三安光電Mini/Micro顯示芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目爭(zhēng)取一期投資在24個(gè)月內(nèi)完成項(xiàng)目建設(shè)并投產(chǎn)
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10月14日,葛店開發(fā)區(qū)召開現(xiàn)場(chǎng)辦公會(huì),區(qū)住建局、審批局、國土分局、環(huán)保局等20個(gè)部門集中為三安光電項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)解難題。
據(jù)了解,三安光電Mini/Micro顯示芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目是我國首個(gè)大規(guī)模微發(fā)光二極管芯片項(xiàng)目(Mini/Micro LED),于4月24日簽約,并于7月29日在葛店開發(fā)區(qū)舉行了開工儀式。該項(xiàng)目計(jì)劃總投資120億元,用地約756畝,將爭(zhēng)取在各項(xiàng)手續(xù)完備后36個(gè)月內(nèi)完成項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn),48個(gè)月內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn);爭(zhēng)取在各項(xiàng)手續(xù)齊備、相關(guān)配套設(shè)施完備的前提下,一期投資在24個(gè)月內(nèi)完成項(xiàng)目建設(shè)并投產(chǎn)。
目前,三安光電項(xiàng)目前期工作人員已入駐,湖北三安光電有限公司已于6月25日注冊(cè)成立,并于7月15日完成項(xiàng)目備案。葛店開發(fā)區(qū)已向三安光電提供用地選址及地塊周邊生產(chǎn)要素資料,三安光電于7月21日完成可研報(bào)告,9月下旬完成規(guī)劃初步方案,項(xiàng)目環(huán)評(píng)及安評(píng)等正在進(jìn)行中。
三安光電Mini/Micro LED芯片項(xiàng)目,將建成Mini/Micro LED氮化鎵芯片、Mini/Micro LED砷化鎵芯片、4K顯示屏用封裝三大產(chǎn)品系列的研發(fā)生產(chǎn)基地,預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn)Mini LED芯片210萬片、Micro LED芯片26萬片、4K顯示屏用封裝產(chǎn)品84000臺(tái)的研發(fā)制造能力。預(yù)計(jì)氮化鎵芯片系列年產(chǎn)161萬片(其中藍(lán)光Mini LED 72萬片/年,藍(lán)光Micro LED 9萬片/年,綠光Mini LED 72萬片/年,綠光Micro LED 8萬片/年);砷化鎵芯片系列年產(chǎn)75萬片(其中紅光Mini LED 66萬片/年,紅光Micro LED 9萬片/年)。