低功耗方式Sleep，通過執(zhí)行一條睡眠指令就進(jìn)入低功耗方式。如果使能，MDT將被清0，但仍保持運(yùn)行。TO（STUATUS<4>）位被置1，PD位（STUATUS<3>）被清0，振蕩器驅(qū)動(dòng)器被停止。所有I／O端口保持Sleep指令執(zhí)行前它們所有的狀態(tài)（驅(qū)動(dòng)高、驅(qū)動(dòng)低或高阻）。

在這種方式時(shí)為使電流消耗最低，把所有的I／O引腳放在VDD或VSS電平上，以保證外部電路從I／O引腳、低功耗的A／D、不使能的外部時(shí)鐘中拉出電流。為使電流消耗最低，TOCK1輸入電平應(yīng)該在VDD或VSS上。

1．睡眠喚醒

單片機(jī)通過下列事件之一喚醒睡眠：

　　· 在MCLR引腳上的外部復(fù)位輸入；

　　· 監(jiān)視定時(shí)器喚醒（如果WDT使能）；

　　· INT引腳中斷、RB端口變化中斷和一些外部中斷。

以下是能將單片機(jī)從睡眠中喚醒的外部中斷：

　　· PSP讀或?qū)懀?/p>

　　· TMR1中斷，TIMERI必須作為一個(gè)異步計(jì)數(shù)器運(yùn)行；

　　· cap捕捉方式中斷；

　　· 特別事件觸發(fā)器（TIMERI使用外部時(shí)鐘異步方式，CCPI是用比較器模式）；

　　· SSP（START／STOP）位探測(cè)中斷；

　　· SSP用主從模式（SP2／12C）發(fā)送和接收；

　　· USARTRX或TX（同步從模式）；

　　· A／D轉(zhuǎn)換（當(dāng)A／D時(shí)鐘源是RC時(shí)）；

　　· E2PROM寫操作完成。

因?yàn)樵谒咂陂g，無片內(nèi)時(shí)針出現(xiàn)，所以其他外部事件不能產(chǎn)生中斷。當(dāng)執(zhí)行Sleep指令時(shí)，下一個(gè)指令（PC＋1）被預(yù)取，對(duì)于通過中斷事件喚醒的單片機(jī)，相應(yīng)的中斷使能位置1（使能），喚醒是不管GIE位的狀態(tài)的。

如果GIE位清0（不使能），單片機(jī)在Sleep指令之后連續(xù)執(zhí)行指令。如果GIE位是置1的使能，單片機(jī)在Sleep指令之后執(zhí)行指令，然后分支到中斷地址（0004h）。如不期望執(zhí)行緊跟在Sleep指令之后的指令，用戶應(yīng)該在Sleep指令之后加一個(gè)NOP指令。

當(dāng)全體中斷不能維護(hù)任何中斷或者已包括它的中斷使能位和中斷標(biāo)志位是置1的時(shí)候，將發(fā)生下面之一。

①如果在Sleep指令執(zhí)行之前發(fā)生中斷，Sleep指令將作為一個(gè)NOP完成，因此WDT和WDT后分頻器將不被清0，TD位將不會(huì)置1，PD位將不會(huì)清0。

②如果在Sleep指令執(zhí)行期間或之后發(fā)生中斷，單片機(jī)將立即喚醒睡眠，在喚醒之前Sleep指令將完全執(zhí)行。因此，WDT和WDT后分頻器將被清0，TD位將被置1，PD位將被清0。

即使在執(zhí)行Sleep指令之前標(biāo)志位被檢查，在Sleep指令完成之前標(biāo)志位變成1也是可能的。為了決定Sleep指令是否執(zhí)行，應(yīng)該檢測(cè)PD位，如果PD位置1，Sleep指令將作為NOP執(zhí)行。為保證WDT清0，在Sleep指令之前應(yīng)該執(zhí)行CLRWDT指令。

內(nèi)部電路調(diào)試器：當(dāng)設(shè)置字里的DEBUG位被編程為0時(shí)，內(nèi)部電路調(diào)試器功能使能。當(dāng)使用MPLAB時(shí)，這種功能允許簡(jiǎn)單的功能調(diào)試，當(dāng)微處理機(jī)有這種使能功能時(shí)，其中一些資源通常是不可使用的。

為了使用單片機(jī)的內(nèi)部電路調(diào)試器功能，設(shè)計(jì)必須實(shí)現(xiàn)內(nèi)部電路串行編程以連接MCLR／VPP、VDD、GND、R87和RB6。這樣將內(nèi)部電路調(diào)試器和微芯片或其他公司的開發(fā)工具連接。

