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[導(dǎo)讀]引言  近年來,光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,提高效率和降低成本成為整個(gè)行業(yè)的目標(biāo)。在晶體Si太陽電池的薄片化發(fā)展過程中,出現(xiàn)了許多嚴(yán)重的問題,如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等,正是這些缺陷限制了電池的光電

引言

  近年來,光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,提高效率和降低成本成為整個(gè)行業(yè)的目標(biāo)。在晶體Si太陽電池的薄片化發(fā)展過程中,出現(xiàn)了許多嚴(yán)重的問題,如碎片、電池片隱裂、表面污染、電極不良等,正是這些缺陷限制了電池的光電轉(zhuǎn)化效率和使用壽命。同時(shí),由于沒有完善的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),Si片原材料質(zhì)量也是參差不齊,一些缺陷片的存在直接影響到組件乃至光伏系統(tǒng)的穩(wěn)定性。因此,太陽能行業(yè)需要有快速有效和準(zhǔn)確的定位檢驗(yàn)方法來檢驗(yàn)生產(chǎn)環(huán)節(jié)可能出現(xiàn)的問題。

  發(fā)光成像方法為太陽電池缺陷檢測提供了一種非常好的解決方案,這種檢測技術(shù)使用方便,類似透視的二維化面檢測。本文討論的是光致發(fā)光技術(shù)在檢測晶體Si太陽電池上的應(yīng)用。光致發(fā)光(photoluminescence,PL)檢測過程大致包括激光被樣品吸收、能量傳遞、光發(fā)射及CCD成像四個(gè)階段。通常利用激光作為激發(fā)光源,提供一定能量的光子,Si片中處于基態(tài)的電子在吸收這些光子后而進(jìn)入激發(fā)態(tài),處于激發(fā)態(tài)的電子屬于亞穩(wěn)態(tài),在短時(shí)間內(nèi)會(huì)回到基態(tài),并發(fā)出以1150 nm的紅外光為波峰的熒光。利用冷卻的照相機(jī)鏡頭進(jìn)行感光,將圖像通過計(jì)算機(jī)顯示出來。發(fā)光的強(qiáng)度與本位置的非平衡少數(shù)載流子的密度成正比,而缺陷處會(huì)成為少數(shù)載流子的強(qiáng)復(fù)合中心,因此該區(qū)域的少數(shù)載流子密度變小導(dǎo)致熒光效應(yīng)減弱,在圖像上表現(xiàn)出來就成為暗色的點(diǎn)、線,或一定的區(qū)域,而在電池片內(nèi)復(fù)合較少的區(qū)域則表現(xiàn)為比較亮的區(qū)域。因此,通過觀察光致發(fā)光成像能夠判斷Si片或電池片是否存在缺陷。

  1 實(shí)驗(yàn)

  實(shí)驗(yàn)選取大量低效率電池進(jìn)行研究,現(xiàn)舉典型PL圖像進(jìn)行分析說明。電池所用Si片為125 mm×125 mm,厚度(200±10)μm,晶向<100>,p型CZ太陽能級Si片。PL測試儀器的基本結(jié)構(gòu)如圖1,激光源波長為808 nm,激光裝置中帶有均化光器件,使光束在測量的整個(gè)區(qū)域均勻發(fā)光。由于載流子的注入,Si片或電池片中會(huì)產(chǎn)生電流使其發(fā)出熒光,在波長為1 150 nm時(shí)的紅外光最為顯著,所以選用了適當(dāng)?shù)臑V光片和攝像頭組合,使波長在1 150 nm附近的熒光得以最大的通過。冷卻的攝像頭(-50℃)在室溫暗室中可以感光并生成512×512像素的圖像,曝光時(shí)間為1 s。整個(gè)實(shí)驗(yàn)裝置由微機(jī)程序控制。雖然PL可以直接測量Si片,但為了實(shí)驗(yàn)的對比性,本文均采用對電池的測量圖像作對比。

  2  結(jié)果與分析

  2.1  原材料原因

  單晶Si由于本身內(nèi)部長程有序的晶格結(jié)構(gòu),其電池效率明顯高于多晶Si電池,是Si基高效太陽電池的首選材料。然而,單晶Si內(nèi)部雜質(zhì)和晶體缺陷的存在會(huì)影響太陽電池的效率,比如:B-O復(fù)合體的存在會(huì)導(dǎo)致單晶電池的光致衰減;內(nèi)部金屬雜質(zhì)和晶體缺陷(位錯(cuò)等)的存在會(huì)成為少數(shù)載流子的復(fù)合中心,影響其少子壽命。圖2為高效率電池光致發(fā)光圖像,發(fā)現(xiàn)除電池柵線外圖像灰度均勻。

  圖3為Si片原材料存在嚴(yán)重缺陷的電池PL圖片,分別俗稱“黑邊”和“黑心”片,PL圖像中的黑心和黑邊是反映在光照條件下該部分發(fā)出的1 150 nm的紅外光強(qiáng)度較其他部分弱,說明該處有影響電子和空穴的輻射復(fù)合的因素存在。對于直拉單晶Si,拉棒系統(tǒng)中的熱量傳輸過程對晶體缺陷的形成與生長起著決定性的作用。提高晶體的溫度梯度,能提高晶體的生長速率,但過大的熱應(yīng)力極易產(chǎn)生位錯(cuò)。在圖3(b)中甚至可以很清楚地看到旋渦缺陷,旋渦缺陷是點(diǎn)缺陷的*,產(chǎn)生于晶體生長時(shí),微觀生長速率受熱起伏而產(chǎn)生的周期性變化造成雜質(zhì)有效分凝系數(shù)起伏造成的。旋渦缺陷典型位錯(cuò)密度為106~107cm-3,遠(yuǎn)高于太陽能級單晶Si片所要求的缺陷密度(小于3 000 cm-3)。

