如何使用 Silent Switcher 穩(wěn)壓器實現低噪聲吶，磁場抵消，雖然不可能完全消除熱回路區(qū)域，但是我們可以將熱回路分成極性相反的兩個回路。這可以有效地形成局部磁場，這些磁場在距 IC 任意位置都可以有效地相互抵消。這就是 Silent Switcher 穩(wěn)壓器背后的概念。

圖1. Silent Switcher 穩(wěn)壓器中的磁場抵消

倒裝芯片取代鍵合線

改善 EMI 的另一種方法是縮短熱回路中的導線。這可以通過放棄將芯片連接至封裝引腳的傳統鍵合線方法來實現。在封裝中倒裝硅芯片，并添加銅柱。通過縮短內部 FET 到封裝引腳和輸入電容的距離，可以進一步縮小熱回路的范圍。

圖 2. LT8610 鍵合線的拆解示意圖

圖 3. 帶有銅柱的倒裝芯片

圖 4. 典型的 Silent Switcher 應用原理圖及其在 PCB 上的外觀

圖 4 顯示了使用 Silent Switcher 穩(wěn)壓器的一個典型應用，可通過兩個輸入電壓引腳上的對稱輸入電容來識別。布局在該方案中非常重要，因為 Silent Switcher 技術要求盡可能將這些輸入電容對稱布置，以便發(fā)揮場相互抵消的優(yōu)勢。否則，將喪失 SilentSwitcher 技術的優(yōu)勢。當然，問題是如何確保在設計及整個生產過程中的正確布局。答案就是 Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器。

Silent Switcher 2

Silent Switcher 2 穩(wěn)壓器能夠進一步減少 EMI。通過將電容 VIN 電容、 INTVCC 和升壓電容)集成到 LQFN 封裝中，消除了 EMI 性能對 PCB 布局的敏感性，從而可以放置到盡可能靠近引腳的位置。所有熱回路和接地層都在內部，從而將 EMI 降至最低，并使解決方案的總占板面積更小。

Silent Switcher 2 技術還可以改善熱性能。LQFN 倒裝芯片封裝上的多個大尺寸接地裸露焊盤有助于封裝通過 PCB 散熱。消除高電阻鍵合線還可以提高轉換效率。在進行 EMI 性能測試時， LT8640S 能滿足 CISPR 25 Class 5 峰值限制要求，并且具有較大的裕量。