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[導(dǎo)讀]   在高壓試驗(yàn)中,介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ是一個(gè)重要測(cè)試項(xiàng)目,它是表征絕緣介質(zhì)在電場(chǎng)作用下由于電導(dǎo)及極化 的滯后效應(yīng)等引起的能量損耗,是評(píng)定設(shè)備絕緣是否受潮的重要參數(shù),同時(shí)對(duì)存在嚴(yán)重局部放電或絕緣

  在高壓試驗(yàn)中,介質(zhì)損耗因數(shù)tgδ是一個(gè)重要測(cè)試項(xiàng)目,它是表征絕緣介質(zhì)在電場(chǎng)作用下由于電導(dǎo)及極化<--StartFragment --> 的滯后效應(yīng)等引起的能量損耗,是評(píng)定設(shè)備絕緣是否受潮的重要參數(shù),同時(shí)對(duì)存在嚴(yán)重局部放電或絕緣油劣化等也有反應(yīng)。在對(duì)多種電氣設(shè)備的絕緣判定中都涉及到這一參數(shù),但不同的設(shè)備所使用的測(cè)試方法也不相同,同一設(shè)備也會(huì)有多種方法可以利用,要根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)的實(shí)際情況和試驗(yàn)具體要求使用正確的測(cè)試手段以得到準(zhǔn)確依據(jù)。1.1設(shè)備結(jié)構(gòu)
  電容型電流互感器(以下簡(jiǎn)稱電容型TA)是電容均勻分布的油浸紙絕緣產(chǎn)品,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是采用10層以上同心圓形電容屏圍成的"U"形,其中,各相鄰電屏間絕緣厚度彼此相等,且電容屏端部長(zhǎng)度從里往外成臺(tái)階狀排列,最外層有末屏引出。由于其一次回路軸向及徑向電場(chǎng)分布均勻,主絕緣結(jié)構(gòu)合理并得到充分的利用,因此電容型TA的整體結(jié)構(gòu)非常緊湊。
1.2設(shè)備運(yùn)行情況
  目前,保定供電公司在網(wǎng)運(yùn)行220 kV電容型TA153臺(tái)相,110 kV777臺(tái)相(不含涿州220 kV站、富昌屯110 kV站),自20世紀(jì)80年代至今一直用反接線測(cè)試電容型TA的tanδ及電容量,這主要是因?yàn)榉唇泳€的試驗(yàn)接線較簡(jiǎn)便,并且測(cè)試數(shù)據(jù)有歷史可比性。但經(jīng)過多年的測(cè)試發(fā)現(xiàn)正接線更能有效地發(fā)現(xiàn)電容型TA的絕緣缺陷,同時(shí)可以不拆TA的高壓引線直接進(jìn)行測(cè)量。? 2.1兩種方法比較
2.1.1電橋反接線測(cè)量
  采用該方法可測(cè)量一次對(duì)其它的tan及電容量,接線圖如圖1所示。   由式(1)、式(2)可推出:
  ?
  同理,當(dāng)n組并聯(lián)時(shí):
  ?
  從上式可以得出:并聯(lián)結(jié)構(gòu)的絕緣良好時(shí),反接線實(shí)測(cè)tanδ能反映電容量較大的試品的真實(shí)tanδ,如果存在局部絕緣缺陷,往往不能由實(shí)測(cè)tanδ反映出來;而對(duì)于較小容量試品一、二次繞組間的絕緣缺陷也可能受周圍物體的影響而被掩蓋。?
  由于電容型TA一次對(duì)末屏的電容量C1遠(yuǎn)大于C2與C3,當(dāng)設(shè)備絕緣良好時(shí),實(shí)測(cè)結(jié)果可近似表示為一次主絕緣的tanδ;當(dāng)有受潮缺陷時(shí),不能表明是主絕緣受潮還是末屏受潮,仍然要用正接線測(cè)量一次對(duì)末屏tanδ,用反接線測(cè)量末屏對(duì)地的tanδ。
2.1.2正接線測(cè)量
  采用正接線法可測(cè)量一次繞組對(duì)末屏的tanδ及電容量,接線圖如圖3所示。2.2.1高壓引線的影響
  反接線測(cè)量時(shí)高壓端及引線的對(duì)地雜散電容與被試品并聯(lián),會(huì)帶來測(cè)量誤差,對(duì)于電容量只有幾百皮法的電容型TA主絕緣來說,測(cè)量誤差相對(duì)較大。
  正接線測(cè)量時(shí)高壓端及引線的對(duì)地雜散電容沒有接入測(cè)量回路,不會(huì)引起測(cè)量誤差。
2.2.2濕度的影響
  用正接線測(cè)量電容型TA時(shí),濕度的影響原理如圖4所示。
  2004年對(duì)220 kV、110 kV電容型TA共計(jì)90臺(tái)相進(jìn)行了正、反兩種接線的測(cè)試,通過數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)得到以下結(jié)論:
  a. 同一設(shè)備反接線測(cè)得的C?x大于正接線的有90臺(tái)相,占100%。
  DL/T 5961996《電力設(shè)備預(yù)防性試驗(yàn)規(guī)程》規(guī)定TA的電容量變化應(yīng)在±5%,由于反接線測(cè)量是主絕緣與一次對(duì)二次、二次對(duì)末屏的并聯(lián)值,后兩者的電容量遠(yuǎn)小于主絕緣的電容量,所以反接線測(cè)得的電容量較大于正接線測(cè)得的電容量。
  由于現(xiàn)場(chǎng)用反接線測(cè)試時(shí)不拆刀閘側(cè)一次連接線,實(shí)測(cè)值應(yīng)加上刀閘對(duì)地電容,所以反接線測(cè)得的電容量比正接線的大許多。經(jīng)統(tǒng)計(jì)的90組正、反接線測(cè)量的差值絕大部分在60~90 pF之間。
  b. 同一設(shè)備正接線tanδ值大于反接線的有65臺(tái)相,占72%。
  在設(shè)備絕緣狀況良好的情況下,正、反接線測(cè)得的tgδ不同是由于接線方法不同而帶來的測(cè)量誤差。因?yàn)椴捎梅唇泳€法進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試時(shí),只拆TA與開關(guān)的連線,而不拆TA與刀閘的連線(如圖6所示),所以反接線的實(shí)測(cè)tanδ值是正接線實(shí)測(cè)tanδ值與一次對(duì)其他的tanδ的并聯(lián)值。把反接線的實(shí)測(cè)tanδ值記作tanδ反 ,把正接線實(shí)測(cè)tanδ值記作tanδ正,把主絕緣對(duì)末屏的介損和電容量記為tanδ1、C1,其它記作tanδ0、C0,則有:
  差分布情況見表3。
  正接線測(cè)量電容型TA主絕緣的tanδ與反接線相比有以下優(yōu)勢(shì):
  a. 不受一次對(duì)二次繞組的tanδ影響。
  b. 不受高壓端及引線對(duì)地雜散電容的影響。
  c. 不受空氣濕度的影響。
  d. 如果發(fā)現(xiàn)缺陷,能直接排除末屏受潮的可能性。
  e. 不用拆接設(shè)備的一次連接線,節(jié)省試驗(yàn)時(shí)間,提高了工作效率和工作的安全性。
  f. 正接線測(cè)得的電容量是一次主絕緣的電容量,與出廠值可比,使試驗(yàn)人員更容易從電容量上發(fā)現(xiàn)設(shè)備的缺陷。
  綜上所述,建議今后預(yù)試中對(duì)電容型TA采用正接線測(cè)量tanδ及電容量。

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