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[導(dǎo)讀]法拉電容也叫超級電容器,雙電層電容,其體積小、容量大、電壓記憶特性好、可靠性高。與充電電池相比,具有充電時間短、功率密度高、使用壽命長、低溫特性好及無環(huán)境污染等優(yōu)勢[2]。在數(shù)據(jù)保護電路中采用法拉電容取代

法拉電容也叫超級電容器,雙電層電容,其體積小、容量大、電壓記憶特性好、可靠性高。與充電電池相比,具有充電時間短、功率密度高、使用壽命長、低溫特性好及無環(huán)境污染等優(yōu)勢[2]。在數(shù)據(jù)保護電路中采用法拉電容取代電池作后備電源,在提高系統(tǒng)可靠性、延長壽命、降低設(shè)備成本和維護成本等方面,有十分重要的意義。

  本文將通過一個設(shè)計案例,具體介紹法拉電容在單片機系統(tǒng)的RAM數(shù)據(jù)保護中的應(yīng)用,為嵌入式系統(tǒng)中RAM數(shù)據(jù)保護提供一種可行的參考方法。

  某一采用UT6264C70LL作為RAM的單片機系統(tǒng),在系統(tǒng)掉電后,要求RAM的數(shù)據(jù)后備時間達到5天。

  1  硬件設(shè)計

  采用法拉電容作為RAM后備電源,法拉電容后備時間的典型計算公式為:

  式中:C(F)為法拉電容的標稱容量,Uwork(V)為電路中的正常工作電壓,Umin(V)為電路能工作的最低電壓, t(s)為電路中后備時間,I(A)為電路的負載電流。

  UT6264CSC70LL的典型數(shù)據(jù)保持電流為1 μA,工作電壓為5 V,數(shù)據(jù)保持所需電壓最低為2 V。取0.1 F的法拉電容,計算得到RAM的數(shù)據(jù)后備時間為3.35天。而實際上,當RAM的電源電壓降低時,其數(shù)據(jù)保持電流將減小,因而后備時間可以延長。

  另外,電源出現(xiàn)波動時,RAM的片選引腳、寫使能引腳及數(shù)據(jù)線端口也容易引入干擾或不正常的控制時序,從而破壞RAM中的數(shù)據(jù)。因此,需要通過電路設(shè)計,確保電源不正常時讀寫控制端口時序可控,從而增強RAM數(shù)據(jù)的安全。

  電路原理圖如圖1所示。

  當電源正常時,5 V電源VCC通過快速整流二極管D1給RAM(U2:UT6264)供電,并通過R1給法拉電容(C1:FM0H104Z)充電。掉電時,D1截止,法拉電容C1作為備份電源,通過R1為U2供電,保證RAM中數(shù)據(jù)不消失。

  在掉電過程中或電源出現(xiàn)波動時,為了增強RAM數(shù)據(jù)的安全性,采用了專用電源監(jiān)控芯片(U3:IMP706),提供系統(tǒng)的監(jiān)控功能。上電、掉電和電網(wǎng)電壓過低時會輸出復(fù)位信號,同時還能跟蹤1.6 s的定時信號,為軟件運行提供看門狗定時器(watchdog timer)防護。當電源電壓掉至約4.74 V時,U3向CPU(U1:AT89S52)輸出掉電信號(PW_DN),CPU進行掉電應(yīng)急處理和保護現(xiàn)場,不向RAM芯片進行任何讀寫操作。當電源電壓進一步掉至4.4 V時,U3產(chǎn)生復(fù)位信號,CPU被復(fù)位,同時RAM芯片U2的片選引腳CE2也被置為低電平,確保U2不被讀寫操作。

  

 

  圖1  電路原理圖

  2  軟件設(shè)計

  本案例電路的地址定義是: RAM地址范圍(8 KB)為0000H~1FFFH;看門狗定時器控制地址為E000H。

  軟件包括主控制程序、掉電中斷處理程序、定時中斷處理程序等。

  

 

  圖2  主流程

  (1) 主控制程序

  上電進行必要的CPU初始化后,檢查正常掉電標志和RAM Check Sum計算檢查,以確認RAM中數(shù)據(jù)是否正常。如果正常,就進行掉電前的現(xiàn)場恢復(fù)。其主程序流程框圖如圖2所示。

  (2) 掉電中斷處理程序

  CPU收到掉電信號(PW_DN)中斷時,CPU進行掉電應(yīng)急處理和保護現(xiàn)場,設(shè)置正常掉電標志,保存RAM Check Sum計算結(jié)果,以備上電時檢查RAM數(shù)據(jù)是否被破壞。其流程框圖如圖3所示。

  

 

  圖3  掉電中斷處理流程

  

 

  圖4  定時中斷處理流程

  (3) 定時中斷處理程序

  看門狗定時器電路需要在每1.6 s內(nèi)清零,在定時中斷處理程序中調(diào)用看門狗清零子程序。定時中斷時間要設(shè)在1.6 s以內(nèi),例如100 ms。定時中斷處理流程框圖如圖4所示。

  結(jié)語

  在本應(yīng)用實例中,經(jīng)測試,掉電后RAM數(shù)據(jù)后備時間是10~14天,且數(shù)據(jù)可靠,系統(tǒng)運行穩(wěn)定。顯然,選擇更大容值的法拉電容將有更長的后備時間。在控制系統(tǒng)的產(chǎn)品設(shè)計中,為提高產(chǎn)品的可靠性、降低成本、增強產(chǎn)品在市場上的競爭力,本文提供的方案具有參考價值。

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