現(xiàn)在說起CPU總是會繞不開2017年，AMD銳龍發(fā)布的那一聲驚雷，自此之后大家都覺得CPU的時代變了。INTEL也開始一改過去的以不變應(yīng)萬變的姿態(tài)開始積極更新產(chǎn)品的規(guī)格。而到了三年之后的今天，INTEL也已經(jīng)發(fā)布第十代的酷睿產(chǎn)品，那么這次的十代變了嗎？今天就帶來INTEL I9 10900K的測試報告。

由于是新一代的產(chǎn)品，首先來看一下CPU的規(guī)格變化。這一次的一大重點就是CPU針腳從1151改為1200，這會導(dǎo)致正常情況下十代CPU主板與之前的CPU主板是不能互相兼容的。

INTEL這次的策略就是保證每一階CPU規(guī)格上都能有提升。I9變成了10核20線程，比上一代增加2核4線程；I7變成了8核16線程，比上一代增加8線程，相當(dāng)于上一代的I9；I5變成了6核12線程，比上一代增加6線程，相當(dāng)于八代的I7；I3變成了4核8線程，比上一代增加4線程，相當(dāng)于七代的I7。

另外主頻上也有比較明顯的提高，I9 10900K單核5.3G，也是達到了INTEL從未有過的極值。

相比AMD的規(guī)格來說R7\R5\R3對I7\I5\I3核心規(guī)格上一致，而I9對R9則顯得還是差一些。頻率上則INTEL在各條產(chǎn)品線上都可以找到高過AMD的產(chǎn)品。

還有一點要鄭重提醒，INTEL還有一款I(lǐng)9 10900X是用在X299主板上的，千萬不要和I9 10900K搞混了。

至于制程嘛，還是14nm~。

接下來對比一下主板的規(guī)格，相比于CPU來說，主板的規(guī)格其實變化非常的小。只是增加了對2.5G有線網(wǎng)卡和WIFI 6的原生支持。

I9 10900K的包裝采用禮盒式包裝，內(nèi)部只有一顆CPU，不包含原裝散熱器。

接下來簡單對比一下CPU的外觀，第十代酷睿與第九代的整體尺寸是一樣的，但是頂蓋和防呆口都有明顯的區(qū)別。

從背面就可以看出來，LGA 1200和LGA 1151之間的差別就是在CPU中間部位額外增加了針腳。

對比一下兩者的PCB，可以很明顯的看到第十代酷睿的PCB會比第九代更厚一點，抗彎折能力會更好一點。

這次是新系列的CPU，主板也必須替換，所以來介紹一下新一代的主板產(chǎn)品，這次用到的是技嘉的Z490 AORUS MASTER。

主板的附件包含RGB延長線*2、溫度探頭*2、SATA 3.0數(shù)據(jù)線*4、噪音麥克風(fēng)、WIFI天線、G Connector、一大張貼紙、說明書、質(zhì)保書、驅(qū)動光盤

把主板徹底拆掉，現(xiàn)在的高端主板裝甲可以素組基本已經(jīng)是基本操作了。

主板上的CPU底座就被換成了LGA 1200，使用起來還是完全一致的。

主板上依然是密集的針腳，裝機的時候還是要小心。

簡單介紹一下CPU的供電部分。

主板CPU外接供電為8+8，接插件有金屬罩增加強度。

主板的CPU供電核心部分為14相，PWM控制芯片為ISL69269IRZ是今年很主流的一個高端方案；輸入電容為6顆尼吉康固態(tài)電容16V、270微法；由于PWM芯片不能直接控制14相，所以主板背面有7顆driver芯片用于對應(yīng)驅(qū)動14相供電；每項供電對應(yīng)1顆MOS，型號為ISL99390，是一顆單相90A的高端DrMOS；電感為每相1顆封閉式電感；輸出電容為14顆尼吉康固態(tài)電容6.3V、560微法，另加6顆330微法的鉭電容。

核芯顯卡部分供電為1相，PWM控制芯片為ISL69269IRZ；每項供電對應(yīng)1顆MOS，型號為SIC651A，是一顆單相50A的DrMOS；電感為每相1顆封閉式電感；輸出電容為1顆尼吉康固態(tài)電容6.3V、560微法。

