碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅,因此在電力電子應用中占據(jù)領先地位。盡管被廣泛接受,但專家們仍在不斷檢查其真實性。
在本文中,我們分析了一些碳化硅和氮化鎵 FET器件的靜態(tài)和動態(tài)行為。公司正在將精力集中在這些類型的組件上,這些組件允許創(chuàng)建高效轉換器和逆變器。
數(shù)據(jù)中心是支持不斷增長的數(shù)據(jù)交換和數(shù)據(jù)存儲需求所必需的,如今已成為全球網(wǎng)絡基礎設施和計算設施的基本組成部分。2018年數(shù)據(jù)中心整體用電量已達205TWh,幾乎占全球電力供應的1%。
在本文第一部分了解了 BLDC 電機的結構和基本工作原理后,了解可用于電機可靠運行和保護的電機控制選項變得很重要。根據(jù)所服務的功能,電機控制可分為以下類別: · 速度控制 · 扭矩控制 · 電機保護
擴頻是一種與開關穩(wěn)壓器相關的技術,可抑制來自感興趣頻帶的不需要的噪聲,并將其推入噪聲不會干擾系統(tǒng)的區(qū)域,或者更容易處理的區(qū)域。
汽車車身控制模塊 (BCM) 是管理眾多車輛舒適性、便利性和照明功能的電子控制單元,包括門鎖、車窗、鐘聲、關閉傳感器、內部和外部照明、雨刷和轉向信號燈。具體來說,BCM 監(jiān)控不同的驅動器開關并控制汽車中相應負載的電源。
最新的節(jié)能計劃要求待機功耗低于 75mW 和 100mW。一些行業(yè)領先的計劃正在獎勵將待機功耗保持在 30mW 以下的產(chǎn)品。在追求無后備電源的過程中,我們在哪里宣告勝利? 業(yè)界已經(jīng)確立,任何低于 5mW 的功率都被視為“零功率”待機損耗。該定義由國際電工委員會 (IEC) 62301 第 4.5 條提出。
RS-485 網(wǎng)絡的許多信號完整性和通信問題都源于端接,無論是缺少端接還是端接不當。在 RS-485 基礎系列的這一部分中,我將討論我們何時可以在不終止RS-485網(wǎng)絡的情況下擺脫困境,以及如果我們需要終止,如何使用標準(并聯(lián))終端和交流 (AC) 終端網(wǎng)絡。
在 PCB 上具有比所需組件更熱的組件是很常見的。通常,控制此類組件熱量的方法是 (a) 在其下方創(chuàng)建一個盡可能堅固的銅焊盤,然后 (b) 在焊盤與焊盤下方某處的導熱表面之間放置通孔。這種通孔稱為“熱通孔”。這個想法是熱通孔將熱量從焊盤傳導出去,從而有助于控制熱元件的溫度。
IC封裝依靠PCB來散熱。一般而言,PCB是高功耗半導體器件的主要冷卻方法。一款好的PCB散熱設計影響巨大,它可以讓系統(tǒng)良好運行,也可以埋下發(fā)生熱事故的隱患。謹慎處理PCB布局、板結構和器件貼裝有助于提高中高功耗應用的散熱性能。
我們都做過,把手機充電器留在家里或辦公桌上,但手機本身就在我們的口袋或手中。沒什么大不了的,對吧?實際上,這是一件大事。當我們意識到有數(shù)百萬個這樣的充電器時,基本上什么都不做的未使用充電器消耗的功率相當可觀,消耗了大約 10% 的國內功率消耗。
今天的汽車配備了種類繁多的電子配件和電子安全輔助裝置,使車輛更具吸引力、更安全和更易于使用。此外,傳統(tǒng)的液壓系統(tǒng)(如動力轉向和自動變速箱)正在被電動等效系統(tǒng)取代,以幫助減輕整體重量并提高燃油經(jīng)濟性。
柵極控制塊或電平轉換塊控制 MOSFET 的 V?G?以將其打開或關閉。門控的輸出直接由它從輸入邏輯塊接收的輸入 決定。 在導通期間,柵極控制的主要任務是對 EN 進行電平轉換,以產(chǎn)生高(N 溝道)或低(P 溝道)V G 以使開關完全導通。類似地,在關斷期間,柵極控制產(chǎn)生低(N 溝道)或高(P 溝道)V G 以將開關完全關斷。
高端負載開關及其操作仍然是許多工程師和設計師的熱門選擇,適用于電池供電的便攜式設備,例如功能豐富的手機、移動GPS設備和消費娛樂小工具。本文采用一種易于理解且非數(shù)學的方法來解釋基于 MOSFET 的高側負載開關的各個方面,并討論在整個設計和選擇過程中必須考慮的各種參數(shù)。
跨阻抗放大器(TIA) 最常使用運算放大器(op amps) 構建。而且,越來越多的(如果不是全部的話)模數(shù)轉換器(ADC) 是全差分系統(tǒng),需要具有單端差分機制。對于需要直流耦合的應用,這主要是通過使用全差分放大器(FDA) 來實現(xiàn)的。