  原材料缺陷勢必導(dǎo)致Si襯底非平衡少數(shù)載流子濃度降低,造成擴(kuò)散結(jié)面不平整,p-n結(jié)反向電流變大,從而影響太陽電池效率。

2.2  擴(kuò)散工藝

  擴(kuò)散是制備晶體Si太陽電池的關(guān)鍵工藝步驟,其直接決定著電池的光電轉(zhuǎn)換效率。擴(kuò)散的要求是獲得適合于太陽電池p-n結(jié)需要的結(jié)深和擴(kuò)散層的方塊電阻,當(dāng)p-n結(jié)較淺時(shí),電池短波響應(yīng)好,但同時(shí)淺結(jié)會(huì)引起串聯(lián)電阻增加。結(jié)深過深,死層比較明顯,高擴(kuò)散濃度會(huì)引起重?fù)诫s效應(yīng),使電池開路電壓和短路電流均下降。在利用絲網(wǎng)印刷制電極的電池制作中,考慮到各個(gè)因素,太陽電池的結(jié)深一般控制在0.3~0.5μm,方塊電阻在40~50Ω/□,選擇的熱擴(kuò)散方法為液態(tài)源擴(kuò)散法。Si片單片方塊電阻的均勻性是衡量高溫?cái)U(kuò)散效果的重要指標(biāo)。方塊電阻均勻性的提高使得電池的p-n結(jié)平整性變好,能夠提高光生載流子的收集概率,增加短路電流,進(jìn)而提高電池的轉(zhuǎn)換效率。

  圖4(a)PL圖像右側(cè)出現(xiàn)陰影,還可以看到清晰手指印(方框處),說明生產(chǎn)過程存在工藝污染現(xiàn)象。該電池片的光生誘導(dǎo)電流測試圖如圖4(b),可以看到與PL圖像對應(yīng)處的誘導(dǎo)電流很低,也驗(yàn)證了電池對應(yīng)區(qū)域存在載流子的強(qiáng)復(fù)合中心。利用硝酸溶液將電池電極腐蝕掉,通過四探針測試儀測量方塊電阻,發(fā)現(xiàn)右側(cè)方塊電阻很大,擴(kuò)散嚴(yán)重不均勻。

  2.3  裂紋分析

  裂紋分顯裂和隱裂,前者可以通過肉眼直接觀察到,而隱裂片即使通過顯微鏡也難以察覺。如圖5所示,圖5(a)為顯裂片,裂紋區(qū)域?qū)?yīng)在PL圖片上是一塊灰度低的區(qū)域(方框處),如光學(xué)顯微鏡所示。隱裂片的PL圖像和光學(xué)照片如圖5(b)所示,通過PL圖像可以在電池左右下角發(fā)現(xiàn)十字形裂紋,而在500倍的光學(xué)顯微鏡下卻沒發(fā)現(xiàn)任何異常。研究發(fā)現(xiàn),十字形隱裂可能產(chǎn)生于由擴(kuò)散工藝誘生的二次缺陷。眾所周知,雖然Si材料在室溫下極脆,但是當(dāng)其到達(dá)熔點(diǎn)溫度的60%(約740℃)以上時(shí)具有韌性。當(dāng)裝有Si片的石英舟被推入高溫?cái)U(kuò)散爐時(shí),具有很大面積厚度比的Si片受到的不均勻加熱使得Si片中產(chǎn)生很大的溫度梯度,相應(yīng)地產(chǎn)生了很大的熱應(yīng)力,當(dāng)應(yīng)力超過Si的屈服強(qiáng)度時(shí),擴(kuò)散誘生缺陷就會(huì)產(chǎn)生。若組件中出現(xiàn)隱裂電池片,在經(jīng)過熱力循環(huán)、拉力等可靠性測試時(shí)很可能演變?yōu)槠扑椋瑢⒂绊懙秸麄€(gè)組件的發(fā)電量,甚至威脅到整個(gè)光伏電站的安全。

  2.4  其他情況

  PL還可以校驗(yàn)其他參數(shù),例如擴(kuò)散長度、位錯(cuò)密度、電極不良、氧含量及過渡金屬雜質(zhì)濃度等,這取決于CCD的靈敏度。PL的測量范圍能夠從剛切割的Si片到電池,可以依次在每步測量結(jié)果的基礎(chǔ)上,*估任一單獨(dú)的工藝對最終電池功效的影響,在工藝衛(wèi)生方面更是起著監(jiān)督作用。本文關(guān)注的是單晶Si太陽電池檢測,對于多晶Si電池,晶界處會(huì)出現(xiàn)灰度降低情況,但并不影響整體分析效果。PL成像優(yōu)勢包括測量時(shí)間短;對樣品沒有絲毫破壞性;非接觸測量,可以支持Si片薄片化趨勢;測量能在室溫下進(jìn)行,測量對象與光源之間的距離靈活可調(diào),因此對樣品尺寸沒有限制。理論上PL可以測量電池串和組件,但實(shí)際上要使光均勻照射在組件上還是具有挑戰(zhàn)性,因此PL多用于電池的質(zhì)量控制。

  3  結(jié)語

  利用光致發(fā)光檢測可以立即發(fā)現(xiàn)生產(chǎn)中存在的問題,及時(shí)排除,從而提高電池平均效率。目前,PL仍處于定性的檢測階段,技術(shù)的開發(fā)方向是引入與發(fā)光強(qiáng)度相應(yīng)的量化指標(biāo),量化指標(biāo)對于太陽電池生產(chǎn)的指導(dǎo)意義更大。PL取代接觸式測量方法是其一大優(yōu)勢,具有在生產(chǎn)中規(guī)模化應(yīng)用的巨大潛力。

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