記者手上有一份一位美國(guó)公民來(lái)往我國(guó)的出入境證明細(xì)表。上面的內(nèi)容顯示，僅從2010年1月到今年2月，就先后5次入境，4次離境，而其中每次回美國(guó)的時(shí)間長(zhǎng)則一個(gè)星期，短則只有3天，總計(jì)在中國(guó)工作的時(shí)間有280多天。

這份出入境證明明細(xì)表的主人，就是寧波比亞迪半導(dǎo)體有限公司聘請(qǐng)的海外工程師TAO HE（賀濤）。

雖然在寧波比亞迪公司工作的時(shí)間還不長(zhǎng)，但賀濤對(duì)公司的貢獻(xiàn)卻不?。涸谒闹鞒窒?，公司在國(guó)內(nèi)率先完成了IGBT芯片關(guān)鍵工藝的開發(fā)工作，自主研發(fā)的IGBT芯片在深圳比亞迪汽車有限公司順利組裝成IGBT模塊，并成功開始電動(dòng)汽車臺(tái)架測(cè)試，這標(biāo)志著比亞迪終于打破了IGBT芯片技術(shù)長(zhǎng)期為國(guó)外壟斷的堅(jiān)冰，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)電動(dòng)汽車用功率器件領(lǐng)域的一項(xiàng)空白。

引進(jìn)海外工程師的背景：借用“外腦”在核心技術(shù)上求突破

從2009年開始，順應(yīng)比亞迪集團(tuán)垂直整合的發(fā)展思路，通過整合產(chǎn)業(yè)鏈、增強(qiáng)企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力，實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車量產(chǎn)化、商業(yè)化的進(jìn)程，寧波比亞迪承擔(dān)了其中的重要步驟“關(guān)鍵零部件的自主開發(fā)制造”。公司將研發(fā)重點(diǎn)轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體功率器件，如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、快恢復(fù)二極管（FRD）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）等，尤其是電動(dòng)汽車用功率器件的自主研發(fā)制造。

以IGBT為例，目前，IGBT已經(jīng)基本上取代了大功率晶體管，成為電力電子電路主要采用的功率器件，廣泛應(yīng)用在電力電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、計(jì)算機(jī)、汽車電子等各個(gè)領(lǐng)域。而IGBT產(chǎn)品的研發(fā)和量產(chǎn)，目前國(guó)內(nèi)尚處于起步階段，有著巨大的發(fā)展?jié)摿?。因此，寧波比亞迪公司希望借助海?strong>工程師突破發(fā)展瓶頸，加速企業(yè)成長(zhǎng)。通過多方協(xié)調(diào)努力，2010年初，寧波比亞迪公司終于成功聘請(qǐng)到了美籍專家賀濤博士擔(dān)任FRD和MOSFET項(xiàng)目總監(jiān)。

這個(gè)“外腦”不簡(jiǎn)單：突破芯片技術(shù)瓶頸，增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力

1968年4月出生的賀濤，1995年5月在美國(guó)德州大學(xué)達(dá)拉斯分校獲得了碩士學(xué)位后，先后在諾基亞（美國(guó)）公司擔(dān)任系統(tǒng)集成經(jīng)理、項(xiàng)目研發(fā)經(jīng)理、高級(jí)項(xiàng)目經(jīng)理。

從去年1月開始擔(dān)任寧波比亞迪公司項(xiàng)目總監(jiān)后，賀濤憑借其在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域扎實(shí)的專業(yè)背景，并結(jié)合其多年海外學(xué)習(xí)和工作積累的豐富經(jīng)驗(yàn)，對(duì)產(chǎn)品研發(fā)、攻克技術(shù)難題方面提出了一系列創(chuàng)新思路，并在實(shí)際應(yīng)用中產(chǎn)生了很好的效果，有效地提升了寧波比亞迪產(chǎn)品的技術(shù)水平和核心競(jìng)爭(zhēng)力。