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[導讀]本文來源于電子工程專輯 某行車記錄儀,測試的時候要加一個外接適配器,在機器上電運行測試時發(fā)現(xiàn)超標,具體頻點是84MHz、144MHz、168MHz,需要分析其輻射超標產生的原因,并給出相應的對策。輻射測試數(shù)據(jù)如下: 圖1:輻射測試數(shù)據(jù) 輻射源頭分析 該產品只有一


本文來源于電子工程專輯


某行車記錄儀,測試的時候要加一個外接適配器,在機器上電運行測試時發(fā)現(xiàn)超標,具體頻點是84MHz、144MHz、168MHz,需要分析其輻射超標產生的原因,并給出相應的對策。輻射測試數(shù)據(jù)如下:

圖1:輻射測試數(shù)據(jù)





輻射源頭分析



該產品只有一塊PCB,其上有一個12MHz的晶體。其中超標頻點恰好都是12MHz的倍頻,而分析該機器容易EMI輻射超標的屏和攝像頭,發(fā)現(xiàn)LCD-CLK是33MHz,而攝像頭MCLK是24MHz;通過排除發(fā)現(xiàn)去掉攝像頭后,超標點依然存在,而通過屏蔽12MHz晶體,超標點有降低,由此判斷144MHz超標點與晶體有關,PCB布局如下:
圖2:PCB布局圖




輻射產生的原理



從PCB布局可以看出,12MHz的晶體正好布置在了PCB邊緣,當產品放置于輻射發(fā)射的測試環(huán)境中時,被測產品的高速器件與實驗室中參考地會形成一定的容性耦合,產生寄生電容,導致出現(xiàn)共模輻射,寄生電容越大,共模輻射越強;而寄生電容實質就是晶體與參考地之間的電場分布,當兩者之間電壓恒定時,兩者之間電場分布越多,兩者之間電場強度就越大,寄生電容也會越大,晶體在PCB邊緣與在PCB中間時電場分布如下:

圖3:PCB邊緣的晶振與參考接地板之間的電場分布示意圖

4:PCB中間的晶振與參考接地板之間的電場分布示意圖
從圖中可以看出,當晶振布置在PCB中間,或離PCB邊緣較遠時,由于PCB中工作地(GND)平面的存在,使大部分的電場控制在晶振與工作地之間,即在PCB內部,分布到參考接地板的電場大大減小,導致輻射發(fā)射就降低了。




處理措施



將晶振內移,使其離PCB邊緣至少1cm以上的距離 ,并在PCB表層離晶振1cm的范圍內敷銅,同時把表層的銅通過過孔與PCB地平面相連。經過修改后的測試結果頻譜圖如下,從圖可以看出,輻射發(fā)射有了明顯改善。




思考與啟示



高速的印制線或器件與參考接地板之間的容性耦合,會產生EMI問題,敏感印制線或器件布置在PCB邊緣會產生抗擾度問題。
如果設計中由于其他一些原因一定要布置在PCB邊緣,那么可以在印制線邊上再布一根工作地線,并多增加過孔將此工作地線與工作地平面相連。


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