程序驗(yàn)證／代碼保護(hù)：如果代碼保護(hù)位不被編程，片內(nèi)程序存儲(chǔ)器可以被讀出以便驗(yàn)證。

識(shí)別碼D存儲(chǔ)單元：4個(gè)存儲(chǔ)器單元被設(shè)定為ID存儲(chǔ)單元，在這里用戶可以儲(chǔ)存檢查其他代碼識(shí)別數(shù)。這些存儲(chǔ)單元在正常執(zhí)行中是不可訪問的，但在編程／修改期間是可讀寫的，推薦使用ID存儲(chǔ)單元的低4位。

內(nèi)部電路串行編程：PlC16P877微處理器在應(yīng)用電路結(jié)束時(shí)能夠被串行編程?？捎脙筛€作為時(shí)鐘線和數(shù)據(jù)線，其他線用作電源、接地和編程電壓線來簡(jiǎn)單地完成。

當(dāng)使用ICSP時(shí)，如果執(zhí)行一個(gè)大量的擦除，部件必須用4.5～5.5V電壓供電。這包括從一個(gè)打開狀態(tài)到關(guān)閉狀態(tài)兩個(gè)的代碼保護(hù)的重新編程。對(duì)于ICSP的所有其他情況，部件可以在通常操作電壓下編程。這意味著振蕩器值，獨(dú)一無二的用戶代碼或用戶碼可以被重新編程或增加12。

IS：低電壓ICSP編程．

設(shè)置LVP位使能低電壓ICSP編程。這種模式允許微處理機(jī)在操作電壓范圍內(nèi)使用一個(gè)vDD通過ICSP編程實(shí)現(xiàn)。這意味著Vpp不必帶到VIHH，但在標(biāo)準(zhǔn)操作電壓時(shí)能夠替換。在這種模式里，RB3rPGM引腳被制定為編程功能和停止 個(gè)普通的I／O引腳。在編程期間，VDD應(yīng)用到MCLR引腳。為了進(jìn)入編程模式，必須應(yīng)用RB3／PGM使LVP位置1。出廠時(shí)，LVP位的缺省值是1。

如果低電壓編程模式不能使，那么LVP位不能編程到0，RB3／PGM變成一個(gè)數(shù)字I／O引腳，然而，當(dāng)在MCLP上用VIHH進(jìn)入編程時(shí)，LVP位只可以被編程，當(dāng)MCLR上使用高電壓時(shí)，LVP位只可以被置1。

應(yīng)該注意，一旦LVP位編程到0，只有高電壓編程模式可用于對(duì)單片機(jī)編程，

當(dāng)使用低電壓ICSP時(shí)，如果執(zhí)行一個(gè)大量的擦除，部件必須用4．5～5．5V電壓供電。這包括從一個(gè)打開狀態(tài)到關(guān)閉狀態(tài)的兩個(gè)代碼保護(hù)的重新編程。對(duì)于ICSP的所有其他情況，部件可以在通常操作電壓下被編程，這意味著振蕩器值不變。用戶代碼或用戶碼叮以被重新編程或增加，

SED152OFOA液晶顯示驅(qū)動(dòng)器有13條指令，下面以M680O系列MPU按口為例（RES＝1），總結(jié)這些指令，如表所示。

表  SED1520F0A的指令集

下面以圖所示的接口電路為例說明液晶顯示分區(qū)情況．E1、E2是液晶顯示的控制引腳，分別控制不同區(qū)域，下面只對(duì)E1控制區(qū)域的程序進(jìn)行分析．
 

2 程序設(shè)計(jì)

在系統(tǒng)程序的初始化部分，應(yīng)對(duì)程序中用到的寄存器和臨時(shí)變量作如下說明。

（1）定義程序中需要的全局變量。

（2）系統(tǒng)各個(gè)口的輸入輸出狀態(tài)初始化子程序。

（3）讀液晶顯示器狀態(tài)子程序。

（4）對(duì)液晶顯示器發(fā)送指令子程序（指令保存在TRANS寄存器中）。

（5）對(duì)液晶顯示器寫數(shù)據(jù)了程序，其中數(shù)據(jù)保存在WRIte寄存器中。

（6）開E1顯示子程序

（7）E1邊清屏子程序。

（8）關(guān)E1顯示子程序

有了以上的通用子程序，就可以構(gòu)造出各種顯示程序，如字符、漢宇、曲線等。執(zhí)行這些程序前，必須對(duì)液晶顯； J動(dòng)進(jìn)行初始化。初始化的順序?yàn)椋宏P(guān)顯示→正常顯示驅(qū)動(dòng)設(shè)置→占空比設(shè)置→復(fù)位→ADC選擇→清屏－開顯示，程序如下。