3月31日晚間,中芯國際公布了2019年財報,財報中,中芯國際表示,第一代14nm FinFET技術已進入量產(chǎn),在2019年Q4貢獻約1%的晶圓收入,預計在2020年穩(wěn)健上量。第二代FinFET技術平臺持續(xù)客戶導入。
財報中顯示,中芯國際2019年的收入為3,115.7百萬美元,相比2018年的收入3,360.0百萬美元,增加了1.4%;2019年毛利為642.5百萬美元,相比2018年的毛利為746.7百萬美元,增加了19.1%;2019年經(jīng)營活動所得凈現(xiàn)金錄得記錄新高,達1,019.1百萬美元,相比2018年為799.4百萬美元,升幅為27.5%。
值得一提的是,來自中國地區(qū)客戶的收入增長至占2019年總收入的59.5%,相比2018年占比則為不含技術授權總收入的57.0%。
中芯國際表示:“5G、人工智慧等領域的興起將大幅提振市場需求,為半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來新的歷史機遇。這些新興應用的提速發(fā)展將進一步提振半導體產(chǎn)業(yè)的市場需求?!?
據(jù)了解,中芯國際在北京建有一座300mm晶圓廠和一座控股的300mm先進制程晶圓廠,在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm晶圓廠,以及一座控股的300mm先進制程晶圓廠在建設中;在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠;在江陰有一座控股的300mm凸塊加工合資廠。
此外,中芯國際在14nm之后的先進工藝上還在加速追趕。2月份,中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松博士也首次公開了N+1、N+2代工藝的情況。他表示N+1工藝和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%。N+1之后還會有N+2,這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多,區(qū)別在于性能及成本,N+2顯然是面向高性能的,成本也會增加。
另外,3月4日,中芯國際集成電路制造(深圳)有限公司從荷蘭進口的一臺大型光刻機順利通過出口加工區(qū)場站兩道閘口進入廠區(qū),這臺機器主要用于企業(yè)復工復產(chǎn)后的生產(chǎn)線擴容。
提到制程,英特爾、臺積電、三星等幾個巨頭一直處于領先地位。尤其是,最近發(fā)布的搭載在紫光展銳旗下首款5G SoC虎賁T7520的臺積電 6nm 制程技術。另外,蘋果A14、華為麒麟1020、AMD Zen 4都要使用臺積電的 5nm 工藝,這個工藝臺積電已在本月開始5nm工藝的試產(chǎn),第二季度內(nèi)投入規(guī)模量產(chǎn)。
三星方面,官方最近也表示韓國華城V1生產(chǎn)線是三星第一條采用極紫外(EUV)光刻工藝的半導體生產(chǎn)線,并且這兩批產(chǎn)線已開始批量生產(chǎn) 6nm 和 7nm芯片,并要在第一季度交付產(chǎn)品。Intel CFO George Davis在大摩TMT會議時表示,預計2021年底前拿出7nm產(chǎn)品,之后迅速切換到5nm,并重新奪取制程領域的領導地位。
而本次中芯國際14nm FinFET,意味著國產(chǎn)的更進一步,中國芯加油!