IT產(chǎn)品的需求整體下降，產(chǎn)品價(jià)格也走弱。以DDR4 4Gb為基準(zhǔn)，DRAM價(jià)格在2015年6月是3.7美元，到12月已經(jīng)跌到2.1美元左右了。

值得注意的是，其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手們?nèi)绻s上技術(shù)領(lǐng)先的三星，只能持續(xù)的增加投資。存儲(chǔ)器排名第二的SK海力士(SK Hynix)已發(fā)表2016年將維持2015年的水準(zhǔn)，預(yù)計(jì)將投資6兆韓元(約50億美元)以上。

依照領(lǐng)域來(lái)看，2016年投資將集中擴(kuò)大投資于3D NAND市場(chǎng)中。將投資最多的是與新帝(SanDisk)合作的東芝，預(yù)計(jì)將投資34億美元;美光(Micron)投資金額預(yù)計(jì)將為23億美元，比 2015年增加了8億美元;宣布要進(jìn)入NAND市場(chǎng)的英特爾(Intel)也將新增15億美元的投資。

首先，東芝和新帝將一起投資5兆韓元以上，預(yù)計(jì)將在日本三重縣四日市新建NAND工廠。東芝在2015年第3季NAND市占率為30.3%，緊跟在龍頭三星電子的 36.7%之后。東芝與新帝的投資預(yù)計(jì)大陸也會(huì)連帶受惠。業(yè)界意見(jiàn)指出，新帝被大陸的紫光集團(tuán)給間接收購(gòu)了，因此也有可能跟大陸業(yè)者擴(kuò)大合作。

而三星則預(yù)計(jì)用先進(jìn)技術(shù)為武器，來(lái)甩開(kāi)追擊的競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者。相關(guān)人士表示，三星在2015年就已經(jīng)先進(jìn)行了許多必需的基本設(shè)備投資，所以預(yù)計(jì)2016年將以高附加價(jià)值產(chǎn)品為中心，并聚焦在強(qiáng)化收益上。三星2016年將開(kāi)始量產(chǎn)使用了10納米微細(xì)制程技術(shù)的DRAM，以此拉開(kāi)與停留在20納米對(duì)手的差距。

至于三星在大陸西安廠投資將繼續(xù)進(jìn)行，與整體縮減投資無(wú)關(guān)，并且將增加從2015年開(kāi)始量產(chǎn)的第三代(48層)V-NAND的比重。預(yù)計(jì)最近數(shù)年間所累積的西安工廠折舊負(fù)擔(dān)也將逐漸減輕，而收益將更上一層。三星電子在2015年1~9月光是半導(dǎo)體設(shè)備就處理了9.3兆韓元的折舊費(fèi)。