在主板CPU底座背面也焊有5顆鉭電容，理論上可以加強CPU的高頻穩(wěn)定性。

CPU供電的散熱部分，可以看到采用的鰭片式的熱管散熱器，熱管換成了8mm加粗款。在主板正反面都貼有導(dǎo)熱墊，來加強供電的散熱。

主板CPU底座和顯卡插槽之間還有VCC部分的供電，相對于CPU核心部分就簡單不少，但是這部分一般功耗不會很大，所以也夠用了。

總體上來說供電部分方案是用了Z490普遍最高的方案，但是如果能做16相顯然就更完美了。

主板的內(nèi)存插槽為4*DDR4，對外宣稱是可以達到XMP5000。

內(nèi)存供電為1相，輸入電容為2顆尼吉康固態(tài)電容，560微法6.3V；供電MOS為一上兩下，上下橋均為安森美的4C06N；輸出電感為一顆封閉式電感；輸出電容為2顆尼吉康固態(tài)電容，560微法6.3V。

主板的PCI-E插槽就比較少，一共就三條長槽。分別是NA\X16\NA\NA\X8\NA\X4。這算是現(xiàn)在高端主板的發(fā)展趨勢，雖然扛著ATX的版型，但是擴展插槽倒是越來越少。

主板上的IDT6V4是支持PCI-E 4.0的PCI-E時鐘芯片，可以讓CPU外頻超頻變得更自由。

主板上的PI3EQX16是支持PCI-E 4.0的中繼芯片，PI3DBS是支持PCI-E 4.0的切換芯片。這樣在使用第十一代酷睿的時候，顯卡插槽也可以正常切換使用。

拆開主板正面的散熱片就可以看到三條M.2插槽，三條插槽都可以支持22110的規(guī)格。而且主板M.2底部也加了散熱片可以做到雙面散熱?？緾PU最近的那根插槽是可以直連CPU的，這算是為第十一代酷睿準備的彩蛋功能。

有一個比較明顯的缺點是主板上夾著X8插槽的兩個M.2散熱片是一體的，也就導(dǎo)致要拆裝這兩個M.2必須要拆顯卡。還是顯得有些不方便。

來看一下主板后窗的接口從圖中左起分別為Q-FLASH PLUS按鈕+CLEAN CMOS按鈕、WIFI天線接頭、USB 2.0*4、USB 3.0*2+HDMI、USB 3.1 A+C、USB 3.1*2+RJ45網(wǎng)線、3.5音頻*5+數(shù)字光纖。算是中規(guī)中矩的規(guī)格。

主板的音頻部分采用了相對復(fù)雜的方案，主芯片是REALTEK的ALC 1220，另外還增加了一顆ESS 9118 DAC芯片和1顆晶振用來提升整體音質(zhì)。音頻系統(tǒng)的方案并不是頂級的，但是符合高端的主流水平。

這次有線網(wǎng)卡有了很大的變化，型號為INTEL S0113L01，是一顆支持2.5千兆的高速網(wǎng)卡。不過目前可以確認這個系列的網(wǎng)卡會有兩個步進，舊步進的網(wǎng)卡芯片對部分2.5千兆路由器的兼容會有問題。不過這個問題一般都可以通過找主板廠商返修解決。

主板的無線網(wǎng)卡是INTEL AX201NGW，400系列主板WIFI 6的標(biāo)配。

GL850S是用于轉(zhuǎn)接4個USB 2.0的USB HUB芯片。

主板后窗HDMI的電平轉(zhuǎn)芯片為ASM 1442K。

在靠近BIOS 芯片的地方可以找到一顆IT5702XQN128芯片，應(yīng)該是用于實現(xiàn)無CPU刷新BIOS功能的專用芯片。

在SATA口后方可以看到用于切換M.2通道用的ASM 1480切換芯片和兩顆大容量的BIOS芯片。

最后來看一下主板上的上的一些插座?？緾PU供電插座一側(cè)的角落里有CPU FAN+CPU OPT、RGB+ARB、開關(guān)按鍵、LED DEBUG燈。

在內(nèi)存插槽平行的地方有主板24PIN供電、前置USB 3.0、前置USB 3.1 TYPE-C。

靠芯片組這邊的角落圖中左起為主板DEBUG指示LED、SATA 3.0*6、雷電擴展卡插座。

與顯卡插槽平行的主板底部，靠芯片組這邊圖中左起為噪音偵測插座、重啟按鈕、SYS FAN*3、機箱前置面板插座。

靠顯卡插槽這邊圖中左起為前置音頻、LED DEMO、BIOS切換開關(guān)、RGB+ARGB、TPM、USB 2.0。

主板的SUPER IO芯片是IT8688E。

主板的RGB控制芯片則為IT8795E，算是比較常見的規(guī)格。

總體來說Z490 AORUS MASTER主板在整體設(shè)計上還是符合高端主板的定位。主板裝甲采用了ROG相同代工廠的方案，接口規(guī)格也比較完整。就是14相供電心理上會有點不爽，如果直接上16相會更好一些。

