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[導(dǎo)讀]為增進(jìn)大家對(duì)CMOS的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)CMOS的優(yōu)勢(shì)以及兩點(diǎn)CMOS使用注意事項(xiàng)予以介紹。

CMOS作為常用模塊,被很多人所熟知。同樣,在往期文章中,小編對(duì)CMOS也有過(guò)諸多介紹。如果大家想了解CMOS,可以搜索關(guān)鍵詞哦。為增進(jìn)大家對(duì)CMOS的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)CMOS的優(yōu)勢(shì)以及兩點(diǎn)CMOS使用注意事項(xiàng)予以介紹。對(duì)CMOS充滿好奇的你,不妨跟小編繼續(xù)往下閱讀哦。

一、CMOS優(yōu)勢(shì)

最新CMOS傳感器獲得廣泛應(yīng)用的一個(gè)前提是其所擁有的較高靈敏度、較短曝光時(shí)間和日漸縮小的像素尺寸。像素靈敏度的一個(gè)衡量尺度是填充因子(感光面積與整個(gè)像素面積之比)與量子效率(由轟擊屏幕的光子所生成的電子的數(shù)量)的乘積。CCD傳感器因其技術(shù)的固有特性而擁有一個(gè)很大的填充因子。而在CMOS圖像傳感器中,為了實(shí)現(xiàn)堪與CCD轉(zhuǎn)換器相媲美的噪聲指標(biāo)和靈敏度水平,人們給CMOS圖像傳感器裝配上了有源像素傳感器(APS),并且導(dǎo)致填充因子降低,原因是像素表面相當(dāng)大的一部分面積被放大器晶體管所占用,留給光電二極管的可用空間較小。所以,當(dāng)今CMOS傳感器的一個(gè)重要的開(kāi)發(fā)目標(biāo)就是擴(kuò)大填充因子。賽普拉斯(FillFactory)通過(guò)其獲得專(zhuān)利授權(quán)的一項(xiàng)技術(shù),可以大幅度地提高填充因子,這種技術(shù)可以把一顆標(biāo)準(zhǔn)CMOS硅芯片最大的一部分面積變?yōu)橐粔K感光區(qū)域。

另外,對(duì)于一個(gè)典型的工業(yè)用圖象傳感器而言,由于許多場(chǎng)景的拍攝都是在照明條件很差的情況下進(jìn)行的,因此擁有較大的動(dòng)態(tài)范圍將是十分有益的。CMOS圖像傳感器通過(guò)多斜率操作實(shí)現(xiàn)了這一目標(biāo):轉(zhuǎn)換曲線由傾度不同的直線部分所組成,它們共同形成了一個(gè)非線性特征曲線。因此,一幅場(chǎng)景的黑暗部分有可能占據(jù)集成模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換范圍的很大一部分:轉(zhuǎn)換特征曲線在這里最為陡峭,以實(shí)現(xiàn)高靈敏度和對(duì)比度。特征曲線上半部分的平整化將在圖像的明亮部分捕獲幾個(gè)數(shù)量級(jí)的過(guò)度曝光,并以一個(gè)更加細(xì)致的標(biāo)度來(lái)表現(xiàn)它們。采用多斜率的方式來(lái)運(yùn)作LUPA-4000將使高達(dá)90dB的光動(dòng)態(tài)范圍與一個(gè)10位A/D轉(zhuǎn)換范圍相匹配。

二、CMOS使用過(guò)程中需要注意的兩點(diǎn)問(wèn)題

(一)CMOS的接口電路問(wèn)題

(1)CMOS電路與運(yùn)放連接。當(dāng)和運(yùn)放連接時(shí),若運(yùn)放采用雙電源,CMOS采用的是獨(dú)立的另一組電源。若運(yùn)放使用單電源,且與CMOS使用的電源一樣,則可直接相連。

(2)CMOS與TTL等其它電路的連接。在電路中常遇到TTL電路和CMOS電路混合使用的情況,由于這些電路相互之間的電源電壓和輸入、輸出電平及負(fù)載能力等參數(shù)不同,因此他們之間的連接必須通過(guò)電平轉(zhuǎn)換或電流轉(zhuǎn)換電路,使前級(jí)器件的輸出的邏輯電平滿足后級(jí)器件對(duì)輸入電平的要求,并不得對(duì)器件造成損壞。邏輯器件的接口電路主要應(yīng)注意電平匹配和輸出能力兩個(gè)問(wèn)題,并與器件的電源電壓結(jié)合起來(lái)考慮。下面分兩種情況來(lái)說(shuō)明:

(A)TTL到CMOS的連接。用TTL電路去驅(qū)動(dòng)CMOS電路時(shí),由于CMOS電路是電壓驅(qū)動(dòng)器件,所需電流小,因此電流驅(qū)動(dòng)能力不會(huì)有問(wèn)題,主要是電壓驅(qū)動(dòng)能力問(wèn)題,TTL電路輸出高電平的最小值為2.4V,而CMOS電路的輸入高電平一般高于3.5V,這就使二者的邏輯電平不能兼容。為此可在TTL的輸出端與電源之間接一個(gè)電阻R(上拉電阻)可將TTL的電平提高到3.5V以上。

(B)CMOS到TTL的連接。CMOS電路輸出邏輯電平與TTL電路的輸入電平可以兼容,但CMOS電路的驅(qū)動(dòng)電流較小,不能夠直接驅(qū)動(dòng)TTL電路。為此可采用CMOS/TTL專(zhuān)用接口電路,如CMOS緩沖器CC4049等,經(jīng)緩沖器之后的高電平輸出電流能滿足TTL電路的要求,低電平輸出電流可達(dá)4mA。實(shí)現(xiàn)CMOS電路與TTL電路的連接。需說(shuō)明的時(shí),CMOS與TTL電路的接口電路形式多種多樣,實(shí)用中應(yīng)根據(jù)具體情況進(jìn)行選擇。

(二)輸出端的保護(hù)問(wèn)題

(1)MOS器件輸出端既不允許和電源短接,也不允許和地短接,否則輸出級(jí)的MOS管就會(huì)因過(guò)流而損壞。

(2)在CMOS電路中除了三端輸出器件外,不允許兩個(gè)器件輸出端并接,因?yàn)椴煌钠骷?shù)不一致,有可能導(dǎo)致NMOS和PMOS器件同時(shí)導(dǎo)通,形成大電流。但為了增加電路的驅(qū)動(dòng)能力,允許把同一芯片上的同類(lèi)電路并聯(lián)使用。

(3)當(dāng)CMOS電路輸出端有較大的容性負(fù)載時(shí),流過(guò)輸出管的沖擊電流較大,易造成電路失效。為此,必須在輸出端與負(fù)載電容間串聯(lián)一限流電阻,將瞬態(tài)沖擊電流限制在10mA以下。

以上便是此次小編帶來(lái)的“CMOS”相關(guān)內(nèi)容,通過(guò)本文,希望大家對(duì)CMOS優(yōu)勢(shì)和CMOS的兩點(diǎn)使用注意事項(xiàng)具備一定的了解。如果你喜歡本文,不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站哦,小編將于后期帶來(lái)更多精彩內(nèi)容。最后,十分感謝大家的閱讀,have a nice day!

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