一年前的一場(chǎng)山火肆虐了美國(guó)加利福尼亞州，在持續(xù)18天的地獄般炙烤后，山火所經(jīng)過(guò)的一切，都被燒成了焦土。

致命山火不僅破壞了加州的自然環(huán)境，還導(dǎo)致了一家公司的破產(chǎn)——加州調(diào)查人員認(rèn)定該州歷史上致死人數(shù)最多的山火是由美國(guó)能源巨頭PG&E的設(shè)備引發(fā)的。由于無(wú)法負(fù)擔(dān)高達(dá)300億美元的潛在賠償責(zé)任，PG&E宣布破產(chǎn)重組。

現(xiàn)在，PG&E試圖用在火災(zāi)發(fā)生率極高的時(shí)候讓客戶斷電的方法，來(lái)規(guī)避可能的風(fēng)險(xiǎn)，PG&E公司就曾為了防止老化的電纜引發(fā)更嚴(yán)重的野火而將電源切斷，導(dǎo)致加州約150萬(wàn)人斷電數(shù)日。為了應(yīng)對(duì)這種情況，何不利用電池和太陽(yáng)能電池板幫助家庭和企業(yè)免于停電？從而維持客戶的生活工作正常運(yùn)轉(zhuǎn)，情況將會(huì)大為不同。

逆變器是太陽(yáng)能系統(tǒng)不可或缺的一部分

將光伏連接到電網(wǎng)的關(guān)鍵接口是逆變器。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，逆變器將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電，并同步至電網(wǎng)的60Hz電氣頻率。光伏電池板的發(fā)電過(guò)程本質(zhì)上效率低下，這對(duì)逆變器提出了更多要求，以最大程度地減少損耗并最大化可消耗的交流功率。

 全球太陽(yáng)能逆變器市場(chǎng)到2023年有望增長(zhǎng)到245億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為8.89％。安森美半導(dǎo)體提供領(lǐng)先行業(yè)的太陽(yáng)能逆變器功率集成模塊（PIM），積極響應(yīng)全球太陽(yáng)能逆變器市場(chǎng)的增長(zhǎng)趨勢(shì)。

安森美半導(dǎo)體的PIM，最高額定功率為100kVA，集成尖端技術(shù)如碳化硅（SiC）、超場(chǎng)截止IGBT及旁路二極管和NTC熱敏電阻，采用雙升壓和NPCT-Type及I-Type逆變器拓?fù)?，提供領(lǐng)先業(yè)界的性能。

逆變器采用微處理器、適當(dāng)?shù)臋z測(cè)和反饋及正確的算法，可以為電網(wǎng)提供各種服務(wù)，而不僅僅是存儲(chǔ)和釋放電能。一個(gè)例子是以電壓支持、頻率調(diào)節(jié)和諧波降低來(lái)保持電力質(zhì)量。分布式能源可以減少輸電和配電網(wǎng)絡(luò)的負(fù)荷，因?yàn)殡娔茉诳拷l(fā)電的地方使用。這可以減少電網(wǎng)的緊張和擁擠，甚至推遲電力線的升級(jí)。 

當(dāng)大量的電力通過(guò)逆變器時(shí)，交流和直流電源之間的轉(zhuǎn)換必須非常高效。事實(shí)上，商用逆變器的峰值效率在96-98%。但電網(wǎng)運(yùn)營(yíng)商想要更高的能效，特別是在公用事業(yè)規(guī)模上，因?yàn)槟苄У奈⑿∽兓砸馕吨艽蟮碾娏Α?

為了達(dá)到這些能效水平，功率器件必須具有非常低的損耗。如今，IGBT已成為這些應(yīng)用的主力開(kāi)關(guān)。但I(xiàn)GBT的傳導(dǎo)電流幾百安培，阻斷幾千伏特的電壓，它是采用類似于制造手機(jī)和數(shù)據(jù)中心高性能計(jì)算芯片所使用的工藝，由硅制成的。

SiC是未來(lái)的材料

然而，新材料有望實(shí)現(xiàn)更高的性能、更高的能效和更高的可靠性。具體地說(shuō)，碳化硅（SiC）是未來(lái)的材料。SiC功率電子器件比類似的硅器件具有更低的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗。此過(guò)渡的第一階段涉及低級(jí)二極管，如下圖所示，該二極管反向并聯(lián)連接至IGBT。將硅二極管替換為SiC二極管可降低損耗并減少開(kāi)關(guān)期間的過(guò)沖，從而減少了逆變器上的應(yīng)力。盡管SiC二極管比硅二極管更昂貴，但較小的散熱器和系統(tǒng)尺寸可降低整體系統(tǒng)成本。

SiC MOSFET是過(guò)渡的下一階段 

SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)速度比硅IGBT快得多，因此它們用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)的升壓級(jí)帶來(lái)更大的優(yōu)勢(shì)。通常，使用DC-DC轉(zhuǎn)換器增加太陽(yáng)能電池板的輸出電壓。SiC MOSFET更快地開(kāi)關(guān)，因而減小了升壓級(jí)中昂貴的無(wú)源器件如電感器的尺寸，并提高了效率。 

安森美半導(dǎo)體提供各種IGBT、SiC二極管和SiC MOSFET，可滿足各種逆變器對(duì)電壓和電流的要求。

最受歡迎的是電源模塊 

將許多不同的電源開(kāi)關(guān)和二極管封裝在一起，以實(shí)現(xiàn)小尺寸，易于設(shè)計(jì)和高效散熱。除主要的功率電子器件外，安森美半導(dǎo)體還提供門極驅(qū)動(dòng)器、伽伐尼隔離和高性能運(yùn)算放大器使系統(tǒng)完整。