然后來看一下測試平臺。

內(nèi)存是金士頓的DDR4 8G*4。實際運行頻率是3200C14。

中間會有搭配獨顯的測試，顯卡采用的是迪蘭恒進的VEGA 64水冷版。

SSD是三塊INTEL 535。240G用作系統(tǒng)盤，480G*2主要是拿來放測試游戲。

NVMe SSD測試用到的是INTEL 750 400G。

散熱器是EK的AIO 360 D-RGB，算是I9 10900K的起步配置。

硅脂是喬思伯的CTG-2。

電源是酷冷至尊的V1000。

測試平臺是Streacom的BC1。

簡單評測結(jié)論：

這次的測試對比組是R9 3950X、R9 3900X、I9 10940X、I9 9900K、R7 3700X，100%標(biāo)桿依然是I5 9400F。

就CPU的綜合性能而言，對比AMD，I9 10900K將將超過R9 3900X約1%。主要是有賴于較高的單線程性能，同時在一些特定項目上有比較好的表現(xiàn)，例如WINRAR和3DMARK的物理得分。相比上一代的I9 9900K，I9 10900K提升達到了17.9%，甚至超過了I9 10940X。

而搭配獨顯的部分，I9 10900K相比I9 9900K提升了1.5%，成為了目前搭配獨顯性能最好的CPU。雖然說整體差異并不會很大。

功耗（整機）上來看，I9 10900K的整體功耗比之前大了不少，待機功耗都會比I9 9900K高10W左右。滿載功耗至多會比I9 9900K高出40W。這體現(xiàn)了兩個方面，一方面，I9 10900K的功耗確實是相當(dāng)驚人。但是另一方面也說明INTEL所做的薄芯片厚頂蓋的設(shè)計確實帶來了更好的散熱效果，在頂蓋尺寸不變的情況下，CPU的TDP極限又進一步提高了。

然后我們拆解成單線程和多線程來看。

單線程：得益于5.3G的睿頻頻率，I9 10900K成為了新一代的單核之王，對比AMD的R9 3900X可以高12.5%，相比上一代的I9 9900K提高4.2%。

多線程：多線程性能就不那么出彩了，對比AMD的R9 3900X要弱15.7%，相比上一代I9 9900K提高25.7%。

對于有興趣進一步了解對比性能的童鞋，這邊會提供詳細的測試數(shù)據(jù)。如果不想看的話可以直接跳到最后的總結(jié)部分。

測試大致會分為以下一些部分：

CPU性能測試：包含系統(tǒng)帶寬、CPU理論性能、CPU基準測試軟件、CPU渲染測試軟件、3DMARK物理得分

搭配獨顯測試：包含獨顯基準測試軟件、獨顯游戲測試、獨顯OpenGL基準

搭配集顯測試：包含集顯基準測試軟件、集顯游戲測試、集顯OpenGL基準

功耗測試：在獨顯平臺下進行功耗測量

系統(tǒng)帶寬測試，I9 10900K在內(nèi)存帶寬和L1\L2\L3緩存上都比I9 9900K有提升，所以WINRAR這種吃內(nèi)存的測試提升會比較明顯。

CPU理論性能測試，是用AIDA64的內(nèi)置工具進行的，I9 10900K的理論算力其實提升很大，相比I9 9900K提升超過了30%。

CPU性能測試，主要測試一些常用的CPU基準測試軟件，還會包括一些應(yīng)用軟件和游戲中的CPU測試項目。這個環(huán)節(jié)會牽涉到不同負載環(huán)境的測試，也是最接近日常使用環(huán)境的測試。在這個環(huán)節(jié)中I9 10900K算是會占一些便宜，對比AMD的R9 3900X可以強2.4%，相比I9 9900K提升14.3%。

CPU渲染測試，測試的是CPU的渲染能力。測試會統(tǒng)計單線程和多線程的測試結(jié)果，所以這個環(huán)節(jié)一般會最接近CPU的綜合性能對比（單核全核基本各一半）。對比AMD的R9 3900X會弱4.4%，相比I9 9900K提升22.2%。

