一、在STM32中，有五個時鐘源，為HSI、HSE、LSI、LSE、PLL。

①HSI是高速內(nèi)部時鐘，RC振蕩器，頻率為8MHz。

②HSE是高速外部時鐘，可接石英/陶瓷諧振器，或者接外部時鐘源，頻率范圍為4MHz~16MHz。

③LSI是低速內(nèi)部時鐘，RC振蕩器，頻率為40kHz。

④LSE是低速外部時鐘，接頻率為32.768kHz的石英晶體。

⑤PLL為鎖相環(huán)倍頻輸出，其時鐘輸入源可選擇為HSI/2、HSE或者HSE/2。倍頻可選擇為2~16倍，但是其輸出頻率最大不得超過72MHz。

二、在STM32上如果不使用外部晶振，OSC_IN和OSC_OUT的接法：如果使用內(nèi)部RC振蕩器而不使用外部晶振，請按照下面方法處理：

①對于100腳或144腳的產(chǎn)品，OSC_IN應(yīng)接地，OSC_OUT應(yīng)懸空。
②對于少于100腳的產(chǎn)品，有2種接法：第1種：OSC_IN和OSC_OUT分別通過10K電阻接地。此方法可提高EMC性能；第2種：分別重映射OSC_IN和OSC_OUT至PD0和PD1，再配置PD0和PD1為推挽輸出并輸出'0'。此方法可以減小功耗并（相對上面）節(jié)省2個外部電阻。

三、用HSE時鐘，程序設(shè)置時鐘參數(shù)流程：
01、將RCC寄存器重新設(shè)置為默認值RCC_DeInit;
02、打開外部高速時鐘晶振HSERCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON);
03、等待外部高速時鐘晶振工作HSEStartUpStatus=RCC_WaitForHSEStartUp();
04、設(shè)置AHB時鐘RCC_HCLKConfig;
05、設(shè)置高速AHB時鐘RCC_PCLK2Config;
06、設(shè)置低速速AHB時鐘RCC_PCLK1Config;
07、設(shè)置PLLRCC_PLLConfig;
08、打開PLLRCC_PLLCmd(ENABLE);
09、等待PLL工作while(RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY)==RESET)
10、設(shè)置系統(tǒng)時鐘RCC_SYSCLKConfig;
11、判斷是否PLL是系統(tǒng)時鐘while(RCC_GetSYSCLKSource()!=0x08)
12、打開要使用的外設(shè)時鐘RCC_APB2PeriphClockCmd()/RCC_APB1PeriphClockCmd()

四、例程

本文用的為STM32中容量的產(chǎn)品

void RCC_Configuration(){

ErrorStatus HSEStartUpStatus;

// 復位RCC時鐘

RCC_DeInit();

// 打開外部高速時鐘

RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON);

// 查看 HSE 的 啟動狀態(tài)

HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp();

// 如果成功開啟

if(HSEStartUpStatus == SUCCESS)

{

//配置 HCLK,PCLK2,PCLK1

RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1);

RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div1);

RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div2);

// 配置 /FLASH 延時2 周期？

FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2);

// Flash 預(yù)取(pre Fetch)功能開啟

FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable);

// PLL 9 倍頻

RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1, RCC_PLLMul_9);

// PLL開啟

RCC_PLLCmd(ENABLE);

// 等待PLL開始工作

while(RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET);

// 配置系統(tǒng)時鐘

RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK);

// 檢查 是否將 HSE-9倍頻作為系統(tǒng)時鐘

while(RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08);

}

}