3D物理性能測試，測試的是3DMARK測試中的物理得分，這些主要與CPU有關(guān)，對游戲性能也會有少量的影響。I9 10900K在這里的優(yōu)勢是最大的，對比AMD的R9 3900X可以強6%，相比I9 9900K提升22.7%?？雌饋鞩NTEL在3DMARK上被AMD打了之后，現(xiàn)在也在針對性的優(yōu)化。

CPU性能測試部分對比小節(jié)：

CPU綜合統(tǒng)計來說I9 10900K基本就是可以和R9 3900X分個高下，但是離R9 3950X還是有距離的。

顯卡為VEGA 64，十代在基準測試上開始重新找回場子，AMD暫時沒那么舒服了。

獨顯3D游戲測試，下文中會詳細分析。

分解到各個世代來看，I9 10900K的游戲性能提升主要體現(xiàn)在DX9和DX11游戲中，DX12游戲中性能沒有明顯的提升。

針對不同分辨率的測試，I9 10900K在1080P下提升頗為明顯，但是4K下也能看到是有優(yōu)勢的。所以搭配之后高性能顯卡，應(yīng)該會有比表格中更顯著的性能差異。

獨顯OpenGL基準測試，OpenGL部分以SPEC viewperf 12.1和LuxMark為基準測試，這個測試是針對顯卡的專業(yè)運算測試，差距與CPU的延遲和單線程性能關(guān)聯(lián)度更高一些。所以可以看到I9 10900K是測試對比中表現(xiàn)最好的。

搭配獨顯測試小節(jié)：

從測試結(jié)果來看，可以很明顯的看到I9 10900K在跑分優(yōu)化上是最為明顯的，消減了之前RYZEN 3的大幅優(yōu)勢。游戲性能上I9 10900K也有一定幅度的提升，完成了最強游戲CPU的交接工作。

磁盤測試部分用的是CrystalDiskMark 6，1G的數(shù)據(jù)文件跑9次，這樣基本可以排除測試誤差。測試的SSD分別是535 480G和750 400G，都是掛從盤。簡單科普一下這個測試里的概念，SATA接口和PCI-E通道都是可以從CPU或芯片組引出的（看CPU廠商怎么設(shè)計）。原則上會測試芯片組引出的SATA和PCI-E。

在磁盤性能上，I9 10900K也是做了比較明顯的優(yōu)化，特別是NVMe性能，對AMD可以小幅反超一點。

這里簡單測試了一下I9 10900K的集顯性能，由于是萬年不變的HD630，所以集顯沒有提升。不過一般也就是個備胎，無所謂。

功耗測試只做了搭配獨顯的平臺測試，I9 10900K無論是待機還是滿載功耗都會明顯高于I9 9900K，待機功耗會高大約10W，滿載功耗最高會高大約40W。所以I9 10900K也成了目前消費級功耗最大的CPU。

詳細的統(tǒng)計數(shù)據(jù)：

最后上一張CPU天梯圖供大家參考。性能部分僅對比與CPU有關(guān)的測試項目，并不包含游戲性能測試的結(jié)果。

由于2017年開始，系統(tǒng)、驅(qū)動、BIOS對CPU性能的影響非常巨大，所以這張表僅供指向性的參考。

關(guān)于CPU性能：

從CPU性能上來說，I9 10900K還是保持INTEL尚在競爭局面之內(nèi)，避免被AMD徹底甩開。磁盤性能和WINRAR的優(yōu)化應(yīng)該與之前漏洞門的硬件級修復(fù)有關(guān)。

關(guān)于搭配獨顯：

游戲性能上，算是給I9 10900K保留了一些顏面，進一步提高了游戲性能的上限。

關(guān)于功耗：

I9 10900K的功耗還是不出意外的高，不過好在CPU導(dǎo)熱效率有提升還是能撐得住。建議散熱器360一體式水冷起步，不建議使用風(fēng)冷或更弱的一體式水冷。

總的來說INTEL的第十代酷睿消費級的CPU相比之前的發(fā)燒級來說還是好看一些，至少沒有被AMD徹底甩開。在散熱和架構(gòu)上也有所改善，說完全是九代的馬甲也是有失公允的。不過I9 10900K將將打平R9 3900X這個事實顯然也是揭示了為什么INTEL目前的時間線上，第十代酷睿只有半年的壽命。因為AMD在大約一個季度之后就會發(fā)布ZEN 3新架構(gòu)的CPU，也就是說屆時R9的入門產(chǎn)品R9 4900X就可以領(lǐng)先I9 10900K至少15%。所以INTEL想要逆天改命，還任重道遠。

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